1、建设项目环境影响报告表（污染影响类）项目名称：【2022】9 号 6 英寸半导体集成电路制造生产线项目建设单位（盖章）：xx集成电路（xx）有限公司编制日期：2023 年 3 月目目录录一、建设项目基本情况一、建设项目基本情况.1二、建设项目工程分析二、建设项目工程分析.21三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准.104四、四、主要环境影响和保护措施主要环境影响和保护措施.129五、环境保护措施监督检查清单五、环境保护措施监督检查清单.234六、结论六、结论.240附表附表.241专题一：专题一：环境风险专项评价环境风险专项评价.243附图：附2、图：1、项目地理位置图；2、项目周边环境示意图；3、项目厂区平面布置图；4、xx市“三线一单”生态环境分区管控方案；5、地表水环境功能区划图；6、xxxx芯谷核心区块用地规划图；7、项目分区防渗图。附件：附件：1、xx省企业投资项目备案（赋码）信息表；2、企业营业执照复印件；3、不动产权证书；4、环境质量现状监测报告；5、危废处置承诺书；6、项目污水纳管承诺书；7、环评措施法人承诺书、法人承诺书；8、物料 MSDS；9、授权委托书；10、企业投产前落实交易的承诺；11、删除不宜信息公开说明、信息公开说明；12、信用承诺书；13、请求审批的函；14、专家评审意见及修改清单。1一、建设项目基本情况3、建设项目名称9 号 6 英寸半导体集成电路制造生产线项目项目代码建设单位联系人联系方式建设地点地理坐标国民经济行业类别集成电路制造（3973）建设项目行业类别三十六、计算机、通信和其他 电 子 设 备 制 造 业3980 电 子 器 件 制 造397集成电路制造建设性质新建（迁建）改建扩建技术改造建设项目申报情形首次申报项目不予批准后再次申报项目超五年重新审核项目重大变动重新报批项目项目审批（核准/备案）部门（选填）xx区xxxx新区行政审批局项目审批（核准/备案）文号（选填）2203-330114-89-01-215549总投资（万元）85000 xx投资（万元）4750 xx投资占比（%）4、5.59%施工工期36 个月是否开工建设否是：用地（用海）面积（亩）70.60专项评价设置情况根据 建设项目环境影响报告表编制技术指南（污染影响类）（试行），环境风险开展专项评价，大气、地表水、生态和海洋不开展专项评价，判定依据见表1-1。表表1-1专项评价设置判定情况专项评价设置判定情况专项评价的类别设置原则本项目情况是否设置专项评价大气排放废气含有毒有害污染物1、二噁英、苯并a芘、氰化物、氯气且厂界外500米范围内有环境空气保护目标2的建设项目。本项目排放废气涉及有毒有害污染物氯气，但项目厂界外500米范围内无环境空气保护目标（含规划保护目标），因此本项目无需设置大气专项评价。否2地表水新5、增工业废水直排建设项目（槽罐车外送污水处理厂的除外）；新增废水直排的污水集中处理厂。本项目生产废水纳管排放。否环境风险有毒有害和易燃易爆危险物质存储量超过临界量的建设项目。本项目有毒有害和易燃易爆危险物质存储量超过临界量。是生态取水口下游500米范围内有重要水生生物的自然产卵场、索饵场、越冬场和洄游通道的新增河道取水的污染类建设项目。本项目所在地取水口下游500米范围内无重要水生生物的自然产卵场、索饵场、越冬场等生态保护目标。否海洋直接向海排放污染物的海洋工程建设项目。本项目不涉及直接向海洋排放污染物。否注：1.废气中有毒有害污染物指纳入有毒有害大气污染物名录的污染物（不包括无排放标准的污染物6、）。环境空气保护目标指自然保护区、风景名胜区、居住区、文化区和农村地区中人群较集中的区域。规划情况规划名称规划名称：xx大xx产业集聚区管理委员会和xx市城市规划设计研究院于2017年2月由共同编制完成xx大xx产业集聚区（大江东新区）分区规划；审批机关：审批机关：/；审查文件名称及文号：审查文件名称及文号：/规划环境影响评价情况规划环评：规划环评：xxxx芯谷核心区块总体规划环境影响报告书；召集审查机关：召集审查机关：xx省生态环境厅；审查文件名称及文审查文件名称及文号：号：规划及规划环境影响评价符合性分析1、与与xx大xx产业集聚区（大xx新区）分区规划xx大xx产业集聚区（大xx新区）分7、区规划符合符合性分析性分析1）规划简介规划简介xx大xx产业集聚区管理委员会和xx市城市规划设计研究院于 2017 年 2 月由共同编制完成xx大xx产业集聚区（大xx新区）分区规划。规划范围规划范围：东、西、北均以xx江界线为界，南至红十五线、十二棣横河及绍兴县接壤的北侧河道，西南至xxxx工业园区与xx3空港经济开发区的边界线。规划总面积 427 平方千米，其中陆域面积348 平方千米，xx江水域面积 79 平方千米。地域范围覆盖河庄、义蓬、新湾、xx、前进 5 个街道的行政管辖区域及党湾镇部分用地。规划期限：规划期限：20152030 年。其中：近期 20152020 年；远期202128、030 年。目标目标定位：定位：战略目标建设国家级新区，打造“智慧大xx、魅力生态城”。近期重点建设以智慧和人才为导向的产业平台，侧重吸引人口集聚，逐步强化制造业功能，并结合智慧产业及生态特色带动区内公共服务配套完善。远期逐步成为产城融合、生态和谐、创新高效、服务完善的国际一流的智慧新区和魅力彰显的生态新区。功能定位三区一城，即“国家自主创新示范区、长三角产城人融合先行区、xx产业转型升级引领区、xxxx智慧生态新城”。特色定位：创新智造航母、陆空海一体门户、生态休闲江湾、宜居宜业家园。规划布局结构规划布局结构：规划形成“四区多园、三心多片”的产业空间结构。“四区”：即xx、前进、xx、临空四9、大产业片，分别分布于由钱江通道和xx大道构成的四个象限内。每个人产业片区基本包含四项要素，分别为特色产业园、物流园、创新单元和创新策源地。“多园”：即“7+X”产业园，包括汽车及零部件产业园、新能源新材料产业园、轨道交通产业园、机器人及自动化产业园、临空产业园、生命健康产业园、航空航天产业园等 7 个主导产业园区。“三心”：即三级服务中心，包括“城市服务核心产业服务中心产业邻里中心和创新单元中心”。“多片”：即多个旅游休闲片，包括江海湿地休闲片、xx观潮度4假园、生态都市农业园，分别位于大xx的东西南北。产业空间布局引导产业空间布局引导（节选（节选四大产业片四大产业片）：）：A.xx产业片区：10、重点发展xx先进装备制造园、xx战略新兴产业园等 2 处特色产业园区，1 处公铁联运物流园，智慧服务园、总部经济园、花园研发园等 3 处创新单元，职教小镇、高教科研园等 3处创新策源地。B.前进产业片区：重点发展前进先进装备制造园、前进战略新兴产业园等 2 处特色产业园区，1 处前进物流园，1 处前进创新单元，以 2 所中等专业学校作为创新策源地。C.xx产业片区：重点发展xx高新技术产业园、xx新材料产业园等 4 处特色产业园区，1 处xx智慧物流园，3 处xx创新单元，xx职业高中、xx高中等 2 处创新策源地。D.临空产业片区：重点发展临空会展商贸园、临空制造园、民营经济创新园等 3 处11、特色产业园，1 处临空xx物流园，以xx高教科研园为创新策源地。2）规划符合性分析）规划符合性分析：本项目位于xx市xx区xx片区，该区是重点发展xx先进装备制造园、xx战略新兴产业园等 2 处特色产业园区。本项目属于集成电路制造，不属于禁止、淘汰类项目，符合该区域的功能定位。根据xx大xx产业集聚区（大xx新区）分区规划（2015-2030）的用地规划图可知，项目拟建地规划为工业用地，本项目属于集成电路制造，其未与规划冲突。同时对照xx区产业发展导向目录与产业平台布局指引（钱政办发 2022 6 号），本项目属于“鼓励类目录”中的“B01 39 英寸半导体硅片、12 英寸半导体硅片等；8 英12、寸及以下特色工艺生产线、虚拟 IDM 生产线、12 英寸数字芯片生产线”。综合上述分析，本项目建设符合xx大xx产业集聚区（大xx新区）分区规划要求。2、与与xxxxxx芯谷核心区块总体xx芯谷核心区块总体规划规划环境影响报告书环境影响报告书符合符合性性分析分析51与规划环境影响评价结论符合性分析与规划环境影响评价结论符合性分析生态空间清单符合性本项目所在区域生态空间清单见下表1-2。表表1-2 项目所在区域生态空间清单（项目所在区域生态空间清单（修编后修编后）环境管控单元编码环境管控单元名称生态空间范围示范生态空间范围示范图图管控要求管控要求现状现状用地用地类型类型ZH3301092001313、萧 山区 大江 东产 业集 聚重 点管 控单元1.根据产业集聚区块的功能定位，建立分区差别化的产业准入条件；2.合理规划居住区与工业功能区，在居住区和工业区、工业企业之间设置防护绿地、生活绿地等隔离带；3.严格实施污染物总量控制制度，根据区域环境质量改善目标，削减污染物排放总量；4.所有企业实现雨污分流；5.强化工业集聚区企业环境风险防范设施设备建设和正常运行监管，加强重点环境风险管控企业应急预案制定，建立常态化的企业隐患排查整治监管机制，加强风险防控体系建设。工业用地、农林用地符合性分析：符合性分析：（1）本项目属于集成电路制造，不属于禁止、淘汰类项目，符合该区域的功能定位。（2）本项目所在14、地与周边的居住区之间设置了一定的防护隔离带，能够确保人居环境安全和群众身体健康。（3）本项目严格实施污染物总量控制制度，新增污染物总量进行区域平衡替代削减，不会改变项目所在区域环境质量等级，不突破环境质量底线。（4）本项目要求企业落实雨污分流，落实“污水零直排”建设。（5）本项目建设单位承诺严格按照环评要求落实各项风险防范6措施、应急措施，并在项目投产前编制突发环境事件应急预案，建立风险防控体系。综上，本项目符合所在区域生态空间清单的管控要求。环境条件准入清单符合性本项目所在区域环境准入条件清单见下表 1-3。表表 1-3环境准入条件清单（环境准入条件清单（修编后修编后）-节选节选区块示意范围15、图分类行业清单工艺清单产品清单xx区大xx产业集聚重点管控单元 2（ZH33010920013）禁止准入类产业新建、扩建火力发电（燃煤）；49、饲料添加剂、食品添加剂制造（单纯混合或分装外的）；111、纺织品制造（有染整工段的）；114、原油加工、天然气加工、油母页岩提炼原油、煤制原油、生物制油及其他石油制品；117、基本化学原料制造；农药制造；涂料、染料、颜料、油墨及其类似产品制造；合成材料制造；专用化学品制造；炸药、火工及焰火产品制造；水处理剂等制造（单纯混合或分装外的）；118、肥料制造：化学肥料制造（单纯混合和分装外的）；119、日用化学品制造（肥皂及洗涤剂制造中的以油脂为原料的/7肥16、皂或皂粒制造，香料、香精制造中的香料制造，以上均不含单纯混合或者分装的）；120、化学药品制造（单纯混合或分装外的）；121、化学纤维制造（单纯纺丝除外）；123、轮胎制造、再生橡胶制造、橡胶加工、橡胶制品制造及翻新（轮胎制造；有炼化及硫化工艺的）；131、铁合金制造；132、有色金属冶炼（含再生有色金属冶炼）；133、有色金属合金制造；135、金属制品表面处理及热处理加工（有电镀工艺的（现有企业不增加总量技改项目除外）；有钝化工艺的热镀锌）。/涉及电镀、酸洗、磷化、电化学镀、铸造工艺金属制品制造（省、市重点项目配套的金属表面处理等必须工艺环节除外/单纯的表面喷涂项/8目/55、含湿法印花、染17、色、水洗工艺的服装制造/在距离居住区边界200 米范围内布置溶剂型油漆喷涂项目/禁止危化品货物分拨中心和仓库建设；危险化学品/危险废物仓储（企业配套原料或产品库除外）/废旧资源（含生物质）加工再生、利用等/57、制鞋业制造（使用有机溶剂的）；/限制准入类产业/现有氨纶、锦纶等三类项目技改不得增加产能，且污染物削减量不低于区域减排目标。/规划环评符合性分析规划环评符合性分析本项目属于“xx区大xx产业集聚重点管控单元 2（ZH33010920013）”。根据环境准入条件清单表对照，本项目不属于环境准入条件清单中禁止准入类和限制准入类产业，符合开发区的空间准入标准、产业准入和行业准入要求。项目实施18、后，生活污水经化粪池预处理、生产废水经厂区污水处9理设施预处理后纳入xxxx污水处理厂处理达标排放；酸性废气经酸性废气洗涤塔处理后高空排放；工艺尾气经过 POU（燃烧水洗/触媒吸附/干式吸附）后经酸性废气洗涤塔处理后高空排放；碱性废气经碱性废气喷淋塔处理后高空排放；有机废气收集后经沸石浓缩转轮焚烧系统处理后高空排放；锅炉天然气燃烧装置配备低氮燃烧器。生活垃圾经集中收集后委托当地环卫部门清运；危险固废暂存危废仓库委托有资质的单位处理；一般固废出售；厂区内进行构筑物隔声、基础减震。因此，“三废”和噪声经采取适当的污染防治措施后能够达到规划环评中提出的相应污染物排放标准要求。另外通过预测分析可知，项19、目在采取适当的污染防治措施后，废水、废气均能达标排放，不会对区域环境造成明显影响。因此，本项目建设总体符合xxxx芯谷核心区块总体规划环境影响报告书 相应要求。其他符合性分析1、关于以改善环境质量为核心加强环境影响评价管理的通知关于以改善环境质量为核心加强环境影响评价管理的通知（环环评（环环评2016150号）中号）中“三线一单三线一单”符合性分析符合性分析表表 1-2“三线一单三线一单”符合性分析符合性分析“三线一单”符合性生态保护红线本项目位于xx市xx区，地块东至建一路，南至xx七路，西至空地，北至xx二路规划绿化，属于xx区大xx产业集聚重点管控单元 2。根据 xx省人民政府关于发布x20、x省生态保护红线的通知（浙政发201830 号），本项目不在生态功能生态保护红线内，不触及生态保护红线。环境质量底线环境空气质量目标为环境空气质量标准（GB3095-2012）中的二级标准，项目所在区域为达标区；水环境质量目标为地表水环境质量标准（GB3838-2002）类水标准；声环境质量目标为声环境质量标准（GB3096-2008）中3类标准规定要求。根据环境质量现状监测数据，本项目拟建区域大气环境、水环境、声环境和土壤环境质量均能达到相应标准的要求。根据环境影响分析，若能依照本环评要求的措施合理处置各项污染物，则本项目各项污染物不会改变项目所在区域环境质量等级，不触及环境质量底线。资源利21、用上线本项目不属于高耗能项目，用水来自工业区供水管网，用电来自市政供电。项目建成运行后通过内部管理、设备选择、自动化控制、原辅材料的选用和管理、废物回收利用、污染治理等多方面采取合理 可行的防治措施，以“节约、降耗、减污”为目标，实现节能减排。因此，本项目的实施不会突破该区域的资源利用上线。生态环境准入清单经对照xx市“三线一单”生态环境分区管控方案，本项目符合xx市“三线一单”生态环境分区管控方案中的“xx区大江东产业集聚重点管控单元 2（ZH33010920013）”的管控要求。102、“三线一单三线一单”生态环境分区管控方案符合性分析生态环境分区管控方案符合性分析根据xx市“三线一单”生22、态环境分区管控方案，本项目位于xx区大xx产业集聚重点管控单元2，编码：ZH33010920013。生态环境分区符合性分析见表1-3。表表1-3“三线一单三线一单”生态环境分区管控方案符合性分析生态环境分区管控方案符合性分析项目要求项目实际情况结论空间分布约束根据产业集聚区块的功能定位，建立分区差别化的产业准入条件。合理规划居住区与工业功能区，在居住区和工业区、工业企业之间设置防护绿地、生活绿地等隔离带。本项目位于xx市钱塘区，地块东至建一路，南至xx七路，西至空地，北至xx二路规划绿化。项目所在区以先进制造业为主体，本项目属于集成电路制造，不属于禁止、淘汰类项目，符合该区域的功能定位，本项目23、与周围居住区之间存在道路防护绿地，满足空间布局引导方面的管控要求。符合污染物排放管控严格实施污染物总量控制制度，根据区域环境质量改善目标，削减污染物排放总量。所有企业实现雨污分流。本项目严格按照相关要求落实污染物总量控制及排污权交易，要求建设废气、废水治理措施，排放浓度控制限值严格于排放标准，达到国内同行业先进水平,企业废水雨污分流，厂区建设要求符合“污水零直排区”要求。严格按照环评要求落实土壤、地下水污染防治措施。符合环境风险防控强化工业集聚区企业环境风险防范设施设备建设和正常运行监管，加强重点环境风险管控企业应急预案制定，建立常态化的企业隐患排查整治监管机制，加强风险防控体系建设。建设单位24、承诺严格按照环评要求落实各项风险防范措施、应急措施，并在项目投产前编制 突发环境事件应急预案，建立风险防控体系。符合资源开发效率要求/本项目所在地用电用水供给充裕，在区域资源利用上线的承受范围之内。/11符合性分析符合性分析：项目严格按照相关要求落实污染防治措施要求污染物总 量控制要求，确保各类污染物长期稳定达标排放，符合相应的管控要求。严格按照环评要求落实各项风险防范措施、应急措施，并在项目投产前编制突发环境事件应急预案，符合环境风险防控要求。项目生产过程使用天然气，资源能源利用效率较高。3、xx省建设项目环境保护管理办法（xx省人民政府令xx省建设项目环境保护管理办法（xx省人民政府令第第25、388号）符合性分析号）符合性分析1）建设项目应当符合生态保护红线、环境质量底线、资源利用上线和生态环境准入清单管控的要求；排放污染物应当符合国家、省规定的污染物排放标准和重点污染物排放总量控制要求。符合性分析符合性分析：本项目符合生态保护红线、环境质量底线、资源利用上线和生态环境准入清单管控的要求；本项目污染物达标排放，且符合总量控制要求。2）建设项目还应当符合国土空间规划、国家和省产业政策等要求。符合性分析符合性分析：本项目位于xx市xx区，地块东至建一路，南至xx七路，西至空地，北至xx二路规划绿化，根据土地证，用途为工业用地，符合国土空间规划。本项目属于C3973 集成电路制造，对照产26、业结构调整指导目录（2019 年本）（2021年修订），本项目属于指导目录中“第一类：鼓励类，二十八、信息产业：22、新型电子元器件”。对照市场准入负面清单（2022 年版），本项目不在其市场准入负面清单。对照关于印发长江经济带发展负面清单指南（试行，2022 年版）xx省实施细则的通知，本项目不占用实施细则中的各类敏感区域，不属于实施细则禁止开展的生产活动和工程建设。此外，项目已获得区行政审批局出具的 xx省企业投资项目备案（赋码）信息表（项目代码：2203-330114-89-01-215549）。因此，本项目建设符合国家和地方产业政策的要求。124、建设项目环境保护管理条例建设项目环境保27、护管理条例(国务院令第国务院令第682号号)“四性五四性五不批不批”相符性分析相符性分析表表1-4“四性五不批四性五不批”相符性分析相符性分析审批要求符合性分析是否符合要求四性建设项目的环境可行性本项目符合产业政策、达标排放、选址规划、生态规划、总量控制原则及环境质量要求等，从xx角度看，本项目在所选场地上实施是基本可行的。符合环境影响分析预测评估的可靠性本项目环境影响分析章节均依据国家相关规范及建设项目的设计资料进行影响分析，符合环境影响分析预测评估的可靠性。符合环境保护措施的有效性本项目产生的污染物均有较为成熟的技术进行处理，从技术上分析，只要切实落实本报告提出的污染防治措施，本项目废气、28、废水、噪声可做到达标排放，固废可实现零排放。符合环境影响评价结论的科学性本环评结论客观、过程公开、评价公正，并综合考虑建设项目实施后对各种环境因素可能造成的影响，环境结论是科学的。符合五不批（一）建设项目类型及其选址、布局、规模等不符合环境保护法律法规和相关法定规划。项目符合当地总体规划，符合国家、地方产业政策，项目营运过程中各类污染源均可得到有 效控制并能做到达标排放，符合清洁生产、总量控制xx标排放的原则，对环境影响不大，环境风险不大，项目实施不会改变所在地的环 境质量水平和环境功能，可实现经济效益、社会效益、环境效益的统一，符合环境保护法律法规和相关法定规划。不属于不予批准的情形（二）所29、在区域环境质量未达到国家或者地方环境质量标准，且建设项目拟采取的措施不能满足区域环境质量改善目标管理要求。根据对项目拟建地环境质量状况分析，项目区域地表水、声和环境空气都能够达到国家质量标准。项目营运过程中各类污染源均可得到有效控制并能做到达标排放，对当地环境质量影响不大。不属于不予批准的情形（三）建设项目采取的污染防治措施无法确保污染物排放达到国家和地方排放标准，或者未采取必要措施预防和控制生态破坏。项目采取污染防治措施符合规范，能够起到预防和控制生态破坏的作用，污染物排放达到国家和xx省排放标准。不属于不予批准的情形13（四）改建、扩建和技术改造项目，未针对项目原有环境污染和生态破坏提出有30、效防治措施。本项目为新建项目，不适用于本条。不属于不予批准的情形（五）建设项目的环境影响报告书、环境影响报告表的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺陷、遗漏，或者环境影响评价结论不明确、不合理。本项目在编制过程中数据真实，内容精简，条例有序，未存在重大缺陷、遗漏。且本项目结论客观、过程公开、评价公开，并综合考虑建设项目实施对各种环境因素可能造成的影响。不属于不予批准的情形5、xx省实xx省实施细则符合性分析施细则符合性分析对照xx省实施细则，本项目符合相关要求。表表 1-5长江经济带发展负面清单指南（长江经济带发展负面清单指南（试行，试行，2022 年版年版）符合性分析符合性分析序号序号要求要31、求项目实际情况项目实际情况结论结论1港口码头项目建设必须严格遵守中华人民共和国港口法、交通运输部港口规划管理规定、港口工程建设管理规定以及xx省港口管理条例的规定。本项目不涉及港口、码头建设内容。符合2禁止建设不符合全国沿海港口布局规划、全国内河航道与港口布局规划、xx省沿海港口布局规划、xx省内河航运发展规划以及项目所在地港口总体规划、国土空间规划的港口码头项目。经国务院或国家发展改革委审批、核准的港口码头项目，军事和渔业港口码头项目，按照国家有关规定执行。城市休闲旅游配套码头、陆岛交通码头等涉及民生的港口码头项目，结合国土空间规划和督导交通专项规划等另行研究执行。本项目不涉及港口、码头建设32、内容。符合3禁止在自然保护地的岸线和河段范围内投资建设不符合xx省自然保护地建设项目准入负面清单（试行）的项目。禁止在自然保护地的岸线和河段范围内采石、采砂、采土、砍伐及其他严重改变地形地貌、破坏自然生态、影响自然景观的开发利用行为。禁止在 I 级林地、一级国家级公益林内建设项目。自然保护地由省林业局本项目位于xx市钱塘区xx芯谷核心区块，不涉及自然保护地、I 级林地、一级国家级公益林。符合14会同相关管理机构界定。4禁止在饮用水水源一级保护区、二级保护区、准保护区的岸线和河段范围内投资建设不符合xx省饮用水源保护条例的项目。饮用水水源一级保护区、二级保护区、准保护区由省生态环境厅会同相关管理33、机构界定。本项目不涉及饮用水水源一级保护区、二级保护区、准保护区的岸线和河段。符合5禁止在水产种质资源保护区的岸线和河段范围内新建围湖造田、围海造地或围填海等投资建设项目。水产种质资源保护区由省农业农村厅会同相关管理机构界定。本项目不涉及水产种质资源保护区。符合6在国家湿地公园的岸线和河段范围内：（一）禁止挖沙、采矿；（二）禁止任何不符合主体功能定位的投资建设项目；（三）禁止开（围）垦、填埋或者排干湿地；（四）禁止截断湿地水源；（五）禁止倾倒有毒有害物质、废弃物、垃圾；（六）禁止破坏野生动物栖息地和迁徙通道、鱼类洄游通道，禁止滥采滥捕野生动植物；（七）禁止引入外来物种；（八）禁止擅自放牧、捕捞34、取土、取水、排污、放生；（九）禁止其他破坏湿地及其生态功能的活动。国家湿地公园由省林业局会同相关管理机构界定。本项目位于xx市钱塘区xx芯谷核心区块，不涉及国家湿地公园。符合7禁止违法利用、占用长江流域河湖岸线。本项目位于xx市钱塘区xx芯谷核心区块，不涉及利用、占用长江流域河湖岸线。符合8禁止在长江岸线保护和开发利用总体规划划定的岸线保护区和保留区内投资建设除事关公共安全及公众利益的防洪护岸、河道治理、供水、生态环境保护、国家重要基础设施以外的项目。本项目不在长江岸线保护和开发利用总体规划划定的岸线保护区和岸线保留区内。符合9禁止在全国重要江河湖泊水功能区划划定的河段及湖泊保护区、保留区内35、投资建设不利于水资源及自然生态保护的项目。本项目不涉及全国重要江河湖泊水功能区划划定的河段及湖泊保护区、保留区。符合10禁止未经许可在长江支流及湖泊新本项目废水纳管排符合15设、改设或扩大排污口。放，不涉及设、改设或扩大排污口。11禁止在长江支流、太湖等重要岸线一公里范围内新建、扩建化工园区和化工项目。本项目不属于长江支流、太湖等重要岸线一公里范围内，且本项目不属于新建、扩建化工园区和化工项目。符合12禁止在长江重要支流岸线一公里范围内新建、改建、扩建尾矿库、冶炼渣库和磷石膏库，以提升安全、生态环境保护水平为目的的改扩建除外。本项目不属在长江重要支流岸线一公里范围内，且不属于新建、改建、扩建尾36、矿库、冶炼渣库和磷石膏库项目。符合13禁止在合规园区外新建、扩建钢铁、石化、化工、焦化、建材、有色、制浆造纸等高污染项目。高污染项目清单参照生态环境部环境保护综合目录中的高污染产品目录执行。本项目位于xx市钱塘区xx芯谷核心区块，该园区属于合规园区，本项目不属于钢铁、石化、化工、焦化、建材、有色、制浆造纸等高污染项目，此外，对照环境保护综合目录，本项目不属于目录中的高污染产品。符合14禁止新建、扩建不符合国家石化、现代煤化工等产业布局规划的项目。本项目不属于石化、现代煤化工项目。符合15禁止新建、扩建法律法规和相关政策明令禁止的落后产能项目，对列入 产业结构调整指导目录淘汰类中的落后生产工艺装37、备、落后产品投资项目，列入 外商投资准入特别管理措施（负面清单）的外商投资项目，一律不得核准、备案。禁止向落后产能项目和严重过剩产能行业项目供应土地。本项目不属于落后产能项目，不属于产业结构调整指导目录淘汰类中的落后生产工艺装备、落后产品投资项目，不属于外商投资项目，本项目属于不属于落后产能项目和严重过剩产能行业。符合16禁止新建、扩建不符合国家产能置换要求的严重过剩产能行业的项目。部门、机构禁止办理相关的土地（海域）供应、能评、环评审批和新增授信支持等业务。本项目不属于严重过剩产能项目，无需进行产能置换。符合17禁止新建、扩建不符合要求的高耗能高排放项目。本项目不属于高耗能高排放项目。符合138、8禁止在水库和河湖等水利工程管理范围内堆放物料，倾倒土、石、矿渣、垃圾等物质。本项目用地不涉及在水库和河湖等水利工程管理范围内。符合166、与xx省与xx省“十四五十四五”挥发性有机物综合治理方案挥发性有机物综合治理方案符合性分符合性分析析对照xx省“十四五”挥发性有机物综合治理方案（浙环发202110 号），本项目与其符合性分析具体见下表 1-6。表表 1-6 本项目与浙环发本项目与浙环发202110 号符合性分析（摘选）号符合性分析（摘选）序序号号文件要求文件要求本项目情况本项目情况是否是否符合符合1优化产业结构。引导石化、化工、工业涂装、包装印刷、合成革、化纤、纺织印染等重点行业合理布局39、，限制高 VOCs 排放化工类建设项目，禁止建设生产和使用 VOCs 含量限值不符合国家标准的涂料、油墨、胶粘剂、清洗剂等项目。贯彻落实产业结构调整指导目录 国家鼓励的有毒有害原料（产品）替代品目录，依法依规淘汰涉 VOCs排放工艺和装备，加大引导退出限制类工艺和装备力度，从源头减少涉 VOCs 污染物产生。本项目属于 C3973 集成电路制造，主要从事6英寸半导体集成电路晶圆的生产，不涉及生产和使用含 VOCs 的涂料、油墨、胶粘剂、清洗剂等原辅材料。根据 产业结构调整指导目录等文件，项目不涉及产业禁止或限制的工艺和装备，符合产业政策要求。符合2严格环境准入。严格执行“三线一单”为核心的生态40、环境分区管控体系，制（修）订纺织印染（数码喷印）等行业绿色准入指导意见。严格执行建设项目新增 VOCs 排放量区域削减替代规定，削减措施原则上应优先来源于纳入排污许可管理的排污单位采取的治理措施，并与建设项目位于同一设区市。根据 关于以改善环境质量为核心加强环境影响评价管理的通知（环 环 评 2016150号）中“三线一单”以及xx市“三线一单”生态环境分区管控方案符合性分析，本项目的建设符合生态保护红线、环境质量底线、资源利用上线和生态环境准入清单管控的要求。项目严格执行建设项目新增 VOCs排放量区域削减替代规定。符合3全面提升生产工艺绿色化水平。石化、化工等行业应采用原辅材料利用率高、废41、弃物产生量少的生产工艺，提升生产装备水平，采用密闭化、连续化、自动化、管道化等生产技术，鼓励工艺装置采取重力流布置，推广采用油品在线调和技术、密闭式循环水冷却系统等。工业涂装行业重点推进使用紧凑式涂装本项目为集成电路制造项目，不属于石化、化工等行业，不涉及工业涂装。项目有机废气经过沸石浓缩转轮焚烧系统处理后高空排放，可以做到达标排放。符合17工艺，推广采用辊涂、静电喷涂、高压无气喷涂、空气辅助无气喷涂、热喷涂、超临界二氧化碳喷涂等技术，鼓励企业采用自动化、智能化喷涂设备替代人工喷涂，减少使用空气喷涂技术。包装印刷行业推广使用无溶剂复合、共挤出复合技术，鼓励采用水性凹印、醇水凹印、辐射固化凹印、42、柔版印刷、无水胶印等印刷工艺。鼓励生产工艺装备落后、在既有基础上整改困难的企业推倒重建，从车间布局、工艺装备等方面全面提升治理水平。4全 面 推 行 工 业 涂 装 企 业 使 用 低VOCs 含量原辅材料。严格执行 中华人民共和国大气污染防治法第四十六条规定，选用粉末涂料、水性涂料、无溶剂涂料、辐射固化涂料等环境友好型涂料和符合要求的（高固体分）溶剂型涂料。工业涂装企业所使用的水性涂料、溶剂型涂料、无溶剂涂料、辐射固化涂料应符合低挥发性有机化合物含量涂料产品技术要求规定的 VOCs 含量限值要求，并建立台账，记录原辅材料的使用量、废弃量、去向以及 VOCs 含量。本项目为集成电路制造项目，不43、涉及工业涂装工序。5大力推进低 VOCs 含量原辅材料的源头替代。全面排查使用溶剂型工业涂料、油墨、胶粘剂、清洗剂等原辅材料的企业，各地应结合本地产业特点和本方案指导目录，制定低 VOCs 含量原辅材料源头替代实施计划，明确分行业源头替代时间表，按照“可替尽替、应代尽代”的原则，实施一批替代溶剂型原辅材料的项目。加快低 VOCs 含量原辅材料研发、生产和应用，在更多技术成熟领域逐渐推广使用低 VOCs 含量原辅材料，到 2025 年，溶剂型工业涂料、油墨、胶粘剂等使用量下降比例达到国家要求。本项目为集成电路制造项目，不涉及溶剂型工业涂料、油墨、胶粘剂。项目清洗、光刻等工序涉及有机溶剂，工艺、原44、材料和废气处理设施均为行业内先进。符合6严格控制无组织排放。在保证安全前提下，加强含 VOCs 物料全方位、全链条、全环节密闭管理，做好VOCs 物料储存、转移和输送、设备与管线组件泄漏、敞开液面逸散以及工艺过程等无组织排放环节的管理。生产应优先采用密闭设备、在密闭空间中操作或采用全密闭集气本项目生产车间均为洁净车间，生产过程中全密闭，均为有组织排放。符合18罩收集方式，原则上应保持微负压状态，并根据相关规范合理设置通风量；采用局部集气罩的，距集气罩开口面最远处的 VOCs 无组织排放位置控制风速应不低于0.3米/秒。对 VOCs 物料储罐和污水集输、储存、处理设施开展排查，督促企业按要求开展45、专项治理。7全面开展泄漏检测与修复（LDAR）。不涉及符合8规范企业非正常工况排放管理。引导石化、化工等企业合理安排停检修计划，制定开停工（车）、检修、设备清洗等非正常工况的环境管理制度。在确保安全的前提下，尽可能不在 O3 污染高发时段（4 月下旬6 月上旬和 8 月下旬9 月，下同）安排全厂开停车、装置整体停工检修和储罐清洗作业等，减少非正常工况 VOCs 排放；确实不能调整的，应加强清洗、退料、吹扫、放空、晾干等环节的 VOCs 无组织排放控制，产生的 VOCs 应收集处理，确保满足安全生产和污染排放控制要求。不涉及符合9建设适宜高效的治理设施。企业新建治理设施或对现有治理设施实施改造，46、应结合排放 VOCs 产生特征、生产工况等合理选择治理技术，对治理难度大、单一治理工艺难以稳定达标的，要采用多种技术的组合工艺。采用活性炭吸附技术的，吸附装置和活性炭应符合相关技术要求，并按要求足量添加、定期更换活性炭。组织开展使用光氧、光氧化、低温等离子、一次性活性炭或上述组合技术等 VOCs 治理设施排查，对达不到要求的，应当更换或升级改造，实现稳定达标排放。对收集后的有机废气“沸石浓缩转轮焚烧系统”处理装置处置达标后，35m 高空排放。符合10加强治理设施运行管理。按照治理设施较生产设备“先启后停”的原则提升治理设施投运率。根据处理工艺要求，在治理设施达到正常运行条件后方可启动生产设备，47、在生产设备停止、残留 VOCs 收集处理完毕后，方可停运治理设施。VOCs治理设施发生故障或检修时，对应生产设备应停止运行，待检修完毕后投入使用；因安全等因素生产设要求企业按照治理设施较生产设备“先启后停”的原则提升治理设施投运率。在治理设施达到正常运行条件后方可启动生产设备，在生产设备停止、残留VOCs 收集处理完毕后，方可停运治理设施。VOCs 治理设施发符合19备不能停止或不能及时停止运行的，应设置废气应急处理设施或采取其他替代措施。生故障或检修时，对应生产设备应停止运行，待检修完毕后投入使用。11加强治理设施运行管理。按照治理设施较生产设备“先启后停”的原则提升治理设施投运率。根据处理48、工艺要求，在治理设施达到正常运行条件后方可启动生产设备，在生产设备停止、残留 VOCs 收集处理完毕后，方可停运治理设施。VOCs治理设施发生故障或检修时，对应生产设备应停止运行，待检修完毕后投入使用；因安全等因素生产设备不能停止或不能及时停止运行的，应设置废气应急处理设施或采取其他替代措施。要求企业在后续生产过程中加强治理设施运行管理，在在治理设施达到正常运行条件后方可启动生产设备，在生产设备停止、残留 VOCs 收集处理完毕后，方可停运治理设施。VOCs 治理设施发生故障或检修时，对应生产设备应停止运行，待检修完毕后投入使用；因安全等因素生产设备不能停止或不能及时停止运行的，应设置废气应急49、处理设施或采取其他替代措施。符合12规范应急旁路排放管理。推动取消石化、化工、工业涂装、包装印刷、纺织印染等行业非必要的含 VOCs排放的旁路。因安全等因素确须保留的，企业应将保留的应急旁路报当地生态环境部门。应急旁路在非紧急情况下保持关闭，并通过铅封、安装监控（如流量、温度、压差、阀门开度、视频等）设施等加强监管，开启后应做好台账记录并及时向当地生态环境部门报告。本 项 目 不 设 相 关 含VOCs 排放的旁路。符合7、产品排水量相符性分析产品排水量相符性分析对照电子工业水污染物排放标准(GB39731-2020)中的表 2 的规定，新建项目应执行单位产品基准排水量要求，半导体器件企业具体50、要求如下表 1-7。20表表 1-7 单位产品基准排水量单位产品基准排水量适用企业产品规格单位单位产品基准排水量排水量计量位置半导体器件6 英寸及以下芯片m3/片3.2与污染物排放监控位置一致8 英寸芯片m3/片6.012 英寸芯片m3/片m3/片11掩膜层数 35 层以上20封装产品传统封装产品m3/千块产品2.0圆片级封装产品m3/片11分立器件m3/千块产品3.5本项目产品规格为 6 英寸芯片，则单位产品基准排水量为 3.2m3/片。项目建成后全厂年排水量为 2355418 吨，6 英寸芯片产能为 100万片/年，折合单位产品排水量为 2.355m3/片。项目单位产品排水量均符合“6 英51、寸芯片单位产品基准排水量为 3.2m3/片”的要求。21二、建设项目工程分析建设内容2.1 建设内容建设内容2.1.1 项目由来项目由来xx集成电路（xx）有限公司成立于 2021 年 12 月 20 日，公司位于xx市xx区，地块东至建一路，南至xx七路，西至空地，北至xx二路规划绿化，主要从事 6 英寸半导体集成电路晶圆的生产销售。企业在xx市xx区购买工业用地 47068m2（70.6 亩），新建 FAB 厂房、生产车间、动力站等厂房和配套公用辅助设施，新增地上建筑面积103590.96m2，新增地下建筑面积 12142.39m2，总建筑面积 115733.35m2，收购国外机台产线，规52、划和研发工艺技术，建设高品质 6 英寸晶圆的生产基地，形成年产 100 万片 6 英寸半导体集成电路晶圆的生产规模。根据 中华人民共和国环境影响评价法 及 建设项目环境保护管理条例（中华人民共和国国务院令第 682 号）中有关规定，该建设项目应进行环境影响评价。本项目为集成电路制造（3973），根据建设项目环境影响评价分类管理名录（2021 年版），本项目属于“三十六、计算机、通信和其他电子设备制造业 39-80 电子器件制造 397-集成电路制造”，环评类别为报告表。为此，xx集成电路（xx）有限公司委托xxxx科技咨询有限公司对该项目进行环境影响评价。我公司接受委托后，即组织有关人员赴现场53、进行踏勘、对周围环境进行了调查，并收集有关资料，在此基础上根据相关技术导则和规范要求，编制本环境影响报告表报送审批。2.1.2 工程组成工程组成表表 2.1-1 工程组成工程组成工程名称工程规模主体工程芯片生产厂房FAB 厂房核心区位于芯片生产厂房中间位置，共 3 层。1F：为生产支持区，主要布置废水提升间、纯水抛光间、PCW 间、真空站、工艺设备腔体废气处理等。2F：为生产支持区，主要布置背面加工设备、工艺设备辅机。3F：主要为洁净生产车间，主要布置工艺设备主机。内设薄膜区（PVD、CVD 工序）、炉管区、黄光区（曝光、显影工序）、干法刻蚀区、湿法刻蚀区、离子注入区、化学机械研磨区等。检测车54、间 位于 FAB 厂房核心区南侧，共 5 层。221F 布置芯片检测设备，对芯片进行测试。2F 至 5F 为办公区域。化学品区位于 FAB 厂房核心区北侧，共 1 层。布置有机化学品间、可燃气体间、惰性气体间、腐毒气体间、废液收集间等。动力辅房位于 FAB 厂房核心区东侧，共 4 层。1F：气体纯化间、酸碱供应间、变电站等。2F 至 3F：工艺设备。4F：新风机房。动力站1 幢，位于芯片生产厂房东侧，共 3 层。地下 1F：水池、泵房。1F：锅炉房、废水处理站。2F：纯水站、空压机房。3F：柴发机房、变电站、冰机房。生产车间 1 至生产车间 31 幢，位于芯片生产厂房东侧，共 6 层。暂时闲置55、。丙类库1 幢，位于芯片生产厂房北侧，共 4 层。存放一般性零部件，备品备件等。甲类库1 幢，位于丙类库东侧，共 1 层。存放毒性气体（如氯气、砷烷、磷烷等）、双氧水以及 IPA 等有机溶剂。氢气站/氦气站1 幢，位于甲类库东侧，共 1 层。现场布置氢气鱼雷车，主要负责氢气的供应。硅烷站1 幢，位于氢气站/氦气站东侧，共 1 层。现场布置 Y 型瓶钢瓶，主要负责硅烷的供应。室外大宗气站 位于氢气站/氦气站东侧及硅烷站北侧，现场布置液体储罐、汽化器、阀组等设备，制氮机包括空压机、预冷机、干燥机、冷箱等设备，主要负责提供氮气、氢气、氧气、氩气、氦气等大宗气体及制氮机。公用工程给水本工程项目供水系统56、主要包括生产、生活用水系统，各系统相互独立。项目生产用水、生活用水均由园区市政给水管网供给。排水厂区排水实行雨污分流，生产废水经厂区污水处理站处理后与经化粪池预处理的生活污水一起纳管排放。污水和雨水分别汇集后统一排入市政排污和雨水管道系统。供电市政电网供给，由xx供电公司 110kV 变电所提供不同母线段两回路20kV 电源引入项目设置的高压进线柜，根据设备需求再进行电压变换，其中冷水机/制氮机采用 10KV 配电，其余低压配电电压为480V/380V/208V/220V。天然气由园区天然气管网接入，由xxxx管道燃气有限公司供应天然气。供热由xx航民xx热电有限公司提供的 0.8MPa，1757、0饱和蒸汽。另外项目设置 3 台燃气锅炉作为备用热源。辅助工程循环水系统循环水系统分为工艺用低温循环冷却水系统和冷冻站冷却循环水系统。其中供外延炉、光刻机等工艺设备用低温冷却水循环水量为1250m3/h，供水温度20，回水温度34，供水压力为 0.45、0.65MPa。冷冻站屋顶设冷却塔 6 组，与冷冻机配套使用。纯水系统本系统供给工艺生产设备所需用纯水，供水压力为 0.4MPa，电阻率大于 18Mcm（25），流量为 220 m3/h。空压站本项目生产工艺设备需要无油干燥压缩空气，压缩空气的品质要求如下：压力：0.75MPa、露点：-70（压力露点）；空压站位于动力站一层；压缩空气经鼓风式干58、燥装置处理，达到工艺专业要求的露点，23并经后过滤器及精密过滤器过滤，达到规定控制的含尘要求，送至使用点；项目配备 4 台（3 用 1 备）水冷变频螺杆空气压缩机。冷冻站项目生产车间洁净度要求 100 级和 1000 级，要求恒温恒湿（需要温度调节的车间面积 16000m2）。公司配置离心式冷水机组 12 台（10用 2 备），其中低温冷水机组 5 台（4 用 1 备），中温冷水机组 7 台（6 用 1 备）（其中 4 台为热回收机组），合计制冷量为 61900kW，xx满足项目制冷量需求。冷冻站设置在动力站三层，冷冻水采用闭式循环系统，供回水温度：低温系统 6/12，中温系统 12/18，冷59、却水供回水温度为：32/38。换热站本项目设置换热站位于动力站二层，与中温热回收系统一起为本项目提供低温热水。低温热水优先使用中温热回收系统，在中温热回收系统无法满足热量需求时，再开启蒸汽换热机组。蒸汽换热机组热源采用xx航民xx热电有限公司提供的 0.8MPa，170饱和蒸汽，二次侧热水供回水温度为 38/32，设置 2 套 8000kW 的板式汽水换热器；凝结水回收至 UT 水池。暖通空调本项设置净化空调系统，洁净室净化级别分别为 100 级和 1000 级。洁净室为三层结构形式：三层为洁净生产区，二层为回风下夹层，一层为辅助生产区。净化空调系统为采用 MAU(新风机组)+FFU（风机过滤60、单元）+DC（干表冷盘管）的方式。其气流流程如下：回风DC和 MAU 新风混合FFU生产区回风格栅地板下夹层回风夹道。其中新风集中处理系统采用组合式空调机组 MAU，新风加湿采用淋水室加湿，以保证生产区的相对湿度。通讯信息厂区通信系统包括火灾自动报警系统、广播系统、通信系统、闭路电视监控系统、门禁系统、停车场管理系统、周界报警系统等。本工程火灾自动报警系统采用集中报警形式，在接入园区报警系统后形成控制中心报警系统。项目设置可燃气体探测报警系统、特气泄漏报警系统、化学品液体泄漏报警系统。可燃气体探测报警系统：在使用可燃气体处设置可燃气体探测器，气体探测器报警后，由可燃气体探测控制器联锁启动保护区61、域的声光报警器，并开启相应的事故排风机；火警系统接收可燃气体报警控制器的报警信号和故障信号。特气泄漏报警系统：在化学品库、主厂房特气供应间等设置特气泄漏探测器。当气体探测器报警，自动关闭相关气体管路上的阀门，并联锁启动现场声光警报器和应急广播系统，同时启动事故排放系统。化学品液体泄漏报警系统：对本工程内使用液体化学品（酸、碱、有机）的场所进行化学品泄漏探测，采用泄漏电缆探测方式，发生泄漏报警时，联动专用声光报警器，同时联动事故排风机。通风本项目动力站（冷冻空压站、锅炉房、变电站）、车间通风、化学品库均设置机械通风，自然进风。真空系统本项目工艺真空泵设置在厂房真空泵房内，设置工艺真空系统，螺杆式62、真空机组 4 台（3 用 1 备）单台吸气量 730Am3/h，极限真空：0.35mbar，功率：11KW/380V/50HZ。大宗气体供应由大宗气体站为本项目提供氮气、氧气等大宗气体以及压缩空气。本项目所需氮气由空分制氮系统供应。特气供应系统特殊气体由设在芯片生产厂房的化学品区的特气柜（瓶）分配到 FAB生产厂房的支管/阀门箱。氢气站主要负责氢气的供应。24硅烷站主要负责硅烷的供应。储运工程厂区动力管道厂区天然气管道采用直埋方式敷设；压缩空气管道和生产热水管道采用沿通廊架空方式敷设。危险品库位于甲类库中，存放风险较大的毒性气体、易燃气体、易燃液体等。化学品库位于 FAB 厂房核心区北侧，共 63、1 层。布置有机化学品间、可燃气体间、惰性气体间、腐毒气体间、废液收集间等。甲类库1 幢，位于丙类库东侧，共 1 层。存放毒性气体（如氯气、砷烷、磷烷等）、双氧水以及 IPA 等有机溶剂。运输本项目原材料绝大部分为进口原材料，运输方式为陆运、海运、空运均有。该项目的原辅材料对运输条件要求较高，市区内运输由专业运输公司承担，以专用货车运至厂区内。化学品及特殊气体，视需要送至厂内，置于专设的化学品仓库（化学品供应间及化学品库）或生产厂房动力辅助区气体及化学品中央供应间，并做好安全卫生防护措施。化学品仓库内的气态和液态化学品，根据需要由专人领料，用叉车运至 FAB 底层化学品、气体供应室或生产车间本64、地供应处。项目的大宗气体压缩空气（CDA/XCDA）、一般氮气（GN2）、高纯氮气（PN2）、高纯氢气（PH2）、高纯氧气（PO2）来源于项目地块东北侧的大宗气体站，该气体站提供满足用气点需求的气体，通过管道输送至工艺生产区。环保工程废水废水处理规模t/d处理方式本项目各类废水经厂区污水处理站处理达到纳管标准后纳入市政污水管网，最终由临江污水处理厂集中处理后达标排放。酸碱废水1500二级酸碱中和池酸碱废气洗涤塔废水纯水机反冲洗水高浓度氨氮废水10“pH 调节池+二级吹脱塔”处理后进入低浓度氨氮废水处理系统低浓度氨氮废水1500“调节池+氧化反应池+还原反应池”处理后进入有机废水处理系统有机废水65、1800pH调节池+综合废水调配池+水解酸化池+缺氧池+好氧池+MBR 膜池POU 洗涤塔废水（部分）含氟废水2300pH 调节池+一级反应池+一级混凝池+一级絮凝化池+一级沉淀池+二级反应池+二级混凝池+二级絮凝化池+二级沉淀池氟化氨废水POU 洗涤塔废水（含氟部分）研磨废水360pH 调节池+混凝池+絮凝化池+沉淀池普通金属化废水（含 Al 和磷）90pH 调节池+一级反应池+一级混凝池+一级絮凝化池+一级沉淀池+二级反应池+二级混凝池+二级絮凝化池+二级沉淀池含磷废水含镍废水30调节池+反应池+混凝池+絮25凝化池+沉淀池含镍银废水20一级反应池+一级混凝池+一级絮凝化池+一级沉淀池+二66、级反应池+二级混凝池+二级絮凝化池+二级沉淀池含镍钒废水10调节池+反应池+混凝池+絮凝化池+沉淀池含钴废水10一级反应池+一级混凝池+一级絮凝化池+一级沉淀池+二级反应池+二级混凝池+二级絮凝化池+二级沉淀池废气废气风量 m3/h处理方式排气筒编号高度 内径一般酸性废气650000（6 用 1 备）碱液喷淋吸收塔DA001-DA007 35m 1.5m碱性废气318000（3 用 1 备）酸液喷淋吸收塔DA008-DA011 35m 0.8m有机废气355000（3 用 1 备）沸石浓缩转轮焚烧系统DA012-DA015 35m 1.6m工艺尾气（不含砷）/POU 净化装置处理后纳入酸性废气67、处理系统DA001-DA007 35m 1.5m含砷工艺尾气4800（1 用 1 备）POU 净化装置（干式吸附）DA016-DA017 35m 0.4mPOU 废气处理设施天然气燃烧废气/DA001-DA007 35m2m沸石转轮天然气燃烧废气/DA012-DA015 35m 1.6m燃气锅炉/低氮燃烧DA018-DA020 35m 0.6m废水处理站废气30000碱喷淋+次氯酸钠喷淋DA02130m1m食堂油烟12000油烟净化设施/固废一般固废仓库厂区内设有 1 个一般工业固废暂存库，位于丙类库，面积约 414m2危废仓库厂区内设有 1 个危险废物暂存库，位于甲类库，面积约 130m2。68、废液收集罐厂区光刻胶废液间有 1 个 15m3光刻胶混合废液罐，有机废液收集间有 1 个 5m3IPA 废液罐体和 1 个 2m3丙酮废液罐体；废液收集间有 1 个 2m3BOE 含氟化铵废液罐、1 个 2m3含钴废液罐、1 个 2m3镍钒废液罐、1 个 2m3含磷废液罐、1 个 5m3镍银废液罐。污泥暂存间厂区内设有 1 个污泥暂存库，位于动力站 1 层，面积约 144m2。26事故应急池及初期雨水池在动力站地下一层设置一个事故应急池（容积约 1400m3）及一个室外应急池（容积约 500m3）。2.1.3 产品及产能产品及产能表表 2.1-2 产能情况产能情况产品单位产量规格（线宽）备注669、 英寸半导体集成电路晶圆万片/年100130-500nm/2.1.4 生产单元、工艺、生产设施及设施参数生产单元、工艺、生产设施及设施参数表表 2.1-3 设备清单设备清单序号生产单生产单元元生产工生产工艺艺生产设施名称生产设施名称设施厂家设施厂家/型号型号数量数量（台台/套套）1湿法清洗湿法清洗湿法清洗机设备吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯302SCRUB 设备DNS/吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯103成膜外延沉积 EPI外延设备LPE/AMAT/ASM/北方华创 Naura94介质沉积化学气相沉积设备Lam/AMAT/北方华创/沈阳拓荆/邑文345W-CVD 设备AMAT/LA70、M/北方华创/沈阳拓荆/邑文46金属沉积物理气相沉积设备MRC/Ulvac/Anelva/AMAT/北方华创/沈阳拓荆/邑文257氧化OX 炉管设备青岛海迪克/青岛金立盾/xx英凌/Tylan TytanFurnaces/Kokusai/TEL/KE/SVG/ASM398Poly 炉管设备青岛海迪克/青岛金立盾/xx英凌/Tylan TytanFurnaces/Kokusai/TEL/KE/SVG/ASM129SiN 炉管设备青岛海迪克/青岛金立盾/xx英凌/Tylan TytanFurnaces/Kokusai/TEL/KE/SVG/ASM1010LPTEOS炉管设备青岛海迪克/青岛金立盾/71、xx英凌/Tylan TytanFurnaces/Kokusai/TEL/KE/SVG/ASM911图形化光刻涂胶设备芯源/Tel/DNS/SVG/全芯4012HMDS 设备Yesoven/真萍613烘烤设备Yesoven/真萍814曝光设备Nikon/Canon/ASML/SUSS/EVG3615显影设备芯源/Tel/DNS/SVG/全芯4916湿法刻蚀湿法刻蚀设备吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯182717湿法去胶湿法去胶设备吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯1018干法刻蚀干法刻蚀设备-ALLAM/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯1619干法刻蚀设备-OXLam/TEL/72、AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯2420干法刻蚀设备-POLYLam/TEL/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯1621干法刻蚀设备-SILam/TEL/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯422干法刻蚀设备-SiNLam/TEL/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯1223干法刻蚀设备-去硅渣Lam/TEL/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯524W 刻蚀设备LAM/AMAT/Ulvac/北方华创/中微/邦芯425UV 烘烤设备Fusion 200626Trench 刻蚀设备LAM/北方华创/中微/邦芯327HARDBAKE 设备YAMATO/Yesov73、en/真萍228干法去胶打胶设备Gasonic/TPC3100/Mattson/L3510/PEP3510/Trymax/北方华创/中微/邦芯/邑文1529干法去胶设备Gasonic/TPC3100/Mattson/L3510/PEP3510/Trymax/北方华创/中微/邦芯/邑文4030功能化退火合金设备青岛海迪克/青岛金立盾/xx英凌731炉管退火设备青岛海迪克/青岛金立盾/xx英凌/Tylan TytanFurnaces/Kokusai/TEL/KE/SVG/ASM5532注入后快速退火设备Mattson/AMAT/邑文833离子注入注入机SEN/Axcelis 雅士利/AMAT/Ul74、vac/凯世通3234化学机械研磨W-CMP 设备EBARA/Mirror ontrack/吉姆西/天津华海清科/北京硕科335OX-CMP 设备EBARA/Mirror ontrack/吉姆西/天津华海清科/北京硕科336硅片背面加工湿法清洗后段清洗设备吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯337清洗后干燥设备吉姆西/施密科/盛美/新阳硅密/至纯338贴膜贴膜设备上海鸿威/鼎满/日东839硅片减薄减薄设备Disco/中电科940揭膜揭膜设备上海鸿威/鼎满/日东841金属沉蒸发设备爱发科/聚昌/Evatec1928积42检验测试参数测试设备Accretch/Keithley/xx长川/xx矽电375、943线宽测试仪日立/中科飞测444颗粒测试仪KLA/中科飞测945膜厚测试仪KLA/中科飞测/Nano1046电阻测试仪KLA/CDE747显微镜OLYMPUS/Nikon2648显微镜OLYMPUS/Nikon1149硼磷浓度测试设备FTIR/XRF450偏差测试设备(Over Layer)Over lay451应力测试设备KLA352台阶测量设备KLA153KLA 测量设备KLA154OVEN 设备Yesoven/真萍155CP 测试设备UNO_DIS100D+TSK UF200156设备和备件清洗清洗片盒清洗设备吉姆西/施密科/新阳硅密457炉管清洗机设备吉姆西/施密科/新阳硅密35876、备件清洗设备吉姆西/施密科/新阳硅密259备件烘箱Yesoven/真萍260辅助辅助激光打标设备德龙激光/大族激光/KarlSuss/LUMONICS561返工&回收设备吉姆西/施密科/新阳硅密662甩干机SEMITOO/45 所/欣威晟4563实验室实验室扫描式电子显微镜Hitachi/Tescan/FEI164研磨机国产定制165镀膜机国产定制166通风橱设备吉姆西/施密科/新阳硅密167大宗气站压缩空气系统空压机英格索兰/阿特拉斯468氮气系统纯化器JPC/先普269氧气系统纯化器JPC/先普270氩气系统纯化器JPC/先普271氢气系统纯化器JPC/先普272氦气系纯化器JPC/先普277、29统73冷却水系统水泵格兰富/威乐574FAB 纯化过滤系统过滤器英特格/品格2075制纯水制纯水系统设计能力 160m/h成套设备176冷却冷却塔风机海冷/良机1477锅炉燃气真空锅炉5600KW/台/378真空真空系统真空泵/4（3 用 1 备）锅炉设备情况说明锅炉设备情况说明：本项目设置燃气真空锅炉作为项目备用热源，当蒸汽管网故障维修期间，启动备用锅炉供热，项目冬季厂区供热需求主要包括：FAB 厂房空调热负荷需求11700KW/h，动力站各辅助用房一般空调热负荷 80KW/h，丙类库热负荷200KW/h，纯水制备热负荷 3900KW/h，综上总计热负荷 16380KW/h，根据项目实际78、需求，企业配备 3 台“单台 5600KW 燃气真空锅炉”。设备先进性分析：设备先进性分析：（一）（一）化学气相沉积设备化学气相沉积设备化学气相沉积设备包括真空合金炉、氧化/推进炉、LPCVD 和 CVD 等。本项目选用的真空合金炉、氧化/推进炉、LPCVD 由温控系统、石英管、进出舟装置、真空和压力控制系统、流量及温度控制系统、安全保护系统、计算机控制等部分组成。CVD 主要由特气系统、电源系统、传送系统、真空系统、流量及温度控制系统、安全保护系统、计算机控制等部分组成。其主要特点如下：1、炉体加热系统共有六层。顶层配置有水冷散热器及排热风扇，每层加热炉体间也配置一层水冷系统，隔绝每层炉管的79、温度相互影响。2、加热方式采用感应加热，热效率高，选用国内新型保温材料、隔热保温性强。3、进出舟系统采用软着陆系统，与悬臂桨系统相比对墙体的影响更小，30温度控制更均匀，减少了工艺气体在 SiC 桨上的沉积，从而颗粒更少。（二）（二）物理气相沉积设备物理气相沉积设备-溅射台溅射台溅射台主要是指磁控溅射台，他是通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备80、金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。本项目溅射台主要由靶材、电源系统、传送系统、真空系统、流量及温度控制系统、安全保护系统、计算机控制等部分组成。（三）（三）注入机注入机离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、81、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求。2.1.5 主要原辅材料及燃料的种类和用量主要原辅材料及燃料的种类和用量本项目主要原辅材料消耗情况见表 2.1-4。本项目各工序主要原辅材料消耗情况见表 2.1-5。本项目主要能源消耗消耗情况见表 2.1-6。31表表 2.1-4本项目主要原辅材料及能资源消耗一览表本项目主要原辅材料及能资源消耗一览表序号序号名称名称化学成分化学成分形态形态单位单位年使用量年使用量厂区内最厂区内最大储存量大储存量包装规格包装规格储存地点82、储存地点1硅晶圆Si固态万片/年1201225 片/盒一般原材料仓库（FAB）2硫酸H2SO49698%液态kg/年803044000200L/桶化学品库3过氧化氢H2O22060%液态kg/年726807268200L/桶甲类库4氢氟酸HF4055%液态kg/年453602000200L/桶化学品库5氨水NH4OH 2535%液态kg/年26208010000200L/桶化学品库6盐酸HCl 3037%液态kg/年277202772200L/桶化学品库7DCS（SiH2Cl2）二氯二氢硅SiH2Cl299%气态kg/年636463747L/瓶危险品库8HCL 氯化氢HCl 99%气态kg/年83、312003120300kg/瓶危险品库9TCS（SiHCl3）三氯氢硅SiHCl399%液态kg/年38043815GAL/瓶化学品库10PH3-H2磷烷-氢气PH3(20,50,100ppm)-H2气态kg/年1081147L/瓶危险品库11B2H6-H2硼烷-氢气B2H6(20,50,100ppm)-H2气态kg/年6147L/瓶危险品库12SiH4硅烷SiH499%气态kg/年676867712KG/瓶甲类库13Ar 氩气Ar 99%气态kg/年12643126547L/瓶化学品库145%B2H6-N25%B2H6-N2气态kg/年8068147L/瓶危险品库155%PH3-N25%P84、H3-N2气态kg/年3934047L/瓶危险品库16N2O 笑气N2O99%气态kg/年429042930KG/瓶化学品库17三乙基磷酸碱（TEPO）磷酸三乙酯 100%液态kg/年122135 加仑/瓶化学品库18三乙羟基硼酸（TEB）硼酸三乙酯 100%液态kg/年98105 加仑/瓶甲类库19TEOS 正硅酸乙酯Si(OC2H5)4正硅酸乙酯 100%液态kg/年4704717.4kg/5Gall/瓶 8N甲类库20SiF4四氟化硅四氟化硅99.9%气态kg/年5405440L50L/瓶危险品库21NH3氨气氨气 99%气态kg/年303630447L/瓶危险品库3222WF6六氟化钨85、六氟化钨=99.99%气态kg/年171517210L/瓶危险品库23四(二甲胺基)钛 TDMAT四(二甲胺基)钛 100%液态kg/年92800g/bt甲类库24He 氦气氦气 99.99599.9999%气态kg/年170917140L50L/瓶化学品库25NF3三氟化氮纯度=99.9vol%气态kg/年360036020KG/瓶化学品库26C2F6六氟乙烷六氟乙烷99%气态kg/年24200242040L50L/瓶化学品库27Ti 靶材Ti99%固态kg/年3941 块/箱一般原材料仓库（FAB）28Pt 靶材Pt99%固态kg/年1921 块/箱一般原材料仓库（FAB）29Co 靶材C86、o99%固态kg/年7681 块/箱一般原材料仓库（FAB）30Al 靶材AL 98%固态kg/年34983501 块/箱一般原材料仓库（FAB）31NiPt 靶NiPt固态kg/年1521 块/箱一般原材料仓库（FAB）32DCE（C2H4Cl2）二氯乙烷C2H4Cl2二氯乙烷 100%液态kg/年3441.5L/瓶甲类库33H2氢气H2，6N气态kg/年12288112289大宗气体气站34O2氧气氧气，6N气态kg/年60246560247大宗气体气站35高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年 649416056494161大宗气体气站36BARC 光刻胶1-甲氧基-2-丙醇 7590%;87、(S)-乳酸乙酯515%;聚合物固体 110%;交联剂15%;催化剂 1%液态kg/年682691GL/瓶化学品库37TARC（抗反射涂层）Fluoroalkylsulfonic acid salt 5%Fluoroalkylsulfonic acid 1%液态kg/年104111GL/瓶化学品库38EBR 边胶清洗剂*丙二醇单甲醚醋酸酯99%液态kg/年1755708000200L/桶化学品库39HMDS 增粘剂(CH3)3SiNHSi(CH3)3六甲基二硅胺 100%液态kg/年15451551GAL/瓶危险品库3340Polyimide 聚酰亚胺聚酰亚胺前驱体、乳酸乙脂、丁内酯、添加剂液88、态kg/年16501651KG/瓶化学品库41PR 光阻（光刻胶）酚醛树脂 530%、感光剂 215%、丙二醇甲醚乙酸酯 6090%液态kg/年2208422091GAL/瓶化学品库42He99.5%，O20.5%He99.5%，O20.5%气态kg/年4247L/瓶化学品库43N2(98.8%),He(1.2%)N2(98.8%),He(1.2%)气态kg/年3433547L/瓶化学品库44氟、氩、氖混合气体0.95%F2/3.5%Ar/Ne0.95%氟气+3.5%氩气+95.55氖气气态kg/年14240L50L/瓶危险品库45氪、氟、氖混合气体0.95%F2/1.25%Kr/Ne0.9589、%氟+1.25%氪+97.8%氖气态kg/年1321440L50L/瓶危险品库46氪氖混和气体 1.25%Kr/Ne1.25%Kr 98.75Ne气态kg/年28340L50L/瓶化学品库47氩、氙、氖混合气体氩 3.5%氙 10ppm 氖 96%气态kg/年2973040L50L/瓶化学品库48TMAH 正胶显影液C4H13NO 四甲基氢氧化铵 23%液态kg/年1296008000200L/桶化学品库49HNO3硝酸HNO3硝酸 6071%液态kg/年150001500200L/桶化学品库50BOE 氟化铵腐蚀液氢氟酸 510%氟化氨 2030%水液态kg/年750703000200L/桶90、化学品库51压点腐蚀液NF4F1020%HAC 3550%+水液态kg/年55305534L/瓶化学品库52H3PO4磷酸磷酸 8286%液态kg/年422624227200L/桶化学品库53铝腐蚀液磷酸 5075%、醋酸 520%、硝酸 112%液态kg/年537005370200L/桶化学品库54混酸 4FHHNO360%NH4F 0.36%液态kg/年95859595L/瓶化学品库55CO2二氧化碳CO299.899.99%气态kg/年143114427KG/瓶化学品库56CH3COCH3丙酮CH3COCH3丙酮 99%液态kg/年240002400200L/桶甲类库57NMPNMP C91、5H9NO 100%液态kg/年1378813794L/瓶化学品库58ANJICS1000C2H6OS 60-80%；NH4F 2%；HF 0.5%；H2O 25-35%液态kg/年27938279455 加仑/桶化学品库3459EKC 光阻去除剂2-氨基乙醇 25 50%；异丙醇胺 10 40%；羟胺 10 25%；芳香族溶剂 2.510%；水 99%气态kg/年129813040L50L/瓶甲类库61C4F6C4F699%气态kg/年8008025KG/瓶危险品库62C4F8氟化碳C4F899.5%气态kg/年120012030KG/瓶化学品库63CF4四氟化碳CF499%气态kg/年2492、3024330KG/瓶化学品库64CH2F2二氟甲烷二氟甲烷纯度99%气态kg/年35417L/瓶危险品库65CH3F 氟甲烷三氟甲烷，99%气态kg/年627L/瓶甲类库66CHF3三氟甲烷CHF399%气态kg/年4204230KG/瓶化学品库67Cl2氯气氯气99%气态kg/年315031547L/瓶甲类库68CO 一氧化碳一氧化碳99%气态kg/年144614540L50L/瓶化学品库69HBr 溴化氢溴化氢99%气态kg/年225022540L50L/瓶危险品库70SF6六氟化硫六氟化硫 99.899.9%气态kg/年10050100550KG/瓶化学品库71N2-H2N2-4%H293、气态kg/年7257347L/瓶化学品库72POCl3三氯氧磷POCl3浓度 99%液态kg/年3141.5L/瓶甲类库731%PH3-He1%PH3-99%He气态kg/年73847L/瓶危险品库741%PH3-N21%PH3-99%N2气态kg/年54647L/瓶危险品库755%PH3-He5%PH3-95%He气态kg/年11247L/瓶危险品库76AsH3砷烷砷化氢 99.9995%气态kg/年1822.5L/瓶甲类库77BF3三氟化硼三氟化硼99.9%气态kg/年260262.5L/瓶危险品库78PH3磷化氢磷化氢 99.9997%气态kg/年1012.5L/瓶甲类库79Sb2O3994、9.999%Sb2O3固态kg/年11225g/瓶一般原材料仓库（FAB）3580氙气 Xe氙气,99%气态kg/年1220.43L/瓶化学品库81DISK不锈钢+人工钻石固态个/年10010个一般原材料仓库（FAB）82P3 蓝毛刷尼龙固态个/年303个一般原材料仓库（FAB）83研磨垫 S-padpad固态片/年2500250片一般原材料仓库（FAB）84抛光垫 Supreme padpad固态片/年2500250片一般原材料仓库（FAB）85研磨液 D2000E(Oxideslurry)二氧化硅 25%、氢氧化钾 0.6%、水 74.4%液态kg/年10440104420L/桶化学品库895、6研磨液 DSW2500(W slurry)二氧化硅 210%、水 9098%液态kg/年660066020L/桶化学品库87研磨液 NP6502(Poly slurry)二氧化硅 1020%、专用添加剂 210%、水 7088%液态kg/年10800108020L/桶化学品库88811 腐蚀液HNO33445%、HF 1015%、HAC 1825%液态kg/年1632005000200L/桶化学品库89211 腐蚀液H2SO46585%、HNO3110%、HF 515%液态kg/年1033204000200L/桶化学品库90IPA（异丙醇）IPA 99.5%液态kg/年1758548000296、00L/桶甲类库91蓝膜Tape固态卷/年4460446卷一般原材料仓库（FAB）92砂轮（粗）砂轮（粗）固态个/年7281 个/箱一般原材料仓库（FAB）93砂轮（细）砂轮（细）固态个/年96101 个/箱一般原材料仓库（FAB）94Ag 粒Ag99%固态kg/年950951Kg/瓶一般原材料仓库（FAB）95Ni 粒Ni 99%固态kg/年555561Kg/瓶一般原材料仓库（FAB）96Ti 粒Ti 99%固态kg/年117121Kg/瓶一般原材料仓库（FAB）3697Al 粒Al 99%固态kg/年7581Kg/瓶一般原材料仓库（FAB）98晶振片晶振片固态盒/年20002008 个/盒97、一般原材料仓库（FAB）9990%Ar-CH490%Ar-CH4气态kg/年29347L/瓶化学品库100Ink墨水液态kg/年96100.2L/瓶一般原材料仓库（FAB）101镍银腐蚀液HNO31030%、乙酸 4060%液态kg/年219002190200L/桶化学品库102NiV 靶材Ni93%、V7%固态kg/年5041 块/箱一般原材料仓库（FAB）103TiW 靶材Ti10%、W90%固态kg/年3041 块/箱一般原材料仓库（FAB）104CLF3三氟化氯CLF399%气态kg/年3507040L50L/瓶化学品库105自来水/万 m3273/106天然气/万 m3135.8/198、07电/MWh/a13357/备注备注*：由于半导体（含集成电路）制造用清洗剂不适用清洗剂挥发性有机化合物含量限值（：由于半导体（含集成电路）制造用清洗剂不适用清洗剂挥发性有机化合物含量限值（GB38508-2020）标准要求，因此）标准要求，因此 EBR 边胶清洗边胶清洗剂不进行清洗剂挥发性有机化合物含量限值（剂不进行清洗剂挥发性有机化合物含量限值（GB38508-2020）标准符合性分析）标准符合性分析。表表 2.1-5本项目本项目各工序各工序主要原辅材料及能资源消耗一览表主要原辅材料及能资源消耗一览表序序号号生产单生产单元元生产工艺生产工艺名称名称化学成分化学成分形态形态单位单位年使用量99、年使用量备注备注一、硅片正面加工1/硅晶圆Si固态万片/年120衬底材料2湿法清洗湿法清洗硫酸H2SO4 9698%液态kg/年12046/3过氧化氢H2O2 2060%液态kg/年43608/4氢氟酸HF4055%液态kg/年6804/5氨水NH4OH 2535%液态kg/年183456/376盐酸HCl 3037%液态kg/年9702/7高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/8成膜外延沉积EPIDCS（SiH2Cl2）二氯二氢硅SiH2Cl299%气态kg/年6364硅外延9HCL 氯化氢HCl 99%气态kg/年31200硅外延10TCS（SiHCl3）三氯氢硅SiHCl3100、99%液态kg/年3804硅外延11PH3-H2磷烷-氢气PH3(20,50,100ppm)-H2气态kg/年108硅外延12B2H6-H2硼烷-氢气B2H6(20,50,100ppm)-H2气态kg/年6硅外延13H2氢气H2，6N气态kg/年30720硅外延14高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年16235401硅外延15介质沉积SiH4硅烷SiH499%气态kg/年6768CVD-Si/SiO2/SiNx16Ar 氩气Ar 99%气态kg/年5689CVD-Si175%B2H6-N25%B2H6-N2气态kg/年806CVD-Si185%PH3-N25%PH3-N2气态kg/年393CV101、D-Si19N2O 笑气N2O99%气态kg/年4290CVD-SiO220三乙基磷酸碱（TEPO）磷酸三乙酯 100%液态kg/年122CVD-SiO221三乙羟基硼酸（TEB）硼酸三乙酯 100%液态kg/年98CVD-SiO222TEOS 正硅酸乙酯Si(OC2H5)4正硅酸乙酯 100%液态kg/年470CVD-SiO223SiF4四氟化硅四氟化硅99.9%气态kg/年540CVD-SiO224NH3氨气氨气 99%气态kg/年3036CVD SiNx25WF6六氟化钨六氟化钨=99.99%气态kg/年1715CVD-金属钨26四(二甲胺基)钛 TDMAT四(二甲胺基)钛 100%液态102、kg/年9CVD-TiN271%PH3-He1%PH3-99%He气态kg/年73CVD-Si281%PH3-N21%PH3-99%N2气态kg/年54CVD-Si295%PH3-He5%PH3-95%He气态kg/年11CVD-Si30He 氦气氦气 99.99599.9999%气态kg/年684CVD-Si3831H2氢气H2，6N气态kg/年36864CVD-金属钨32O2氧气氧气，6N气态kg/年120493CVD-SiO233CVD-腔体清洗NF3三氟化氮纯度=99.9vol%气态kg/年1440CVD-腔体清洗34C2F6六氟乙烷六氟乙烷99%气态kg/年2420035CLF3三氟103、化氯CLF399%气态kg/年35036金属沉积（溅射）Ti 靶材Ti99%固态kg/年39/37Pt 靶材Pt99%固态kg/年19/38Co 靶材Co99%固态kg/年76/39Al 靶材AL 98%固态kg/年3498/40NiPt 靶NiPt固态kg/年15/41NiV 靶材Ni93%、V7%固态kg/年50/42TiW 靶材Ti10%、W90%固态kg/年30/43He 氦气氦气 99.99599.9999%气态kg/年171/44Ar 氩气Ar 99%气态kg/年1896/45H2氢气H2，6N气态kg/年24576/46高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/47金属104、沉积（蒸镀）Ag 粒Ag99%固态kg/年285蒸镀-Ag48Ni 粒Ni 99%固态kg/年166.5蒸镀-Ni49Ti 粒Ti 99%固态kg/年35.1蒸镀-Ti50Al 粒Al 99%固态kg/年22.5蒸镀-Al51晶振片晶振片固态盒/年600/52高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年974124/53热氧化DCE（C2H4Cl2）二氯乙烷C2H4Cl2二氯乙烷 100%液态kg/年34/54POCl3三氯氧磷POCl3浓度 99%液态kg/年31/3955H2氢气H2，6N气态kg/年6144/56O2氧气氧气，6N气态kg/年30123/57图形化光刻BARC 光刻胶1-甲氧基-105、2-丙醇 7590%;(S)-乳酸乙酯515%;聚合物固体 110%;交联剂15%;催化剂 6N气态kg/年3247080/71湿法刻蚀HNO3硝酸HNO3硝酸 6071%液态kg/年13500/72BOE 氟化铵腐蚀液氢氟酸 510%氟化氨 2030%水液态kg/年75070湿法刻蚀-SiO273压点腐蚀液NF4F1020%HAC 3550%+水液态kg/年553074H3PO4磷酸磷酸 8286%液态kg/年42262湿法刻蚀-SiNx75氨水NH4OH 2535%液态kg/年39312湿法刻蚀-SiNx 后SC1 碱洗4076过氧化氢H2O22060%液态kg/年1308277铝腐蚀液磷106、酸 5075%、醋酸 520%、硝酸 112%液态kg/年53700湿法刻蚀-Al/Co78混酸 4FHHNO360%NH4F 0.36%液态kg/年9585湿法刻蚀-Al 后清洗79镍银腐蚀液HNO31030%、乙酸 4060%液态kg/年17520湿法刻蚀-NiAg80氢氟酸HF4055%液态kg/年27216/81湿法去胶CO2二氧化碳CO299.899.99%气态kg/年1431刻蚀后水洗过程中通入82CH3COCH3丙酮CH3COCH3丙酮 99%液态kg/年24000/83NMPNMP C5H9NO 100%液态kg/年13788/84ANJICS1000C2H6OS 60-80%107、；NH4F 2%；HF 0.5%；H2O 25-35%液态kg/年27938/85EKC 光阻去除剂2-氨基乙醇 25-50%；异丙醇胺 10-40%；羟胺 10-25%；芳香族溶剂 2.5-10%；水 99%气态kg/年1298干法刻蚀-Al/TiN92C4F6C4F699%气态kg/年800干法刻蚀-SiO2/SiNx93C4F8氟化碳C4F899.5%气态kg/年1200干法刻蚀-SiO2/SiNx94CF4四氟化碳CF499%气态kg/年2430干法刻蚀-Si/SiO2/SiNx95CH2F2二氟甲烷二氟甲烷纯度99%气态kg/年35干法刻蚀-SiO2/SiNx4196CH3F 氟甲烷108、三氟甲烷，99%气态kg/年6干法刻蚀-SiO2/SiNx97CHF3三氟甲烷CHF399%气态kg/年420干法刻蚀-SiO2/SiNx/TiN/Al98Cl2氯气氯气99%气态kg/年3150干法刻蚀-Si/Al/Ti/TiN99CO 一氧化碳一氧化碳99%气态kg/年1446干法刻蚀-SiO2100HBr 溴化氢溴化氢99%气态kg/年2250干法刻蚀 Si101He 氦气氦气 99.99599.9999%气态kg/年855干法刻蚀-Al102SF6六氟化硫六氟化硫 99.899.9%气态kg/年10050干法刻蚀-Si、W103NF3三氟化氮纯度=99.9vol%气态kg/年2160干109、法刻蚀-SiNx104O2氧气氧气，6N气态kg/年90370/105高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年9741241/106干法去胶O2氧气氧气，6N气态kg/年271109/107高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/108N2-H2N2-4%H2气态kg/年725/109功能化离子注入AsH3砷烷砷化氢 99.9995%气态kg/年18/110BF3三氟化硼三氟化硼99.9%气态kg/年260/111PH3磷化氢磷化氢 99.9997%气态kg/年10/112Sb2O399.999%Sb2O3固态kg/年11/113Ar 氩气Ar 99%气态kg/年1896/114高纯 110、N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/115氙气 Xe氙气,99%气态kg/年12/116化学机械研磨DISK不锈钢+人工钻石固态个/年100/117P3 蓝毛刷尼龙固态个/年30/118研磨垫 S-padpad固态片/年2500/42119抛光垫 Supreme padpad固态片/年2500/120研磨液 D2000E(Oxide slurry)二氧化硅 25%氢氧化钾 0.6%水 74.4%液态kg/年10440/121研磨液 DSW2500(W slurry)二氧化硅 210%；水 9098%液态kg/年6600/122研磨液 NP6502(Poly slurry)二氧化硅 1111、020%；专用添加剂 210%；水 7088%液态kg/年10800/123氨水NH4OH 2535%液态kg/年39312/124过氧化氢H2O22060%液态kg/年10902/125高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/126氢氟酸HF4055%液态kg/年4536/127退火H2氢气H2，6N气态kg/年24576/128O2氧气氧气，6N气态kg/年90370/129高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年12988321/（二）硅片背面加工130湿法清洗湿法清洗811 腐蚀液HNO33445%、HF 1015%HAC 1825%液态kg/年163200/131211 腐蚀112、液H2SO46585%、HNO3110%HF 515%液态kg/年103320/132氢氟酸HF4055%液态kg/年4536/133高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年3247080/134湿法刻蚀镍银腐蚀液HNO31030%、乙酸 4060%液态kg/年4380湿法刻蚀-NiAg135IPA（异丙醇）IPA 99.5%液态kg/年87927/136减薄贴膜蓝膜Tape固态卷/年4460/137硅片减薄砂轮（粗）砂轮（粗）固态个/年72/138砂轮（细）砂轮（细）固态个/年96/139成膜金属沉积Ag 粒Ag99%固态kg/年665蒸镀-Ag140Ni 粒Ni 99%固态kg/年388.5蒸113、镀-Ni141Ti 粒Ti 99%固态kg/年81.9蒸镀-Ti43142Al 粒Al 99%固态kg/年52.5蒸镀-Al143晶振片晶振片固态盒/年1400/144高纯 N2氮气N2，6N气态kg/年2272956/（三）设备和备件清洗145清洗清洗过氧化氢H2O22060%液态kg/年1454/146氢氟酸HF4055%液态kg/年2268/147盐酸HCl3037%液态kg/年2772/148HNO3硝酸HNO3硝酸 6071%液态kg/年1500/（四）测试149测试测试90%Ar-CH490%Ar-CH4气态kg/年29/150Ink墨水液态kg/年96/44表表 2.1-6本项目114、主要能资源消耗一览表本项目主要能资源消耗一览表序号序号名称名称规格规格单位单位年使用量年使用量来源来源1电力KVA万 KWh/a133572自来水0.2MPam3/d7478.2市政自来水供应3纯水/m/h160自建纯水站供应4冷却水PCWm3/h2000自建动力站供应（可内循环使用）5天然气/Nm3/h36市政天然气管网（local scrubber 及 EPI 使用）/Nm3/h731市政天然气管网（备用锅炉使用，仅在启用备用锅炉才涉及）/Nm3/h99市政天然气管网（沸石转轮使用）6蒸汽/t/h11低压蒸汽7工艺真空/Nm3/h3200公司内真空站8压缩空气/Nm3/h5500大宗气体站115、9氮气/Nm3/h2600大宗气体站10高纯氮气/Nm3/h2400大宗气体站11高纯氢气/Nm3/h100大宗气体站12高纯氧气/Nm3/h130大宗气体站13高纯氩气/Nm3/h80瓶装供应14高纯氦气/Nm3/h25瓶装供应2.1.6 主要原辅料中与污染排放有关的物质或元素主要原辅料中与污染排放有关的物质或元素本次环评对项目使用物料中，用量较大或者毒性较大的物料，如氟、氮、氯、磷、镍、银、钴、钒、砷、有机物、硫酸、硅烷等物质或元素进行物料平衡分析，物料平衡如下。451、氟氟平衡平衡图图 2.1-1 氟平衡图（单位：氟平衡图（单位：kg/a）462、氮氮平衡平衡图图 2.1-2 氮平衡图（116、单位：氮平衡图（单位：kg/a）473、氯氯平衡平衡图图 2.1-3 氯平衡图（单位：氯平衡图（单位：kg/a）484、磷磷平衡平衡图图 2.1-4 磷平衡图（单位：磷平衡图（单位：kg/a）495、镍镍平衡平衡图图 2.1-5 镍平衡图（单位：镍平衡图（单位：kg/a）506、钛钛平衡平衡图图 2.1-6 钛平衡图（单位：钛平衡图（单位：kg/a）517、银银平衡平衡图图 2.1-7 银平衡图（单位：银平衡图（单位：kg/a）528、钴钴平衡平衡图图 2.1-8 钴平衡图（单位：钴平衡图（单位：kg/a）539、钒钒平衡平衡图图 2.1-9 钒平衡图（单位：钒平衡图（单位：kg/a）5410117、砷砷平衡平衡图图 2.1-10 砷平衡图（单位：砷平衡图（单位：kg/a）5511、挥发性有机物挥发性有机物平衡平衡表表 2.1-7 挥发性有机物平衡表挥发性有机物平衡表产排污环节物料名称挥发性有机物含量年用量 kgVOCS浓度比例取值%VOCS含量kg/aVOCS进入废液VOCS进入废水VOCS进入废气比例%含量kg/a比例%含量kg/a比例%含量kg/a光刻BARC光刻胶1-甲氧基-2-丙醇 75-90%;68290614804910020123EBR边胶清洗剂丙二醇单甲醚醋酸酯99%17557010017557090158013001017557HMDS增粘剂(CH3)3SiNHSi(118、CH3)3六甲基二硅胺 100%154510015451015500901391PR 光阻（光刻胶）丙二醇甲醚乙酸酯 6090%220849019876458944407950152981TMAH 正胶显影液C4H13NO 四甲基氢氧化铵23%1296003388800983810278湿法去胶CH3COCH3丙酮CH3COCH3丙酮 99%240009923760902138400102376NMPNMP C5H9NO100%137881001378885117201013795689ANJICS1000C2H6OS60-80%；27938802235090201155111851118EK119、C光阻去除剂2-氨基乙醇25-50%；异丙醇胺 10-40%；羟胺10-25%；芳香族溶剂 2.5-10%；642001006420090577805321053210干燥洗IPA（异丙醇）IPA 100%175854100175854601055122441765162857656图图 2.1-11 有机物平衡图（单位：有机物平衡图（单位：kg/a）5712、硫酸硫酸平衡平衡图图 2.1-12 硫酸平衡图（单位：硫酸平衡图（单位：kg/a）13、硅烷硅烷平衡平衡58图图 2.1-13 硅烷平衡图（单位：硅烷平衡图（单位：kg/a）2.1.7 水平衡水平衡本项目用水主要包括生产用水和生活用水，120、其中生产用水主要包括 W1 酸碱废水、W2 含氟废水、W3 高浓度氨氮废水、W4 含氨废水、W5 有机废水、W6 含磷废水、W7 氟化氨废水、W8 普通金属化废水（含 Al 和磷）、W9 含镍废水、W10 含钴废水、W11 研磨废水、W12 含镍银废水、W13 含镍钒废水、W14 含钛钨银废水、W15酸性废气洗涤塔排水、W16 碱性废气洗涤塔排水、W17 POU 洗涤塔排水、W18 纯水制程排水（RO 浓水）、W19 纯水机反冲洗水、W20 冷却塔排水、W21 冷冻水排水等。本项目水平衡主要依据企业设计资料、同类项目的用水、排水情况核算。全厂水平衡详见图 2.1-14。59图图 2.1-14 121、水平衡图水平衡图602.1.8 劳动定员及工作制度劳动定员及工作制度本项目劳动定员 800 人，三班制生产，年工作 365 天。2.1.9 厂区平面布置厂区平面布置本项目位于xx省xx市xx区前进街道，地块东至建一路，南至xx七路，西至空地，北至xx二路规划绿化，占地面积 47068m2（70.6 亩），总建筑面积 115733.35m2。厂区平面布局按照功能分区明确、工艺流程顺畅、物流运输短捷、交通组织安全、公用动力系统经济实用的原则布置。厂区内厂房建设、工艺、生产辅助设施、办公生活设施、厂区道路、绿化、管网系统等均满足项目生产纲领要求。厂区建筑物功能分区明确，建筑物布局合理。在整体设计上，122、考虑到了人员分流，人货分流，管控人员进入区域，避免了人流、车流路线的相互交叉，提高企业的安全系数。建筑物布局与开发区整体规划协调一致，并符合国家及地方各项相关的设计法规和规范。注重厂区环境、绿化、美化。满足消防、防震、xx、职业安全卫生及城市规划部门的要求。厂区建筑物包括：FAB 厂房，动力站，丙类库，甲类库，氢气站，硅烷站，主门卫，连廊，生产车间及地下车库。总图采取分区布置的原则，将厂区分为生产区、生产支持区，各区域功能划分明确。将生产厂房（FAB 厂房和生产车间）布置于厂区中部，动力站位于生产厂房西侧，丙类库，甲类库，氢气站，硅烷站及大宗气站等辅助设施位于生产厂房北侧，对生产区形成良好的支123、持。厂区东侧、西侧及南侧布置机动车停车场，北侧设置非机动车停车区。厂区共设置 2 个出入口。其中厂区南侧中间为主门卫室为生产、办公区主要人流出入口，物流出入口主要布置在厂区西南角。项目主要经济技术指标汇总如下表 2.1-8 和表 2.1-9，厂区平面布置图见附图 4。表表 2.1-8 新建厂房技术经济指标新建厂房技术经济指标序号指标名称单位指标规划1项目总用地面积m2470682项目总建筑面积m2115733.353地上建筑面积m2103590.96614地下建筑面积m212142.395计容建筑面积m2103590.966容积率2.20大于 2.27绿地面积m210429.898绿地率%22124、.16大于 20%9建筑基底面积m224218.0310建筑密度%51.4511非生产性用房占地面积m2012非生产性用房占地面积占比%013非生产性用房建筑面积m2014非生产性用房建筑面积占比%015机动车位车位个42816地上机动车位个13517地下机动车位个29318非机动车位个793表表 2.1-9 主要建筑物指标主要建筑物指标序号名称总建筑面积（m2）建筑基底面积（m2）建筑高度（m）火灾危害性备注1FAB 厂房15556.9163253.3630.05丙类/其中核心区9580.7938323.15/丙类/检测车间2254.3211271.6/丙类/动力辅房2482.612319.125、4/丙类/化学品区1339.21339.2/丙类/2动力站4254.1221270.624.3丁类/3生产车间25201368027.7丙类/其中生产车间 11080648027.7丙类/生产车间 21080648027.7丙类/生产车间 33607208.6丙类/4丙类库900450024.1丙类合生活垃圾用房 127m25甲类库4504506.7甲类/6氢气站2522526.5甲类/7硅烷站1201205.8甲类/8主门卫65654.5民用建筑/62工艺流程和产排污环节2.2 营运期工程分析营运期工程分析2.2.1 集成电路产业链集成电路产业链生产工艺生产工艺集成电路是通过一定的工艺技术，126、将一些元器件（如晶体管、电阻、电容等）制作在一块晶片上，并在相互之间接线，做成电路，能实现一定功能的电子器件。集成电路的生产是一个非常复杂而又精密的系统工程，完整的集成电路产业链包括“产品设计（含掩膜设计）-晶圆制造-芯片封装”三大块。本项目主要是晶圆制造，晶圆制造也称之为芯片制造，其生产过程中需要用到氧化，扩散，退火，离子注入，光刻，干法刻蚀，湿法刻蚀，干法去胶，湿法去胶，湿法清洗，介质沉积，金属沉积，化学机械研磨，硅片减薄，贴揭膜，电学测试等工序，简化的产业链工艺流程见下图 2.2-1。63图图 2.2-1 集成电路产业链简化工艺流程图集成电路产业链简化工艺流程图产品设计产品设计理论设计电127、路设计图形设计硅片制造流程（本项目）硅片制造流程（本项目）工艺流程芯片封装芯片封装划片封装键合塑封性能测试晶圆产品湿法清洗湿法去胶干法去胶湿法刻蚀氧化扩散退火干法刻蚀离子注入光刻金属沉积电学测试贴揭膜硅片减薄化学机械研磨介质沉积外延沉积原材料原材料硅片气体化学品金属其它光刻版642.2.2 芯片芯片生产工艺生产工艺及产污环节分析及产污环节分析本项目芯片生产工艺流程图如下图 2.2-2。图图 2.2-2 芯片生产工艺流程图芯片生产工艺流程图65工艺流程和产排污环节2.2.2.1 清洗工序简介及产污清洗工序简介及产污环节分析环节分析清洗工序包括硅片的清洗和工器具的清洗。集成电路芯片对沾污非常敏感，128、为了使得芯片上的器件功能正常，沾污物必须通过清洗去除。硅片清洗的目的是清除所有表面沾污，包括尘埃颗粒、有机物残留薄膜、吸附在表面的金属离子和自然氧化层等。本项目采用槽式清洗，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，用纯水反复清洗，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励。工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。清洗过程中使用的主要药液为纯水、硫酸，盐酸，氨水、氢氟酸及双氧水等。清洗工序具体工艺参数见表 2.2-1。表表 2.2-1清洗工序工艺参数表清洗工序工艺参数表清洗工艺药液槽工艺参数清洗槽工艺参数药液配比温度工艺时间min129、药液槽数量药液槽大小水槽数量水槽大小工艺时间min水洗次数SPM清洗硫酸：过氧化氢5:11205150L130L88DHF清洗氢氟酸：超纯水1:100常温3150L130L86SC1碱洗氨水：过氧化氢：超纯水1:2:1040605150L130L88SC2酸洗盐酸：过氧化氢：超纯水1:1:5040605150L130L88具体工艺流程及产污环节见图 2.2-3。66备注：部分产品只会用备注：部分产品只会用 SPM+DHF+SC1 或者或者 DHF+SC1 的药液槽配置的药液槽配置图图 2.2-3 硅片清洗硅片清洗生产工艺流程图生产工艺流程图及产污环节图及产污环节图2.2.2.2 成膜工序成膜工130、序生产工艺流程及产污环节分析生产工艺流程及产污环节分析1、化学气相沉积工艺流程及产物环节分析、化学气相沉积工艺流程及产物环节分析化学气相沉积（CVD）是通过气态物质的化学反应在硅晶圆片表面淀积一层固态薄膜材料的工艺。化学气相沉积是以适当的流速将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面淀积薄膜的过程。化学气象沉积反应过程见下图 2.2-4。67图图 2.2-4 化学气相沉积过程图化学气相沉积过程图其中各过程叙述如下：（a）反应物已扩散通过界面边界层；（b）反应物吸附在基片的表面；（c）化学沉积反应发生；（d）部分生成物已扩散通过界面边界层；（e131、）生成物与反应物进入主气流里，并离开系统。本项目化学气象沉积相关工序简介见下表。本项目采用 CVD 工艺的制层主要有多晶硅（Si）层、二氧化硅（SiO2）层、氮化硅（Si3N4）层、金属钨（W）层和氮化钛层（TiN）。本项目 CVD 工序简介见下表 2.2-2，具体工艺流程及产污环节见图 2.2-5 至 2.2-10。表表 2.2-2CVD工艺简介工艺简介工工 序序简简介介加入硅片在洁净的生产车间内，机械手从硅片箱中取出硅片并置于化学气相沉积设备中。一次抽真空关闭化学气相沉积设备仓门，打开设备自带真空泵进行抽真空操作。多晶硅（Si）沉积采用 LPCVD 工艺，在 580650 下，在稀释气体 132、Ar 作用下，在反应室中通过热分解硅烷的形式，实现在硅片基板上沉积一层多晶硅的过程。主要化学反应式为：SiH4 Si+2H2。在沉积过程，加入 PH3、B2H6，以实现在 Si 中掺入。其中 SiH4参与反应占比约 40%；1%PH3-He、1%PH3-N2、5%PH3-He、5%B2H6-N2、5%PH3-N2参与反应占比约 10%。二氧化硅（SiO2）沉积采用 LPCVD 及 PECVD 工艺，在硅基板上沉积反应生成二氧化硅（SiO2）薄膜，SiO2沉积的主要原理分为 3 种情况。主要化学反应式为：（1）SiH4+2N2O SiO2+2 N2+2 H2（2）3SiH2Cl2+2N2O Si133、O2+2HCl+2N2（3）Si(OC2H5)4+12O2SiO2+8CO2+12H2O在沉积过程中，加入 SiF4、TEPO、TEB，以实现在 SiO268中的掺入 F、C、P 和 B。其中 SiH4、N2O 参与反应占比约40%。氮化硅（Si3N4）沉积采用 LPCVD 及 PECVD 工艺，在硅基板上沉积反应生成氮化硅（Si3N4）薄膜，Si3N4沉积分为 2 种情况。主要化学反应式为：（1）3SiH4+4 NH3 Si3N4+12 H2（2）3SiH2Cl2+4 NH3 Si3N4+6HCl+6H2在沉积过程中，加入 SiH(CH3)3，以实现在 SiO2中的掺入 C。其中 SiH4参134、与反应占比约 40%。金属钨（W）沉积采用 LPCVD 工艺，在约 300 下，在化学气象沉积腔体内 WF6与 Si 发生还原反应，生成金属钨沉积层，W 沉积分为3 种情况。其中 SiH4参与反应占比约 40%，WF6参与反应占比约 50%。（1）2WF6+3Si2W+3SiF4（2）WF6+3H2W+6HF（3）2WF6+3SiH42W+3SiF4+6H2氮化钛（TiN）沉积采用 LPCVD 工艺，在硅基板上沉积反应生成氮化钛薄膜：C8H24N4Ti TiN+C+H二次抽真空化学气象沉积完成后，将化学气相沉积设备内再次进行抽真空，以使腔体清洁。开仓、机械手取硅片设备自动开启仓门后，机械手取出135、硅片，并将其放入硅片箱中，通过高架式晶片传送车输送至下一步工序。腔体清洁由于 CVD 过程中气体管路及 PECVD 的炉腔内会附有 Si、SiO2、Si3N4等废物，会影响 CVD 机的使用。因此 CVD 工序完成一次沉积后，向其中通入 C2F6、NF3、ClF3分别进行腔体清洁，C2F6、NF3、ClF3参与反应占比约 40%，腔体清洁发生的代表化学反应方程式为：SiO2+NF3 SiF4+2NOx；3SiO2+2C2F63SiF4+2CO+2CO2；4Si+4ClF3 SiF4+3SiCl4；图图 2.2-5 多晶硅（多晶硅（Si）沉积）沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图69图图136、 2.2-6 二氧化硅二氧化硅(SiO2)沉积沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图图图 2.2-7 氮化硅氮化硅(Si3N4)沉积沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图70图图 2.2-8 金属钨金属钨(W)沉积沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图图图 2.2-9 氮化钛氮化钛(TiN)沉积沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图71图图 2.2-10 CVD 设备腔体清洁设备腔体清洁工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图2、硅外延工艺流程及产物环节分析、硅外延工艺流程及产物环节分析硅外延（Epitaxy）生长意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同137、晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。硅的化学气相沉积外延生长其原理是在高温（1100）的衬底上输送硅的化合物（SiHCl3或 SiCl4或 SiH2Cl2等）利用氢（H2）在衬底上通过还原反应析出硅的方法。同时外延生长的重要特征之一是可以用任意浓度和导电类型的硅衬底上认为的故意地进行掺杂，以满足器件花样众多的要求。气相外延生长过程包括：a.反应剂（SiH2Cl2或 SiHCl3+H2）气体混合物质量转移到衬底表面；b.吸收反应剂分子在表面上（反应物分子穿过附面层向衬底表面迁移）；c.在表面上进行反应或一系列反应；d.释放出副产物分子；e.副产物分子向主气流质量转移（排外）；f.原子138、加接到生长阶梯上。硅外延生产工艺流程见下图 2.2-11。72图图 2.2-11 硅外延生长硅外延生长工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图3、热氧化工艺流程及产物环节分析、热氧化工艺流程及产物环节分析采用热氧化的方式生长 SiO2，通常通入 O2来使硅片表面达到氧化的效果（干氧），也会使用 H2O 合成通入水汽（H2O）来提升氧化的速率（湿氧）。同时会加入少量的氯（通常使用 DCE 二氯乙烷 C2H4Cl2）来中和界面处的电荷堆积，同时可以更好的提升氧化速率，捕获可动离子沾污。热氧化的方式生长 SiO2的反应方程式如下：干氧：Si+O2SiO2湿氧：Si+2H2OSiO2+2H273图图 139、2.2-12 热氧化热氧化(SiO2)工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图4、金属化、金属化(PVD)相关工序简介及产污环节分析相关工序简介及产污环节分析PVD 全称 Physical Vapor Deposition，中文全称为物理气相沉积，是在真空条件下，采用物理方法将靶材（可为金属、金属合金）气化成气态分子、原子或部分电离成离子，并通过气相过程在衬底上沉积一层具有特殊性能的薄膜技术。PVD 沉积基本过程：（1）从原材料中发射粒子（通过蒸发、升华、溅射和分解等过程）；（2）粒子输运到基片（粒子间发生碰撞，产生离化、复合、反应，能量的交换和运动方向的变化）；（3）粒子在基片上凝结、成核、140、长大和成膜。PVD 的分类：真空溅射镀膜、真空蒸发镀膜以及真空离子镀膜，本项目主要采用真空溅射镀膜和真空蒸发镀膜的方式。（1）溅射溅射真空溅射镀膜是指，在真空室中，利用荷能粒子轰击靶材表面，使表面原子获得足够大的动能而脱离表面最终在基片上沉积形成薄膜的技术。真空溅射镀膜示意图如下图 2.2-13。74图图 2.2-13 真空溅射镀膜示意图真空溅射镀膜示意图真空溅射镀膜相关工序简介见下表 2.2-2。采用 PVD 工艺的制层主要有氮化物层（包括 TiN 层）、金属层（金属 Pt 层、金属 Co 层、金属 Al 层、金属NiPt 等层次）。不同类型溅射层生产工艺流程及产污环节如下图 2.2-14 141、至2.2-20。表表 2.2-3溅射相关溅射相关工艺简介工艺简介工序工序简介简介投片在洁净的生产车间内，机械手从硅片箱中取出硅片，开启阀门，将其送入 PVD 机台的缓冲区中。缓冲区抽真空关闭 PVD 机台仓门，打开设备带真空泵对缓冲区进行抽真空操作。完成后打开仓门，将硅片送入 PVD 机台内。氮化钛（TiN）层沉积通入介质气体及反应气体关闭真空泵，打开介质气体及反应气体进气阀，向真空镀膜机内分别通入氩气（Ar）和氮气（N2）。氮化钛（TiN）沉积真空状态下，在钛质靶材上加负高压，以氩气（Ar）为介质气体，氮气（N2）为反应气体。通过气体辉光放电，产生氩离子，在正交电场和磁场的作用下，在靶面附近142、形成高密度的等离子区，氩离子撞击带负高压的靶面，溅射出钛粒子，钛粒子同时与氮气反应生成氮化钛，并沉积在硅片表面，从而形氮化钛膜层。金属铂（Pt）层沉积通入保护气关闭真空泵，打开保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。金属铂（Pt）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。金属钴（Co）层沉积通入保护气关闭真空泵，打开保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子143、。金属钴（Co）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。75金属铝（Al）层沉积通入保护气关闭真空泵，打开保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。金属铝（Al）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。金属镍铂（NiPt）层沉积通入保护气关闭真空泵，打开保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒144、子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。金属镍铂（NiPt）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。金属镍钒（NiV）沉积通入保护气关闭真空泵，打开保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。金属镍钒（NiV）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。金属钛钨（TiW）沉积通入保护气关闭真空泵，打开145、保护气体进气阀，向真空镀膜机内通入氩气。溅射用的轰击粒子通常是带正电荷的惰性气体离子，用得最多的是氩离子。金属钛钨（TiW）沉积阴阳极通电，在高真空电场作用下，使氩电离后，氩离子在电场加速下获得动能轰击靶极，使靶材的原子或分子逸出。逸出的原子或分子飞向硅片，在硅片表面沉积成膜。缓冲区抽真空溅射完成后，将硅片送入 PVD 机台缓冲区内，并将缓冲区再次进行抽真空，以使其清洁。开仓、机械手取硅片设备自动开启仓门后，机械手取出硅片，并将其放入硅片箱中，通过高式晶片传送车输送至下一步工序。靶材根据消耗情况定期进行更换。图图 2.2-14 氮化钛（氮化钛（TiN）层沉积）层沉积工艺流程及产污环节图工艺流程146、及产污环节图76图图 2.2-16 金属钴（金属钴（Co）层沉积工艺流程及产污环节图）层沉积工艺流程及产污环节图77图图 2.2-17 金属金属 Al 层沉积工艺流程及产污环节图图层沉积工艺流程及产污环节图图 2.2-18 金属镍铂（金属镍铂（NiPt）层沉积工艺流程及产污环节图）层沉积工艺流程及产污环节图78图图 2.2-19 金属金属 TiW 层沉积层沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图图图 2.2-20 金属金属 NiV 层沉积层沉积工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图PVD 工序无工艺尾气及废水产生，该工序仅会产生一定量的废靶材。（2）蒸镀蒸镀蒸镀是在真空条件下，采用一定的147、加热蒸发方式蒸发镀膜材料（或称膜料）并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。蒸镀的物理过程包括：沉积材料蒸发或升华为气态粒子气79态粒子快速从蒸发源向基片表面输送气态粒子附着在基片表面形核、长大成固体薄膜薄膜原子重构或产生化学键合。将基片放入真空室内，以电阻、电子束、激光等方法加热膜料，使膜料蒸发或升华，气化为具有一定能量（0.10.3eV）的粒子（原子、分子或原子团）。气态粒子以基本无碰撞的直线运动飞速传送至基片，到达基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并发生表面扩散，148、沉积原子之间产生二维碰撞，形成簇团，有的可能在表面短时停留后又蒸发。粒子簇团不断地与扩散粒子相碰撞，或吸附单粒子，或放出单粒子。此过程反复进行，当聚集的粒子数超过某一临界值时就变为稳定的核，再继续吸附扩散粒子而逐步长大，最终通过相邻稳定核的接触、合并，形成连续薄膜。真空蒸镀生产工艺流程及产污环节如下图 2.2-21。图图 2.2-21 真空蒸镀真空蒸镀工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图蒸镀工序无工艺尾气及废水产生，该工序仅会产生一定量的废靶材。2.2.2.3 图形化工序图形化工序生产工艺流程及产污环节分析生产工艺流程及产污环节分析光刻技术的构想源于印刷技术中的照相制版技术。一次掩膜光刻过149、程通常包括：涂胶、曝光、显影、刻蚀、去胶等工艺步骤，详细流程如下图 2.2-22。80图图 2.2-22 光刻过程示意光刻过程示意图图1、涂胶、曝光、显影工序工艺流程及产物环节分析、涂胶、曝光、显影工序工艺流程及产物环节分析涂胶、曝光、显影 3 个工序主要在黄光区进行。由于晶圆制造过程中会使其表面沾上杂质颗粒及自然氧化层等。为使晶圆表面与光刻胶形成良好的接触，因此在涂胶前需对 Wafer 表面进行清洗。上述相关工序简介见下表，其产工艺流程及产污环节见下图 2.2-23。表表 2.2-4清洗、涂胶、曝光、显影清洗、涂胶、曝光、显影相关相关工艺简介工艺简介工工 序序简简 介介加入硅片在洁净的生产车150、间内，机械手从硅片箱中取出硅片并置于清洗设备内。涂胶采用旋转涂胶的方式，将光刻胶及稀释剂涂在硅片表面。主要步骤为：（1）滴胶：将晶圆固定在涂胶机旋转盘上，在晶圆静止或转速很慢的时候，将光刻胶滴至晶圆表面的中心位置；（2）旋转铺开：将旋转盘迅速加速至 30005000r/min 的转速，利用高速旋转时的离心力使光刻胶展开在 wafer 表面；（3）甩胶：降低转速，使多余的光刻胶飞出晶圆表面，在晶圆表面得到均匀的光刻胶膜覆盖层；（4）溶剂挥发：由于光刻胶中的溶剂会影响光刻胶的感光性及黏附性等，所以均匀的光刻胶形成后，需机械旋转晶圆，直至溶剂挥发、光刻胶膜干燥。涂胶过程中，硅片背面采用 EBR（去胶151、液）对硅片背面进行清洗，以避免光刻胶的粘附。前烘涂胶完成后，仍有一定量的溶剂残留在胶膜内，若直接曝光，会影响图形的尺寸及完好率。故涂胶后要经过一个高温加热的步骤，即前烘。其目为使胶膜内的溶剂挥发，增加光刻胶与衬底间黏附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶过程胶膜内产生的应力等。81曝光使掩膜版与涂上光刻胶的基片对准，用光源经过掩膜版照射基片，使接受光照的光刻胶的光学特性发生变化，即曝光。曝光后烘烤曝光后的 Wafer 采用热板烘烤法烘烤约 12min，烘焙温度为 90130，从而减少光刻胶中溶剂的含量及爆光区与非爆光区的边界变得比较均匀。显影即用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜版上的图形转移到152、光刻胶上。清洗采用超纯水清洗的方式对显影后的硅片进行表面清洗，清洗废水进入相应的废水处理系统进行处理。坚膜坚膜即对显影后的基片进行烘烤。以使残留的光刻胶溶剂全部挥发，提高光刻胶与 Wafer 表面的黏附性以及光刻胶的抗腐蚀能力，使光刻胶能确实起到保护图形的作用，为下一步刻蚀做好准备。图图 2.2-23 硅片涂胶、曝光及显影硅片涂胶、曝光及显影工艺流程图工艺流程图及产污环节图及产污环节图2、刻蚀工序工艺流程及产物环节分析、刻蚀工序工艺流程及产物环节分析在光刻工艺中，经过曝光和显影后，光刻胶薄膜层中形成了微图形结构，为获得器件的结构，需要通过刻蚀，在光刻胶下面的材料上重现光刻胶层上的图形，实现图形153、的转移。集成电路工艺中应用的刻蚀技术主要包括液态的湿法刻蚀和气态的干法刻蚀两大类。1）湿法刻蚀：通过特定的溶液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应，除去82光刻胶未覆盖区域的薄膜，称为湿法刻蚀。2）干法刻蚀：干法刻蚀是指利用等离子体激活的化学反应或者利用高能离子束轰击完成去除物质的方法。由于在刻蚀中不使用液体，故称为干法刻蚀。湿法刻蚀和干法刻蚀示意图见下图 2.2-24。图图 2.2-24 湿法刻蚀和干法刻蚀示意图湿法刻蚀和干法刻蚀示意图（1）湿法刻蚀湿法刻蚀湿法刻蚀相关工序简介见下表，其产污工艺流程及产污环节如下图所示。湿法刻蚀后，对硅片表面进行清洗，以去除附着的杂质、颗粒及金属离子。最后采 用154、异丙醇进行干燥洗，以去除硅片表面的水分。表表 2.2-5湿法刻蚀湿法刻蚀相关相关工艺简介工艺简介工序简介加入硅片在洁净的生产车间内，机械手从晶片盒中将硅片放置于湿法刻蚀设备中。多晶硅（Si）湿法刻蚀依次采用硝酸+超纯水及氢氟酸+超纯水的方式，先将Si 氧化成SiO2然后再通过氢氟酸与 SiO2发生反应生成H2SiF6，从而达到刻蚀多晶硅的目的。主要化学反应式为：（1）多晶硅氧化成SiO2：Si+4HNO3SiO2+2H2O+4NO2；3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O；2NO2+H2O=HNO2+HNO3；Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O；4HNO3+NO+H2O=6155、HNO2；（2）去除SiO2：SiO2+4HF=SiF4+2H2O；SiF4+2HF=H2SiF6；SiO2+6HF=H2SiF6+H2O；83二 氧 化硅（SiO2）湿 法 刻蚀SiO2的湿法刻蚀采用氢氟酸来完成，由于刻蚀速率太高，工业难以控制，故在实际过程中将加入氟化铵的稀释剂，以避免氟化物离子的消耗，保持稳定的刻蚀速率。其反应方程式如下：SiO2+4HF=SiF4+2H2O；SiF4+2HF=H2SiF6；SiO2+6HF=H2SiF6+H2O；氮化硅（Si3N4）湿 法 刻蚀由Si3N4的化学性质比较稳定，氢氟酸对其刻蚀效率很慢。故通常利用180下浓度为80%的磷酸来进行氮化硅的刻蚀。156、其反应方程如下：Si3N4+6H2O3SiO2+4NH3（H3PO4催化）SiO2+2H2OSi(OH)4（H3PO4催化）铝（AL）湿法刻蚀使用铝刻蚀液（主要成分为 HNO3，H3PO4，HAC（CH3COOH）来做 AL金属的刻蚀，其反应方程式为：Al+6HNO3=Al(NO3)3+3NO2+3H2O金属铂（Pt）湿法刻蚀使用 HNO3和 HCL 的混合物来做 Pt 金属湿法刻蚀的刻蚀液，其反应方程式为：3Pt+4HNO3+18HCl=3H2PtCl6+4NO+8H2O金属钴（Co）湿法刻蚀Co 刻蚀常常使用 AL 腐蚀液（H3PO4,C2H4O2,HNO3）或者SPM（H2SO4,H2O157、2）来刻蚀Co，其反应方程式为：3Co+8HNO33Co(NO3)2+4H2O+2NO2或者Co+H2SO4=COSO4+H2金属镍铂（NiPt）湿 法 刻蚀使用 HNO3和 HCL 的混合物来做 NiPt 金属湿法刻蚀的刻蚀液，其反应方程式为：3Pt+4HNO3+18HCl=3H2PtCl6+4NO+8H2O3Ni+2HNO3+12HCl=3H2NiCl4+2NO+4H2O镍银(NiAg)湿法刻蚀使用镍银刻蚀夜（主要成分为 HNO3和乙酸）来刻蚀镍银金属，其反应方程式为：镍银刻蚀：3Ag+4H+NO3-=3Ag+NO+2H2O3Ni+8H+2NO3-=3Ni2+2NO+4H2O金属钛(Ti)158、湿法刻蚀使用 HF 来刻蚀钛金属，其反应方程式为：钛刻蚀：Ti+4H+6HF2-=TiF62-+2H2+6HF金属镍钒（NiV）湿法刻蚀使用 HNO3来做 NiV 金属湿法刻蚀的刻蚀液，其反应方程式为：2V+2H+5NO3-=2VO2+5NO+H2O3Ni+8H+12NO3-=3Ni2+2NO+4H2O金属钛钨（TiW）湿法刻蚀使用 H2O2来做 TiW 金属湿法刻蚀的刻蚀液，其反应方程式为：Ti+3H2O2=TiO（H2O2）2+2OH-+H2OW+3H2O2=H2WO4+2H2O84干燥洗采用异丙醇对清洗后的硅片表面干燥洗，从而使异丙醇带走硅片上残留的水分。图图 2.2-25 多晶硅（多晶159、硅（Si）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-26 二氧化二氧化硅（硅（SiO2）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-27 氮化氮化硅（硅（Si3N4）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图85图图 2.2-28 铝铝（AI）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-29 铂（铂（Pt）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-30 钴（钴（Co）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图86图图 2.2-31 镍铂（镍铂（NiPt160、）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-32 镍镍银银（NiAg）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-33 钛钛（Ti）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图87图图 2.2-34 镍镍钒钒（NiV）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-35 钛钨钛钨（TiW）湿法刻蚀工艺流程及产污环节图湿法刻蚀工艺流程及产污环节图（2）干法刻蚀干法刻蚀干法刻蚀工艺的制层主要有多晶硅（Si）层、二氧化硅（SiO2）层、氮化硅（Si3N4）层、金属钨（W）层、金属铝（Al）层、金属钛层和氮化钛（T161、iN）层。干法刻蚀相关工序简介见下表 2.2-6，其产工艺流程及产污环节如下图2.2-36 至 2.2-42。表表 2.2-6 干法干法刻蚀刻蚀相关相关工艺简介工艺简介工工序序简简介介加入硅片在洁净的生产车间内，机械手从晶片盒中将硅片放置于干法刻蚀设备中。抽真空关闭干法刻蚀设备仓门，打开设备自带真空泵进行抽真空操作。多晶硅（Si）干法刻蚀采用 HBr、Cl2、SF6、CF4气体产生等离子体与待刻蚀多晶硅层发生反应，从而将多晶硅刻蚀掉。其中 HBr、Cl2、SF6、CF4参与反应占比约 40%，主要方程式如下：（1）Cl22Cl；Si+2Cl SiCl2；SiCl2+2Cl SiCl4（2）Si162、+HBr SiBr4+H；（3）SF62F+SF4；Si+4F SiF4；Si+SF4 S+SiF4（4）CF42F+CF2；CF4F+CF3；Si+4F SiF488二氧化硅（SiO2）干法刻蚀采用 CF4、CHF3、C4F8、CH2F2、C4F6、CH3F、CO 的混合气体产生等离子体与待刻蚀二氧化硅层发生反应。其中 CF4、CHF3、C4F8、CH2F2、C4F6、CH3F 参与反应占比约 40%。以 CF4和 CHF3为例主要化学反应式为：CF42F+CF2；CF4F+CF3；CHF3F+CHF2；CHF3H+CF3；SiO2+4F SiF4+2O；SiO2+2CF2 SiF4+2CO163、氮化硅（Si3N4）干法刻蚀采用 CF4、CHF3、C4F8、CH2F2、C4F6、CH3F、NF3的混合气体产生等离子体与待刻蚀氮化硅层发生反应。其中 CF4、CHF3、C4F8、CH2F2、C4F6、CH3F、NF3参与反应占比约 40%。以 CF4、CHF3和 NF3为例主要化学反应式为：CF42F+CF2；CF4F+CF3；CHF3F+CHF2；CHF3H+CF3；NF33F+N；Si3N4+F SiF4+N2金属钨（W）干法刻蚀项目使用 SF6来进行钨金属钨的刻蚀，SF6解离形成的含氟原子团轰击刻 蚀金属钨薄膜，形成挥发性化合物 WF6，排出刻蚀室。其中 SF6参与反应占比约 40%164、。SF62F+SF4；W+6FWF6金属铝（Al）干法刻蚀铝的刻蚀较一般金属复杂，因为铝在常温下表面极易氧化生成氧化铝，氧 化铝将阻碍刻蚀的正常进行，故金属铝刻蚀分为两步：（1）去除自然氧化层：向腔体中通入 BCl3，BCl3可将自然氧化层还原，以保证刻蚀的正常进行。同时 BCl3还容易与 O2和 H2O 反应，可有效吸收反应腔中的 O2和 H2O，从而降低氧化铝的生成速度。其中 BCl3参 与 反 应 占 比 约 40%，其 反 应 方 程 如 下：Al2O3+3BCl33BOCl+AlCl3；（2）金属铝刻蚀：使用 C2H4、HCl、Cl2、H2/N2的混合气体产生等离子体与待刻蚀铝层发生165、反应，从而达到对金属铝进行刻蚀的目的。其中 C2H4、HCl、Cl2参与反应占比约 40%。Cl22Cl；Al+3Cl AlCl3；2Al+6HCl3H2+AlCl3；金属钛（Ti）干法刻蚀使用 Cl2来进行金属 Ti 的刻蚀：Cl22Cl；Ti+ClTiCl3其中 Cl2参与反应占比约 40%。氮化钛（TiN）干法刻蚀使用 BCl3、Cl2、CHF3的混合气体来进行氮化钛的刻蚀。其中 BCl3、Cl2、CHF3参与反应占比约 40%。Cl22Cl；Ti+ClTiCl3；TiN+BCl3B+Cl+Ti+N；CHF3H+C+F；TiN+FTiF3+N2抽真空反应完成后，打开设备自带真空泵进行抽真166、操作。开仓设备自动开启仓门后，机械手取出硅片，并将其放入硅片箱中，通过高架式晶片传送车输送至下一步工序。89图图 2.2-36 多晶硅多晶硅（Si）干法干法刻蚀工艺流程及产污环节图刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-37 二氧化二氧化硅（硅（SiO2）干干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀工艺流程及产污环节图90图图 2.2-38 氮化氮化硅（硅（Si3N4）干干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀工艺流程及产污环节图图图 2.2-39 金属坞（金属坞（W）干）干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀工艺流程及产污环节图91图图 2.2-40 金属铝（金属铝（Al）干）干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀167、工艺流程及产污环节图图图 2.2-41 金属钛（金属钛（Ti）干）干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀工艺流程及产污环节图92图图 2.2-42 氮化氮化钛（钛（TiN）干）干法刻蚀工艺流程及产污环节图法刻蚀工艺流程及产污环节图3、去胶工艺流程及产物环节分析、去胶工艺流程及产物环节分析经过刻蚀后，将光刻胶从晶片表面除去的过程称为去胶。去胶的方法分为湿法去胶和干法去胶。湿法去胶：分为有机物溶液去胶和无机物溶液去胶。有机物去胶使用的溶剂主要有丙酮等有机溶剂；无机物溶液去胶是利用某些无机溶液（例如硫酸+过氧化氢），将光刻胶中的碳氧化成二氧化碳，将光刻胶从晶片表面除去。干法去胶：则是用等离子体将光刻胶剥168、除。如光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成气态的 CO、CO2和 H2O。湿法去胶和干法去胶经常搭配进行。去胶工序简介见下表 2.2-7。去胶生产工艺流程及产污环节见下图 2.2-43。表表 2.2-7 去胶工序去胶工序相关相关工艺简介工艺简介工序简介干法去胶将带有光刻胶的硅片采用氧气（部分产品加入 N2-H2）进行氧化，使其生成气态的 CO、CO2和 H2O 从而得到去除。湿法去胶将带有光刻胶的硅片浸泡 SPM 或者丙酮或者 EKC270、NMP、ANJICS1000溶液中，使干法去胶后残留的聚合物膨胀，而将硅片表面的光刻胶除去。清洗采用超纯水清洗的方式对硅片进行表面清洗，其中前段清洗169、废水根据其性质分别进入相应的废水处理系统进行处理，后段清洗废水排入工艺清洗水系统处理后回收利用。干燥洗采用异丙醇对水洗后的硅片表面清洗，从而使异丙醇带走硅片上残留的水分。在本项目中，也会使用甩干机直接甩干来做干燥。93图图 2.2-43 去胶去胶工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图2.2.2.4 功能化生产工艺流程及产污环节分析功能化生产工艺流程及产污环节分析1、离子注入工、离子注入工艺流程及产物环节分析艺流程及产物环节分析离子注入是一种给硅片掺杂的过程，采用离子注入技术进行掺杂，可以达到改变材料电学性质的目的。离子注入的的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场170、下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，消除因离子注入造成的衬底晶圆片晶格的损伤；同时注入的杂质离子被活化，恢复晶圆片中少数载流子寿命和载流子迁移率。示意见下图 2.2-44。图图 2.2-44 离子注入工艺示意图离子注入工艺示意图离子注入之后的退火中造成的掺杂扩散迁移常常产生问题，因此，在离子注入前，加入 Xe 可中和掺杂过程产生的正电荷。本项目离子注入工序简介见下表 2.2-8，其产工艺流程及产污环节见图 2.2-45 至 2.2-48。94表表 2.2-8离子注入相关离子注入相关工艺简介工艺简介工工 序序简简介介投片在洁净的生产车间内，机械手从硅片箱中取出硅，开171、启阀门，将其送入离子注入设备中。通过各道阀门先后开启，使得离子注入设备腔体一直维持在真空的状态下。离子注入砷向离子注入设备中通入 AsH3进行砷的参杂，其中 AsH3参与反应占比约 10%，该过程发生的化学反应方程式 为：2AsH3 2As+3H2；离子注入磷向离子注入设备中通入 PH3进行磷的参杂，其中 PH3参与反应占比约 10%，该过程发生的化学反应方程式为：2PH32P+3H2离子注入硼向离子注入设备中通入 BF3气体进行硼的参杂，其中 BF3参与反应占比约 10%。离子注入锑向离子注入设备中通入 Sb2O3进行锑的参杂，该过程发生的化学反应方程式 为：2Sb2O3 2Sb+3O2取片172、预非晶化或离子注入完成后，启阀门，将硅片传，放入硅片箱中，通过高架 式晶片传送车输送至下一步工序。与投片工艺一致，通过各道阀门先后开启，使得离子注入设备腔体一直维持在真空的状态下。机台清洁*离子注入过程中，部分离子会沉积于机台上，机台清洁采用双氧水、纯水以及异丙醇进行清洗。图图 2.2-45 离子注入砷离子注入砷工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图95图图 2.2-46 离子注入磷离子注入磷工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图图图 2.2-47 离子注入硼离子注入硼工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图96图图 2.2-48 离子注入锑离子注入锑工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节173、图2、化学机械研磨相关工序简介及产污节点分析、化学机械研磨相关工序简介及产污节点分析化学机械研磨（CMP）就是把原来凹凸的晶片表面，利用机械和化学的共同作用，去除多余的薄膜，实现晶片表面的全局平坦化。化学机械研磨过程主要由研磨机、研磨垫、研磨液组成。一个标准的化学机械研磨机见下图 2.2-49。图图 2.2-49 化学机械研磨相关工序化学机械研磨相关工序示意图示意图研磨机由研磨头、研磨垫以及和各种控制检测系统组成。CMP 工艺的基本原理是将待研磨的晶片背面通过亲水张力或者真空吸附固定在一个以角速度c 旋转的研磨头上，在一定的下压力及研磨液的存在下，它的表面被压在一个粘有弹性研磨垫以角速度p 旋174、转的平台上做相对运动。研磨液通过多孔97性抛光垫传到晶片上，它的化学成分与硅晶片产生化学作用，将不溶物质转化成易溶物质（化学反应过程），然后通过磨粒的机械摩擦将这些易溶物质从晶片表面去除，研磨液被带走（机械过程），这使被研磨表面重新裸露，化学与机械作用相互配合，使反应继续下去，只有在化学作用与机械作用达到一个很精细的平衡时，才能实现表面低损伤高平整。CMP 研磨结束后，对研磨产物的清洗十分关键，一般使用刷洗、喷洗和超声波清洗等方法。化学机械研磨工序简介见下表 2.2-9，该过程生产工艺流程及产污环节见下图 2.2-50。表表 2.2-9 化学机械研磨化学机械研磨相关工序简介相关工序简介工 序简175、 介加入硅片在洁净的生产车间内，机械手从晶片盒中将硅片放置于化学机械抛光设备中。化学机械研磨在化学机械研磨机中，通过加入研磨液的方式对硅片表面进行研磨，使硅片表面平坦化。清洗清洗采用以下几种方式：（1）采用氨水、过氧化氢、超纯水的混合溶剂进行硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒物。（2）采用氢氟酸、超纯水的混合溶剂进行硅片进行清洗，以去除硅片表面的金属及自然氧化层等。（3）采用超纯水清洗的方式对硅片进行表面清洗，其中前段清洗废水根据其性质分别进入相应的废水处理系统进行处理，后段清洗废水分均排入工艺清洗水系统处理后回收利用。干燥采用 N2干燥。98图图 2.2-50 化学机械研磨化学机械研磨工艺流176、程及产污环节图工艺流程及产污环节图3、退火工序简介及产污节点分析、退火工序简介及产污节点分析退火工艺主要是用来推进和修复注入后的杂质层，降低金属层与器件层，金属和金属之间的接触电阻等功能。其工艺主要是通入 N2气体（有些步骤也需要通入少量 H2和 O2）在高温下对硅片进行工艺，不使用化学品来参与工艺。2.2.2.5 背面加工相关工序简介及产污节点分析背面加工相关工序简介及产污节点分析晶圆背面加工工序简介见下表 2.2-10，该过程生产工艺流程及产污环节见下图 2.2-51。表表 2.2-10背面加工相关背面加工相关工艺简介工艺简介工序简介贴膜贴膜工艺主要是使用手动或者自动化设备在硅晶圆的正面贴177、上保护膜，以保证在硅晶圆背面工艺的时候保护硅片的正面，主要原材料仅为蓝膜。减薄通过磨轮将高精度的晶圆背面减薄抛光，得到洁净平整的工艺平面，一般可将晶圆厚度从正常 600750 m 左右减薄到 30300 m。该工序和 CMP 类似，但不使用化学品，仅产生含硅粉的研磨废水。清洗采用槽式清洗，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，用纯水反复清洗，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。99揭膜在硅晶圆背面工艺基本结束时使用手动或者自动化设备将贴膜工艺所贴的保护膜揭下来，以便进行后续工艺。蒸镀将基片放入真空室内，以电阻、电子束、激光等方法加热膜料，使膜料蒸发或升华，气化178、为具有一定能量（0.10.3eV）的粒子（原子、分子或原子团）。气态粒子以基本无碰撞的直线运动飞速传送至基片，到达基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并发生表面扩散，沉积原子之间产生二维碰撞，形成簇团，有的可能在表面短时停留后又蒸发。粒子簇团不断地与扩散粒子相碰撞，或吸附单粒子，或放出单粒子。此过程反复进行，当聚集的粒子数超过某一临界值时就变为稳定的核，再继续吸附扩散粒子而逐步长大，最终通过相邻稳定核的接触、合并，形成连续薄膜。钛镍银(TiNiAg)湿法刻蚀使用镍银刻蚀夜（主要成分为 HNO3和乙酸）来刻蚀银，镍金属，使用 HF来刻蚀钛金属，其使用场合仅为发现产品相关要求不合格时返179、工使用，整体返工率约 2%，其反应方程式为：镍银刻蚀：3Ag+4H+NO3-=3Ag+NO+2H2O3Ni+8H+2NO3-=3Ni2+2NO+4H2O钛刻蚀：Ti+4H+6HF2-=TiF62-+2H2+6HF图图 2.2-51 背面加工背面加工工艺流程及产污环节图工艺流程及产污环节图2.2.2.6 设备和备件清洗产污环节分析设备和备件清洗产污环节分析设备和备件清洗：主要清洗石英件表面沉积的 Si、SiO2、SiN 薄膜，需要使用的化学品有 HF、HCL、HNO3、H2O2等,其工艺过程类似硅片刻蚀的工艺，将会产生含 F 废液废水和酸性废液废水。2.2.3 污染因子识别、环境风险因素识别污染180、因子识别、环境风险因素识别本项目营运期污染因子识别情况汇总见表 2.2-11。100表表 2.2-11本项目营运期污染因子汇总本项目营运期污染因子汇总污染物类型产生单元产生工序序号污染物名称污染因子废气FAB 厂房核心区湿法清洗G1-1 至 G1-3酸性废气硫酸雾、HF、盐酸雾G2-1碱性废气氨气、臭气浓度化学气相沉积G4-1 至 G4-8工艺废气SiH4、PH3、氟化物、氯化物、HBr 等G1-4酸性废气HF硅外延沉积G4-9 至G4-12工艺废气氯化物热氧化G4-13工艺废气氯化物涂胶、曝光、显影G3-1 至 G3-4有机废气非甲烷总烃G4-14工艺废气氟G2-2碱性废气氨气、臭气浓度湿法181、刻蚀G1-5 至G1-16酸性废气NOx、HF、盐酸雾G2-3碱性废气氨气、臭气浓度干法刻蚀G4-15 至G4-22工艺废气氟化物、氯化物、HBr等去胶G3-5 至 G3-7有机废气非甲烷总烃G1-17酸性废气硫酸雾离子注入G5含砷工艺废气AsG4-23 至G4-25工艺废气PH3、P、B、氟化物、等化学机械研磨G2-4碱性废气氨气、臭气浓度G1-18酸性废气HF背面加工G1-19 至G1-21酸性废气NOx、HF动力站锅炉G6燃气废气烟尘、SO2、NOx污水处理污水处理系统G7污水处理站废气氨、硫化氢、硫酸雾、氟化物（氟化氢）、氯化氢、臭气浓度等xx工程沸石转轮焚烧/燃气废气烟尘、SO2、N182、Ox天然气燃烧（燃烧式 POU 废气装置）/燃气废气烟尘、SO2、NOx员工生活食堂/油烟废气油烟废水FAB 厂房核心区湿法清洗W1酸性废水pH、CODcr、氨氮、SSW2含氟废水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总氮101W3高浓度氨氮废水pH、CODcr、氨氮、SS、总氮W4含氨废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SS涂胶、曝光、显影W5有机废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SSW4含氨废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SS湿法刻蚀W1酸性废水pH、CODcr、氨氮、SSW2含氟废水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总氮W3高浓度氨氮废水pH、CO183、Dcr、氨氮、SS、总氮W4含氨废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SSW6含磷废水pH、CODcr、氨氮、总磷、氟化物、总氮W7氟化氨废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮W8普通金属化废水（含 Al 和磷）pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SSW9含镍废水pH、CODcr、氨氮、总镍、SSW10含钴废水pH、CODcr、氨氮、总钴、SSW12含镍银废水pH、CODcr、氨氮、总镍、总银、SSW13含镍钒废水pH、CODcr、氨氮、总镍、总钒、SSW14含钛钨废水pH、CODcr、氨氮、SS去胶W1酸性废水pH、CODcr、氨氮、SSW5有机废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总184、氮、SS化学机械研磨W2含氟废水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总氮W3高浓度氨氮废水pH、CODcr、氨氮、SS、总氮W4含氨废水pH、CODcr、氨氮、氟化物、总氮、SSW11研磨废水pH、CODcr、氨氮、SS背面加工W2含氟废水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总102氮W12含镍银废水pH、CODcr、氨氮、总镍、总银、SS辅助、环保工程废气处理W15酸性废气洗涤塔排水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总氮废气处理W16碱性废气洗涤塔排水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、氟化物、总氮废气处理W17POU 洗涤塔排水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、185、氟化物、总氮纯水制备W18纯水制程排水（RO 浓水）pH、CODcr、氨氮、SS纯水制备W19纯水机反冲洗水pH、CODcr、氨氮、SS、冷却塔W20冷却塔定期排水pH、CODcr、氨氮、SS冷冻系统W21冷冻水排水pH、CODcr、氨氮、SS、员工生活W22生活污水pH、CODcr、氨氮、SS、总磷、总氮噪声生产工艺设备运行/设备噪声LAeq固体废物FAB 厂房核心区涂胶S1废光阻及去光阻液BARC、EBR、HMDS、Polyimide、PR 光阻等（多种醇,酯之混合物等）湿法刻蚀S2氟化铵废液氟化铵S3磷酸废液磷酸S4含钴废液钴、酸S5含镍废液镍、酸S12含镍银废液镍、银、酸S13含镍钒废186、液镍、钒、酸去胶S6有机废液丙酮、EKC、NMPS7废异丙醇异丙醇溅射S8废靶材镍、钴、铝、钛等靶材蒸镀S9废材料镍粒、银粒、铝粒、钛粒背面加工S10废蓝膜蓝膜S11废砂轮砂轮湿法刻蚀（背面返工）S12含镍银废液镍、银、酸原辅料使用原辅材料使用S14一般废包装材料一般废包装材料103原辅材料使用S15废芯片芯片原辅料使用S16沾染危险物料的废包材铁、塑料、酸/碱/有机溶剂残留物超纯水制备S17废滤袋、RO 膜等树脂膜超纯水制备S18有机交换树脂有机树脂超纯水制备S19废石英砂石英砂超纯水制备S20废活性炭 1碳超纯水制备S21废滤芯滤芯xx工程废气处理（POU干式吸附）S22废活性炭 2As，187、B，P沸石转轮废气处理装置S23废沸石分子筛、有机物污水处理S24含氟污泥氟化物污水处理S25废 RO 膜树脂膜污水处理S26生化污泥有机物污水处理S27硫酸铵废液硫酸铵污水处理S28含钴污泥钴污水处理S29含镍银污泥镍、银污水处理S30含镍钒污泥镍、钒污水处理S31含镍污泥镍辅助工程设备维修保养S32废机油及废油桶废机油、废油桶S33含油废抹布或手套含油废抹布或手套生产生活S34废灯管汞员工生活S35生活垃圾生活垃圾与项目有关的原有环境污染问本项目为新建项目，项目拟建地块现状为空地。根据现场实地勘察，不存在与项目有关的原有污染物的环境问题。104三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准区188、域环境质量现状3.1 区域环境质量现状区域环境质量现状3.1.1 环境空气环境空气（1）空气质量达标区判定本项目所在地属环境空气二类区，根据xx市生态环境状况公报（2021 年度）中的相关数据，2021 年xx市区主要污染物为 O3，SO2、NO2、PM10、PM2.5四项主要污染物年均浓度分别为 6 g/m3、34 g/m3、55 g/m3、28 g/m3，CO 日均浓度第 95 百分位数 0.9 mg/m3，O3日最大 8 小时平均浓度第 90 百分位数162g/m3，其中，SO2、NO2、CO 达到国家空气质量一级标准，PM10、PM2.5达到国家空气质量二级标准，臭氧（O3）略超过国家189、二级标准。因此xx市为环境空气质量不达标区。（2）基本污染物环境质量现状2021 年xx市空气质量基本污染物环境质量现状具体情况见表 3.1-1。表表 3.1-1 环境空气质量达标分析环境空气质量达标分析污染物污染物年评价指标年评价指标现状浓度现状浓度（g/m3）标准值标准值（g/m3）占标率占标率（%）达标情况达标情况SO2年均浓度66010达标NO2年均浓度344085达标PM10年均浓度557079达标PM2.5年均浓度283580达标CO第 95 百分位数日平均浓度900400023达标O3第 90 百分位数日最大 8小时平均浓度162160101不达标由上表可知，xx市 2021 年190、环境空气质量为不达标区。xx市区域达标规划如下：重点工程：主要包括能源结构调整，燃煤锅炉、热电、水泥行业清洁排放改造，重点区域、重点行业 VOCs 污染治理，产业结构调整，自动监测网络建设等工程项目。重点领域与主要任务（一）调整优化产业结构，统筹区域环境资源。1051.优化城市布局。2.保护城市自然本底。3.建设特色风廊。4.优化产业布局。5.淘汰落后产能。（二）深化调整能源结构，加强能源清洁利用。1.严控煤炭消费总量。2.深化禁燃区建设。3.推进园区集中供热。4.强化能源清洁、高效利用。5.提升清洁能源利用水平。6.推动绿色建筑发展。7.推进煤改气、煤改电。（三）全面治理燃煤烟气，强化工业废191、气治理。1.全面治理“燃煤烟气”。2.深入治理“工业废气”。3.加强消耗臭氧层物质控制。（四）实施 VOCs 专项整治，强化臭气异味治理。1.推进重点区域、重点行业 VOCs 减排。2.推进环境友好型原辅材料替代。3.发展清洁的绿色xx产品。4.推广清洁生产工艺。5.实施密闭化生产。6.深入开展泄漏检测与修复（LDAR）。7.开展臭气异味源排查治理。（五）积极调整运输结构，加快治理“车船尾气”。1.加强机动车xx管理。1062.提升燃油品质。3.加强油气回收治理。4.发展清洁交通。5.加强船舶污染排放监管。6.加强非道路移动机械污染排放监管。（六）调整优化用地结构，强化治理“扬尘灰气”。1.加192、强施工场地扬尘管理。2.强化道路扬尘治理。3.加强堆场扬尘治理。4.加强矿山粉尘防治。5.推进绿化造林工程。（七）深入治理“城乡排气”，重点推进源头防治。1.严格控制餐饮油烟。2.控制装修和干洗废气污染。3.加强农业废气管理。（八）加强区域联防联控，积极应对重污染天气。1.完善区域大气污染联合防治机制。2.完善区域空气质量监测体系。3.构建区域应急预警体系。4.实施季节性污染排放调控。5.实施区域大气环境联合执法监管。综合以上分析，随着区域大气污染防治工作的持续有效推进，预计区域整体环境空气质量将会有所改善。（3）特征污染物环境质量现状为进一步了解建设项目所在地环境空气质量现状，本次评价委托x193、x普洛赛斯检测科技有限公司对项目周边大气环境进行了补充监测。具体方案如下：监测因子：TSP、非甲烷总烃、氟化物、氯化氢、硫酸雾、氯气、氨、异107丙醇、砷、臭气浓度。监测点位：共设置 2 个监测点 Q1 和 Q2，分别位于项目所在地 Q1 和主导风向东北风(EN)下风向距离厂界约 1600m 处新江村（Q2）。图图 3.1-1 环境空气监测点位图环境空气监测点位图监测时间、频率：连续监测 7 天。测小时浓度（每天监测四次，监测时段为 02、08、14、20 时）。砷、TSP 测日均值。氟化物、氯化氢、硫酸雾、氯气监测日均值和小时浓度。各监测点位的环境空气监测结果见表 3.1-2。表表 3.1-194、2 环境空气现状监测结果表环境空气现状监测结果表采样点采样点 检测项目检测项目时段时段检测结果（单位：检测结果（单位：mg/m3）2022.5.142022.5.152022.5.162022.5.172022.5.182022.5.192022.5.20项目所在地Q1非甲烷总烃（以碳计）021.391.121.341.441.081.261.08081.331.111.351.341.131.061.17141.231.241.201.201.101.381.38201.471.351.271.141.361.401.25总悬浮颗粒物日均0.1160.1100.1270.1440.1280.195、1240.107氟化物020.00104 0.00070 0.00095 0.00067 0.000960.00033 0.00096108080.00064 0.00092 0.00058 0.00081 0.000560.00074 0.00073140.00096 0.00064 0.00127 0.00088 0.000460.00065 0.00084200.000580.001130.00073 0.00064 0.000500.00084 0.00064日均0.000470.00023 0.00019 0.00017 0.000180.000160.00020氯化氢020.022196、0.0220.0230.0230.0230.022 0.022080.0220.0220.0230.0220.0220.0240.022140.0220.0220.0220.0230.0220.0220.022200.022 0.022 0.022 0.022 0.022 0.0220.023日均0.0110.0110.0120.0100.0110.0130.013硫酸雾020.0130.0090.0170.0170.0060.0110.015080.0120.0080.0150.0070.0150.0080.007140.0130.0100.0090.0090.0070.0100.00720197、0.0060.0130.0080.0160.0140.0150.013日均0.0050.0070.0060.0060.0050.0070.006氯气020.030.030.030.030.030.030.03080.030.030.030.030.030.030.03140.030.030.030.030.030.030.03200.030.030.030.030.030.030.03日均0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001氨020.050.030.020.040.060.020.03080.020.050.050.040.050.060.0414198、0.040.040.040.030.040.030.06200.020.040.030.050.050.040.05臭气浓度021010101010101010101010101010101010101010101010101010101008101010101010101010101010101010101010101010101010101010101410101010101010101010101010101010101010101010101010101010砷日均210-7210-7210-7210-7210-7210-7210-7新江村Q2非甲烷总烃（以碳计）021.401.161199、.161.301.281.121.06081.281.381.211.331.221.041.27141.181.161.131.121.361.321.38201.091.301.311.381.241.351.35总悬浮颗粒物日均0.1220.1210.1350.1150.1300.1040.140氟化物020.00084 0.00084 0.00058 0.00046 0.000240.00088 0.00084109080.00046 0.00104 0.00080 0.00037 0.000850.00067 0.00070140.00064 0.00067 0.00010 0.00200、077 0.000560.00046 0.00050200.00091 0.00095 0.00070 0.00074 0.000840.00070 0.00068日均0.000490.000190.00017 0.00012 0.000160.00017 0.00024氯化氢020.0220.022 0.0220.0230.022 0.0220.022080.0220.0220.0230.0220.0220.022 0.022140.0220.0220.0230.0220.022 0.022 0.022200.0220.0230.0220.0240.0220.0240.023日均0.0100201、.0090.0100.0110.0090.0150.010硫酸雾020.0070.0150.0100.0100.0090.0070.013080.0140.0160.0060.0180.0070.0090.009140.0110.0110.0140.0150.0160.0160.008200.0090.0100.0070.0090.0120.0080.019日均0.0060.0060.0050.0070.0060.0060.005氯气020.030.030.030.030.030.030.03080.030.030.030.030.030.030.03140.030.030.030.030.0202、30.030.03200.030.030.030.030.030.030.03日均0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001氨020.050.050.020.060.040.050.04080.030.030.050.050.050.020.04140.030.040.060.030.030.040.05200.020.040.030.050.020.050.03臭气浓度021010101010101010101010101010101010101010100810101010101010101010101010101010101010101010101203、01010101014101010101010101010101010101010101010101010101010101010102010101010101010101010101010101010101010101010101010101010砷日均210-7210-7210-7210-7210-7210-7210-7由表可知，项目拟建区域的特征污染因子氟化物、砷、总悬浮颗粒物符合 环境空气质量标准（GB3095-2012）中的二级标准要求，HCl、硫酸雾、氯气、NH3符合 HJ2.2-2018 附录 D 标准要求，非甲烷总烃符合大气污染物综合排放110标准详解中的取值标准。其中砷、氟化204、物、氯气、臭气浓度均未检出。3.1.2 地表水环境地表水环境本项目附近地表水为沿塘抢险河、钱江直河，根据xx省水功能区、水环境功能区划分方案，项目所在地水系属于xx江 337 水系，水环境质量执行 地表水环境质量标准（GB3838-2002）IV 类标准。为了解本项目附近水体水环境质量现状，本次评价对周边地表水进行监测，具体内容如下：监测断面：在项目附近沿塘抢险河上布设 1 个地表水监测断面 W1。图图 3.1-2 地表水水质监测点位图地表水水质监测点位图监测因子水温、pH、DO、高锰酸盐指数、CODCr、BOD5、氨氮、总磷、铜、氟化物、砷、硫化物、钴、银、镍。监测时间、频率连续监测 3 天205、，每天采样一次。水温观测频次，应每间隔 6h 观测一次水温，统计计算日平均水温。具体监测断面评价结果见下表 3.1-3。111表表 3.1-3 项目附近项目附近地表水监测结果地表水监测结果检测项目检测项目单位单位检测结果检测结果沿塘抢险河地表水监测断面 W12022.5.142022.5.152022.5.16*pH 值/7.57.67.5*水温19.618.622.4*溶解氧mg/L5.625.615.62高锰酸盐指数mg/L3.13.53.1化学需氧量mg/L171413五日生化需氧量mg/L3.33.43.3氨氮mg/L0.2360.3270.393总磷mg/L0.040.030.005206、铜mg/L0.01L0.01L0.01L氟化物mg/L0.1740.1590.173砷mg/L0.0003L0.0003L0.0003L硫化物mg/L0.01L0.01L0.01L钴mg/L0.005L0.005L0.005L银mg/L0.0025L0.0025L0.0025L镍mg/L0.005L0.005L0.005L注：1.有*为现场测试值；2.L 表示检测结果小于检出限。由上表可知，项目附近沿塘抢险河监测断面水质均满足地表水环境质量标准（GB 3838-2002）III 类标准。3.1.3 声环境声环境为了解本项目附近声环境质量现状，本次评价委xx求实环境监测有限公司于 2022 年 207、5 月对项目拟建区域声环境进行了采样监测，具体情况如下：（1）监测项目：等效连续 A 声级 Leq(A)。（2）监测点位：在厂界四至共设 4 个监测点。112图图 3.1-3 噪声监测点位图噪声监测点位图（3）监测时间及频次：监测一天，昼、夜间各一次。监测期间气象条件满足要求。（4）监测结果与评价分析声环境质量现状监测结果见表 3.1-4。表表 3.1-4噪声现状监测结果噪声现状监测结果单位：单位：dB(A)监测编号监测点位监测时间监测值标准值昼间夜间昼间夜间1#厂界东2022.5.2256.647.965552#厂界南2022.5.2257.146.365553#厂界西2022.5.2255208、.745.865554#厂界北2022.5.2256.446.66555从监测结果可知，本项目所在地东、南、西、北四侧厂界的昼、夜噪声均能达到声环境质量标准（GB3096-2008）中 3 类标准要求。3.1.4 生态环境生态环境本项目周边主要为工业厂房和空地（待建工业用地）以及少量农田。根据现场踏勘，周边农田主要为临时农田，且无桑蚕养殖，因此项目用地周边无生态环境保护目标，本项目无需进行生态现状调查。3.1.5 电磁辐射电磁辐射113项目不涉及有关电磁辐射类项目，无需对项目电磁辐射现状开展监测与评价。3.1.6 地下水环境地下水环境为了解建设项目所在地地下水质量现状，本次评价委托xx普xx检209、测科技有限公司对项目所在地地下水环境进行监测。具体方案如下：监测因子：取水位，K+、Na+、Ca2+、Mg2+、CO32-、HCO3-、Cl-、SO42-、pH、氨氮、硝酸盐、亚硝酸盐、挥发性酚类、氰化物、砷、汞、铬(六价)、总硬度、铅、氟化物、镉、铁、锰、溶解性总固体、耗氧量、硫酸盐、氯化物、总大肠菌群、细菌总数、钴、银、镍；监测点位：共设置 6 个监测点位(D1D6)，其中 3 个水质监测点位(D1D3)，6 个水位监测点位(D1D6)；其中 3 个水位监测点位同水质监测点位，分别于企业所在地及周边区域，可利用现有水井。图图 3.1-4 地下水监测点位图地下水监测点位图监测频次：有效监测 210、1 次，监测 1 天。取样点深度应在井水位以下 1.0m114以内。地下水位监测结果见表 3.1-5。表表 3.1-5地下水位监测结果地下水位监测结果采样点水位采样点水位D14.24D24.28D34.25D44.24D54.20D64.32地下水阴阳离子监测结果见表 3.1-6。表表 3.1-6 地下水阴阳离子监测结果地下水阴阳离子监测结果监测项目D1D2D3CC当量CC当量CC当量mg/Lmeq/Lmg/Lmeq/Lmg/Lmeq/L阳离子K+24.40.6325.20.6524.70.63Na+24.31.0623.91.0424.01.04Ca2+61.23.0659.62.9859.211、62.98Mg2+16.01.3316.21.3516.41.37合计/6.08/6.02/6.02阴离子CO32-50.0050.0050.00HCO3-2303.772253.692273.72Cl-26.00.7326.30.7425.90.73SO42-71.41.4971.91.5071.31.49合计/5.99/5.93/5.94离子平衡误差*/-0.75%/-0.75%/-0.67%注：C当量（meq/L）=C（mg/L）离子的化合价/离子的原子量。离子平衡误差的检查公式为 E=（mc-ma）/（mc+ma）100%，式中 E 为相对误差，mc、ma 分别为阴离子和阳离子的当量总212、数。根据上表，阴阳离子相对误差未超过5%，阴阳离子摩尔浓度基本平衡，监测数据有效。地下水水质监测和评价结果见表 3.1-7。表表 3.1-7 地下水水质监测和评价结果表地下水水质监测和评价结果表检测项目检测项目单位单位检测结果检测结果(2022.5.14)D1D2D3pH 值/7.17.07.2水温16.717.216.4氨氮mg/L0.1910.1490.206115硝酸盐mg/L4.314.544.79亚硝酸盐mg/L0.005L0.005L0.005L挥发酚mg/L0.0003L0.0003L0.0003L氰化物mg/L0.004L0.004L0.004L砷mg/L0.001L0.001213、L0.001L汞mg/L0.0001L0.0001L0.0001L六价铬mg/L0.004L0.004L0.004L总硬度mg/L220217218铅mg/L0.00007L0.00007L0.00007L氟化物mg/L0.0440.0430.037镉mg/L0.00006L0.00006L0.00006L铁mg/L0.03L0.03L0.03L锰mg/L0.040.070.05溶解性总固体mg/L453448449耗氧量(高锰酸盐指数)mg/L2.12.62.2硫酸盐mg/L71.471.971.3氯化物mg/L26.026.325.9总大肠菌群MPN/100mL未检出未检出未检出细菌总数C214、FU/mL394247钴mg/L0.00003L0.00003L0.00003L银mg/L0.00003L0.00003L0.00003L镍mg/L0.00007L0.00007L0.00007L注：1.有*为现场测试值；2.L 表示检测结果小于检出限。监测结果表明，对照地下水质量标准（GB/T14848-2017），本项目附近地下水水质总体为 III 类。3.1.7 土壤土壤环境环境为了解建设项目附近土壤质量现状，本次评价委托xx普xx检测科技有限公司对项目所区域土壤环境进行监测。具体方案如下：（1）监测点位及监测因子共设置 6 个监测点位，其中厂区内设置 3 个柱状样点(T1-T3)，1 215、个表层样点(T4)，厂界外 2 个表层样点（T5-T6）。监测点位见表 3.1-8。表表 3.1-8土壤监测点位一览表土壤监测点位一览表位置编号监测点位类型监测因子厂区内T1厂区内（FAB 厂房）柱状样土壤环境质量 建设用地土壤污染风险管控标准（试行）（GB36600-2018）表1 中的基本项目共 45 项（其中包括了本项目特征因子镍）、pH、石油烃、钴、银116T2厂区（污水处理站）柱状样pH、石油烃、钴、银、镍T3厂区（危废仓库）柱状样pH、石油烃、钴、银、镍T4厂区（生产车间）表层样pH、石油烃、钴、银、镍厂区外T5厂区外北侧工业用地表层样土壤环境质量建设用地土壤污染风险管控标准（试行216、）（GB36600-2018）表1 中的基本项目共 45 项（其中包括了本项目特征因子镍）、pH、石油烃、钴、银T6厂区外东侧农田表层样土壤环境质量 农用地土壤污染风险管控标准（试行）（GB 15618-2018）的基本因子（其中包括了本项目特征因子镍）、pH、石油烃、钴、银图图 3.1-5 土壤监测点位图土壤监测点位图（2）监测时间及频率监测时间：2022 年 5 月 14 日。采样频率均为 1 次。（3）监测结果与评价分析117监测点的土壤环境质量监测结果见表 3.1-9 至 3.1-11。表表 3.1-9土壤监测统计结果表土壤监测统计结果表检测项目检测项目单位单位检测结果检测结果T5T6217、T10-0.2m0-0.5m0.5-1.5m1.5-3.0m3.0-6.0mpH 值/7.297.386.987.257.327.44镉mg/kg3.042.903.733.713.423.60汞mg/kg0.100.110.110.130.100.10砷mg/kg0.50.50.50.50.50.5铅mg/kg2467677六价铬mg/kg57.228.629.129.035.432.1铜mg/kg0.07960.07840.1260.1450.1340.167镍mg/kg413134313733四氯化碳g/kg1.31.31.31.31.31.3氯仿g/kg1.11.11.11.11.11218、.1氯甲烷g/kg1.01.01.01.01.01.01,1-二氯乙烷g/kg1.21.21.21.21.21.21,2-二氯乙烷g/kg1.31.31.31.31.31.31,1-二氯乙烯g/kg1.01.01.01.01.01.0顺-1,2-二氯乙烯g/kg1.31.31.31.31.31.3反-1,2-二氯乙烯g/kg1.41.41.41.41.41.4二氯甲烷g/kg1.51.51.51.51.51.51,2-二氯丙烷g/kg1.11.11.11.11.11.11,1,1,2-四氯乙烷g/kg1.21.21.21.21.21.21,1,2,2-四氯乙烷g/kg1.21.21.21.21219、.21.2四氯乙烯g/kg1.41.41.41.41.41.41,1,1-三氯乙烷g/kg1.31.31.31.31.31.31,1,2-三氯乙烷g/kg1.21.21.21.21.21.2三氯乙烯g/kg1.21.21.21.21.21.21,2,3-三氯丙烷g/kg1.21.21.21.21.21.2氯乙烯g/kg1.01.01.01.01.01.0苯g/kg1.91.91.91.91.91.9氯苯g/kg1.21.21.21.21.21.21,2-二氯苯g/kg1.51.51.51.51.51.51,4-二氯苯g/kg1.51.51.51.51.51.5乙苯g/kg1.21.21.21.220、21.21.2苯乙烯g/kg1.11.11.11.11.11.1甲苯g/kg1.31.31.31.31.31.3间二甲苯+对二甲苯g/kg1.21.21.21.21.21.2邻二甲苯g/kg1.21.21.21.21.21.2硝基苯mg/kg0.090.090.090.090.090.09苯胺g/kg1.01.01.01.01.01.02-氯酚mg/kg0.060.060.060.060.060.06苯并a蒽mg/kg0.10.10.10.10.10.1118苯并a芘mg/kg0.10.10.10.10.10.1苯并b荧蒽mg/kg0.20.20.20.20.20.2苯并k荧蒽mg/kg0.1221、0.10.10.10.10.1mg/kg0.10.10.10.10.10.1二苯并a,h蒽mg/kg0.10.10.10.10.10.1茚并1,2,3-cd芘mg/kg0.10.10.10.10.10.1萘mg/kg0.090.090.090.090.090.09石油烃（C10-C40）mg/kg611341486钴mg/kg191416151716银mg/kg0.10.10.10.10.10.1表表 3.1-10 土壤监测统计结果表土壤监测统计结果表检测项目检测项目单位单位检测结果检测结果T4T20-0.2m0-0.5m0.5-1.5m1.5-3.0m3.0-6.0mpH 值/7.527.1222、77.367.247.48石油烃（C10-C40）mg/kg1319373135钴mg/kg1816171615银mg/kg0.10.10.10.10.1镍mg/kg4130312829表表 3.1-11 土壤监测统计结果表土壤监测统计结果表检测项目检测项目单位单位检测结果检测结果T30-0.5m0.5-1.5m1.5-3.0m3.0-6.0mpH 值/7.197.237.387.18石油烃（C10-C40）mg/kg13666钴mg/kg18191818银mg/kg0.10.10.10.1镍mg/kg39403940由监测结果可知，项目监测点 T1T5 的各监测因子均低于土壤环境质量建设用地223、土壤污染风险管控标准（试行）（GB36600-2018）中第二类用地筛选值,监测点T6的各监测因子均低于 土壤环境质量 农用地土壤污染风险管控标准（试行）（GB 15618-2018）中的风险筛选。环境保护目3.2 环境保护目标环境保护目标3.2.1 大气环境大气环境项目厂界外 500 米范围内没有自然保护区、风景名胜区、居住区、文化区等敏感保护目标，且项目厂界外 500 米范围内无规划敏感保护目标。119标图图 3.2-1 大气环境保护目标图（厂界外大气环境保护目标图（厂界外 500 米范围内）米范围内）3.2.2 声环境声环境厂界外 50 米范围内无声环境保护目标。3.2.3 地下水环境地224、下水环境厂界外 500 米范围内无地下水集中式饮用水水源和热水、矿泉水、温泉等特殊地下水资源。3.2.4 生态环境生态环境本项目位于工业区内，购买工业用地新建厂房进行生产，项目用地范围内没有生态环境保护目标。120污染物排放控制标准3.3 污染物排放控制标准污染物排放控制标准3.3.1 废气废气（1）施工期废气排放标准施工期废气排放标准本项目施工期产生的废气主要为扬尘，扬尘废气排放执行大气污染物综合排放标准(GB16297-1996)表 2 中的无组织排放监控浓度限值要求。具体见表3.3-1。表表 3.3-1 大气污染物综合排放标准（大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）污染物污染225、物无组织排放监控浓度限值无组织排放监控浓度限值监控点监控点浓度（浓度（mg/m3）颗粒物周界外浓度最高点1.0（2）营运期废气排放标准营运期废气排放标准本项目运营期生产过程的氯气、氟化物、HCl、NOx、硫酸、非甲烷总烃执行大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）表 2 中的二级标准。硅烷排放浓度参照执行荷兰排放导则（NER）；丙酮排放浓度参照执行上海大气污染物综合排放标准（DB31/933-2015）中附录 A；磷烷、砷烷、异丙醇排放浓度参照执行江苏省地方标准半导体行业污染物排放标准（DB32/3747-2020）表3 大气污染物排放限值，具体见表 3.3-2。表表 3.3-2 226、大气污染物综合排放标准（大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）污染物污染物最高允许排最高允许排放浓度放浓度（mg/m3）最高允许排放速最高允许排放速(kg/h)无组织排放监控浓度限值无组织排放监控浓度限值排气筒排气筒(m)二级二级监控点监控点浓度（浓度（mg/m3）氯气65351.9周界外浓度最高点0.40氟化物9.00.820HCl1002.00.20非甲烷总烃12076.54.0硫酸4511.91.2NOx2406.00.12硅烷*3.05.00.52丙酮*8030.63.2砷化氢*1.00.30.036磷化氢*1.00.80.08异丙醇*4023.02.4注：允许排放速率依据227、制定地方大气污染物排放标准的技术方案（GB/T13201-91）中第 6 节所推荐公式计算：Q=CmRKe式中：Q为排气筒允许排放速率；Cm为环境质量一次值；R为排放系数，排气筒为15m、20m、12130m及40m时，xx二类功能区为6、12、32、58；本项目排气筒35m，R系数取中间值45。Ke为地区性经济技术参数，取值0.51.5，取0.85；根据大气污染物综合排放标准详解无组织监控点浓度取环境质量标准的 4 倍。生产废气氨和臭气浓度排放执行恶臭污染物排放标准（GB14554-93）表2 标准，项目自建污水处理站在运行过程中产生的氨和硫化氢等臭气污染物恶臭污染物排放标准（GB14554228、-93）表 2 标准，执行见下表 3.3-3。表表 3.3.-3 恶臭污染物排放标准（恶臭污染物排放标准（GB14554-93）污染物污染物排放标准值排放标准值厂界标准值厂界标准值排气筒高度，排气筒高度，m排放量，排放量，kg/h新扩改建，新扩改建，mg/m3NH335271.53020H2S301.30.06臭气浓度306000(无量纲）20(无量纲）臭气浓度3515000(无量纲）企业厂区内 VOCs 无组织排放监控点浓度执行挥发性有机物无组织排放控制标准（GB3782-2019）附录 A 中表 A.1 特别排放限值，具体标准详见下表 3.3-4。表表 3.3-4 挥发性有机物无组织排放控229、制标准（挥发性有机物无组织排放控制标准（GB37822-2019）表）表 A.1污染物项目特别排放限值，mg/m3限值含义无组织排放监控位置NMHC6监控点处 1h 平均浓度值在厂房外设置监控点20监控点处任意一次浓度值本项目废气处理设备的天然气燃烧废气执行工业炉窑大气污染综合治理方案(环大气201956 号)、xx省工业炉窑大气污染综合治理实施方案（浙环函2019315 号）中的限值要求，具体见表 3.3-5。表表 3.3-5xx省工业炉窑大气污染综合治理实施方案（浙环函xx省工业炉窑大气污染综合治理实施方案（浙环函2019315 号）号）污染物项目重点区域大气污染物排放限值（mg/m3）污230、染物排放监控位置颗粒物30烟囱或烟道二氧化硫200氮氧化物300本项目锅炉烟气排放执行 锅炉大气污染物排放标准(DB3301/T0250-2018）中的要求，根据xx省空气质量改善“十四五”规划（浙发改规划2021 215号），新建燃气锅炉的氮氧化物排放浓度原则上稳定在 30mg/m3以下，具体见表3.3-6。122表表 3.3-6 锅炉大气污染物排放标准（摘录）锅炉大气污染物排放标准（摘录）(DB3301/T0250-2018)序号污染物项目燃气锅炉限值(mg/m3)污染物排放监控位置1颗粒物10烟囱或烟道2二氧化硫203氮氧化物（以 NO2计）30*4烟气黑度（xx曼黑度，级）1烟囱排放口231、本项目食堂设 6 个基准灶头，食堂油烟废气排放执行饮食业油烟排放标准（试行）（GB18483-2001）的大型规模标准，具体见表 3.3-7。表表 3.3-7 饮食业油烟排放标准（试行）（饮食业油烟排放标准（试行）（GB18483-2001）规模小型中型大型基准灶头数1，33，66对应灶头总功率（108J/h）1.67，5.005.00，1010总投影面积（m2）1.1，3.33.3，6.66.6最高允许排放浓（mg/m3）2.0净化设施最低去除率（%）607585注：单个灶头基准排风量：2000m3/h3.3.2 废水废水（1）施工期废水施工期废水项目施工期产生的废水为生活污水和施工废水，施232、工废水经沉淀后回用，外排废水为生活污水，生活污水经简易化粪池处理达到污水综合排放标准(GB8978-1996)三级标准和工业企业废水氨、磷污染物间接排放限值（DB33/887-2013）后纳管纳入污水管网。具体标准值见表 3.3-8。表表 3.3-8 废水排放标准废水排放标准污染物pH化学需氧量SS动植物油总氮（以 N 计）氨氮总磷（以 P 计）污水综合排放标准（GB8978-1996）三级69500400100/35*8*注：氨氮、总磷排入污水处理厂，其纳管标准执行xx省地方标准工业企业废水氨、磷污染物间接排放限值（DB33/887-2013）。（2）营运期废水营运期废水本项目运营期排放生产233、废水和生活污水，生产废水经厂区废水处理系统处理后和经过化粪池、隔油池处理后的生活污水一起纳管，纳管废水执行电子工业水污染物排放标准（GB39731-2020）表 1 水污染物排放限值和表 2 单位产品基准排水量，具体标准值见表 3.3-9 和表 3.3-10。123表表 3.3-9 电子工业水污染物排放标准（电子工业水污染物排放标准（GB39731-2020）表）表 1单位单位：mg/L，除，除 pH 外外序号序号污染物项目污染物项目间接排放限值间接排放限值（1）污染物排污染物排放监控位放监控位置置电子电子专用专用材料材料电子电子元件元件印刷印刷电路电路板板半导体半导体器件器件显示器显示器件及234、光件及光电子器电子器件件电子终电子终端产品端产品1pH 值6.0-9.0企业废水总排放口2悬浮物（SS）4003石油类204CODCr5005总有机碳（TOC）2006氨氮45（35*）7总氮708总磷8.09LAS2010总氰化物1.011硫化物-1.01.0-12氟化物20-13总铜2.02.0（2）14总锌1.51.5-1.51.51.5（2）15总铅0.20.2（2）车间或生产设施废水排放口16总镉0.050.05-1.51.51.5（2）17总铬1.01.0-1.0-1.0（2）18六价铬0.20.2-0.2-0.2（2）19总砷0.50.5-0.50.5-20总镍0.50.5（2）235、21总银0.30.3（2）22总钴*1.023总钒*1.0注：电子工业水污染物排放标准（GB39731-2020）中无总钴和总钒标准，参照执行上海市地方标准污水综合排放标准（DB31/199-2018）。氨氮纳管标准从严执行xx省地标工业企业废水氮、磷污染物间接排放限值（DB33/887-2013）中的 35mg/L 标准限值。表表 3.3-10 电子工业水污染物排放标准（电子工业水污染物排放标准（GB39731-2020）表）表 2序序适用企业适用企业产品规格产品规格单位单位单位产品单位产品排水量计排水量计124号号基准排水基准排水量量量单位量单位1半导体器件6 英寸及以下芯片英寸及以下芯片236、m3/片片3.2与污染物排放监控位置一致8 英寸芯片m3/片6.012 英寸掩膜层数 35 层及以下m3/片11掩膜层数 35 层及以上20封 装 产品传统封装产品m3/千块产品2.0圆片级封装产品m3/片11分立器件m3/万块产品3.5纳管废水最终由xx污水处理厂处理后达到城镇污水处理厂排放标准（GB18918-2002）一级 A 标准。排放标准具体见表 3.3-11。表表 3.3-11 城镇污水处理厂污染物排放标准（城镇污水处理厂污染物排放标准（GB18918-2002）单位：除单位：除 pH 外为外为 mg/L序号序号项目项目xx污水处理厂废水xx污水处理厂废水排放标准排放标准1pH69237、2CODCr503BOD5104SS105氨氮2.5*6石油类17总磷0.58LAS0.59总氮1510总氰化物0.511硫化物112氟化物/13总铜0.514总锌1.015总铅0.116总镉0.0117总铬0.118六价铬0.0519总砷0.120总镍0.0521总银0.1125注：氨氮和总磷的纳管标准参照工业废水氮、磷污染物间接排放限值（DB33/887-2013）中的 限值。xx污水处理厂企业进管控制标准根据萧水务201020 号关于同意实施萧山东部地区排 污企业并网要求的批复。总氮执行污水排入城镇下水道水质标准（GB/T31962-2015）中 70mg/L；xx污水处理厂出水氮按照 238、2.5mg/L。3.3.3 噪声噪声（1）施工期噪声施工期噪声本项目建设期施工场界噪声执行建筑施工场界环境噪声排放标准（GB12523-2011），见表 3.3-12。表表 3.3-12 建筑施工场界环境噪声排放标准（建筑施工场界环境噪声排放标准（GB12523-2011）单位：）单位：dB(A)昼间夜间7055注：夜间偶发噪声的最大声级超过限值的幅度不得高于 15 dB（A）。（2）营运期噪声营运期噪声本项目运营期厂区厂界噪声执行工业企业厂界环境噪声排放标准(GB12348-2008)中 3 类标准。具体标准值见表 3.3-13。表表 3.3-13 工业企业厂界环境噪声排放标准工业企业厂界环239、境噪声排放标准(GB12348-2008)厂界外声环境功能区类别昼间，dB(A)夜间，dB(A)365553.3.4 固废固废中华人民共和国固体废物污染环境防治法中的有关规定，一般工业废物妥善处理，不得形成二次污染。根据一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准（GB18599-2020），采用库房、包装工具（罐、桶、包装袋等）贮存一般工业固体废物过程的污染控制，不适用本标准，其贮存过程应满足相应防渗漏、防雨淋、防扬尘等环境保护要求。危险废物应根据危险废物贮存污染控制标准（GB18597-2023)、危险废物识别标志设置技术规范（HJ 12762022）、环境保护图形标志固体废物贮存（处置）场（G240、B 15562.2-1995）修改单要求贮存，应根据国家危险废物名录委托有资质的单位进行处理。126总量控制指标3.4总量控制指标总量控制指标1、总量控制指标污染物排放实施总量控制是执行xx管理目标责任制的基本原则之一。本环评结合xx管理要求，对项目主要污染物的排放量进行总量控制分析，根据环评有关规范、xx管理部门要求，本项目实施后，纳入总量控制指标确定为CODCr、NH3-N、VOCs、SO2、NOx、工业烟粉尘、砷、总镍、总银、总钴、总钒。2、总量平衡方案（1）根据关于加强重点行业建设项目区域削减措施监督管理的通知（环办环评 202036 号）要求，所在区域、流域控制单元环境质量未达到国家241、或者地方环境质量标准的，建设项目应提出有效的区域削减方案，主要污染物实行区域倍量削减，确保项目投产后区域环境质量有改善；所在区域、流域控制单元环境质量达到国家或者地方环境质量标准的，原则上建设项目主要污染物实行区域等量削减，确保项目投产后区域环境质量不恶化。（2）根据建设项目主要污染物排放总量指标审核及管理暂行办法（环发2014197号）、建设项目主要污染物排放总量指标审核及管理暂行办法（环发2014197 号）和xx省工业污染防治“十三五”规划（浙环发201646号）、xx市建设项目和排污权交易总量审核管理暂行规定(杭环发2015143号）等相关规定：对重点区域的二氧化硫、氮氧化物、工业烟粉242、尘、挥发性有机污染物(VOCs)提出控制要求。对于重点控制区和大气环境质量超标城市，新建项目实行区域内现役源2倍削减量替代；一般控制区实行1.5倍削减量替代。xx省境内属重点控制区为xx、宁波、xx、湖州、绍兴5个城市，其它非重点区域建议参照执行。（3）重金属污染排放的削减替代比例根据该文件要求xx省生态环境厅关于印发xx省重金属污染防控工作方案的通知（浙环发202214号）执行：“重点重金属污染物。重点防控的重金属污染物是铅重金属污染物是铅、汞汞、镉镉、铬铬、砷砷、铊和锑铊和锑，127对铅对铅、汞汞、镉镉、铬和砷五种重点重金属污染物排放量实施总量控制铬和砷五种重点重金属污染物排放量实施总量控243、制”、“重点区域。根据国家意见，xx市xx区为xx市xx区为“十四五十四五”全国重金属污染防控重点区域全国重金属污染防控重点区域；根据我省重金属污染物排放总量和风险防控需求，xx市鹿城区等xx市鹿城区等19个县（市个县（市、区区）和开发区作为省级重金属污染治理重点区和开发区作为省级重金属污染治理重点区”和“严格环境准入管理。纳入全全国重金属污染防控重点区域国重金属污染防控重点区域的新、改、扩建重点行业建设项目重点行业建设项目应遵循重点重金属污染物排放“减量替代”原则，减量替代比例不低于减量替代比例不低于1.2:11.2:1；其他区域遵循；其他区域遵循“等等量替代量替代”原则原则”。本项目属于计244、算机、通信和其他电子设备制造业，不属于环固体202217号、xx省生态环境厅关于印发xx省重金属污染防控工作方案的通知（浙环发202214号）中的重点行业；项目位于xx省xx市xx区，不属于重点区域。本项目涉及重点重金属污染物（砷），但不涉及重点行业、重点区域，其新增排放总量替代削减遵循“等量替代”原则。本项目排放的镍、银、钴和钒不属于总量控制的重金属指标，其新增排放不需要总量替代削减，仅需备案登记。综上所述，本项目新增CODCr、氨氮按 1:1 比例削减替代；新增重金属砷按按 1:1 的比例削减替代；新增烟粉尘、二氧 化硫、氮氧化物、VOCs 按 1:2 的比例削减替代。本项目总量平衡方案见245、下表3.4-1。表表 3.4-1 本项目污染物总量情况一览表本项目污染物总量情况一览表单位：单位：t/a类别项目总量控制建议值区域削减替代比例区域削减替代总量废气SO20.1631:20.326NOx5.7991:211.598工业烟粉尘0.3571:20.714VOCs5.8101:211.620重金属（砷）1.620kg/a1:11.620kg/a废水CODCr117.7711:1117.771NH3-N5.8891:15.889总镍8.943 kg/a/总银1.752 kg/a/总钴2.920kg/a/总钒2.920 kg/a/本项目污染物排放情况为：废水量，2355418 t/a，CO246、DCr117.771 t/a（按xx128污水处理厂最终外排浓度50 mg/L计）、氨氮5.889t/a（按xx污水处理厂最终外排浓度2.5 mg/L计）、二氧化硫0.163t/a、氮氧化物5.799t/a、烟粉尘0.357t/a、VOCs5.810 t/a、重金属砷1.620kg/a。项目需按照规定进行区域替代削减和排污权交易。具体总量指标由xx市生态环境局xx区分局管理部门核准和调配。129四、主要环境影响和保护措施施工期环境保护措施4.1施工期环境保护措施施工期环境保护措施4.1.1 施工废水施工废水建设项目施工期间产生的污水主要包括：含泥沙的施工废水、机械设备的冲洗水、生活污水等。含泥247、沙的施工废水和机械设备的冲洗废水难以定量，废水中污染物主要是 SS。施工废水就近修建沉淀池经过预处理后回用，不直接排入当地水环境。类比相似工程，施工营地人员生活污水产生量约为 40kg(人d)，废水产生量小。按施工时场地最大人数为100 人计，施工期产生的生活污水量为 4t/d。生活污水主要污染物为 SS、COD、BOD 等。本项目在厂区内修建化粪池用于处理施工人员的生活污水，不直接外排，避免对周围水体产生不利影响。4.1.2 施工废气施工废气施工期的主要大气污染为施工扬尘。在整个建设施工阶段，清场整地、挖 土、打桩、建材的运输和装卸以及混凝土搅拌等施工作业过程都会产生扬尘。施工扬尘会对周围环248、境带来一定影响。按起尘的原因，施工期间的扬尘可分为风力起尘和动力起尘。其中风力起 尘主要是由于露天堆放的建材（如黄沙、水泥等）及裸露的施工区表层浮尘由 于天气干燥及大风，产生风力扬尘；而动力起尘，主要是建材的装卸、搅拌的 过程中，由于外力而产生的尘粒再悬浮而造成，其中施工及装卸车辆造成的扬 尘最为严重。根据施工场地粉尘粒径、沉降特性等分析，建筑工地扬尘对大气 影响范围主要集中在 100m 以内。施工期间扬尘防治措施：施工场地四周设置围挡，高度不低于 2.5 米，该措施可以将施工扬尘影响距离缩小 40%；建筑材料定点堆存，施工场地地面要定时清扫，施工现场各扬尘点、地面和道路要每天定时洒水抑尘，洒249、水次数根据天气状况而定，一般早、晚各一次，若遇大风或干燥天气可适当增加洒水次数；工地出入口设置宽 3.5m、长 10m、深 0.2m130的水池，深入铺一层粒径 50mm 碎石，以减少驶出车辆轮胎带的泥土量；运输建筑材料的车辆要加盖篷布减少洒落。施工单位应落实xx市城市扬尘污染防治管理办法下列措施：（一）制定扬尘污染防治方案和应急预案；（二）设立信息公示牌，公示举报电话、扬尘污染防治措施、责任人、监 管主管部门等信息，鼓励在线监测数据向社会公开，接受社会监督；（三）工地周围设置硬质围挡措施，场内易扬尘堆放物应在周围设置不低 于堆放物高度的封闭性围栏，主体在建工程脚手架外侧必须使用密目式安全网 250、或更高效的防尘措施进行封闭；（四）工地出入口及场内主要道路进行硬化处理，工地出入口设置车辆清洗设施以及配套排水、泥浆沉淀设施，运输车辆经除泥、冲洗干净后，方可驶出施工工地。施工过程中，禁止使用超标排放的工程车辆和非道路移动机械；（五）开挖、拆除、爆破、洗刨、风钻等工程作业时，应采取洒水、喷雾等抑尘措施；（六）建筑土方、工程渣土、建筑垃圾等堆放物 48 小时内未能及时清运的，应采用密闭式防尘网遮盖等防尘措施；（七）项目竣工前，应平整施工工地并清除积土、堆放物。4.1.3 施工噪声施工噪声施工期噪声主要来自施工机械噪声、施工作业噪声和运输车辆噪声。施工机械噪声由施工机械所造成，如挖土机械、升降机等251、，多为点声源；施工作业噪声主要指一些零星的敲打声、装卸建材的撞击声、拆装模板的撞击声等，多为瞬间噪声；运输车辆的噪声属于交通噪声。在这些施工噪声中对声环境影响最大的是施工机械噪声。建设期主要施工机械设备的噪声源强见表 4.1-1，当多台机械设备同时作业时，产生噪声叠加，根据类比调查，叠加后的噪声增加 38dB，一般不会超过 10dB。131表表 4.1-1主要施工机械设备噪声强度主要施工机械设备噪声强度序号施工机械测量声级 dB距声源距离 m频谱特征1压路机73-8815低中频2前斗式装料机72-9615低中频3铲土机72-9315低中频4推土机67-7030低中频5钻土机67-7030低中频252、6平土机80-9015低中频7卡车70-9515低中频8混凝土泵送车72-9015宽频9混凝土振捣器69-8115中高频10夯土机83-9010中高频根据上表分析，由于施工期间施工机械噪声较高，而且一般施工机械均在露天操作，周边环境对噪声的衰减作用较为不利，因此施工设备噪声的干扰影响范围还是比较大的，因此必须采取以下措施，严格管理。（一）合理安排施工时间，不允许夜间施工，如需夜间施工，需办理夜间施工许可审批。获得审批后合理安排高噪声施工作业的时间，每天 22 点至次日凌晨 6 点禁止高噪声机械作业，并减少用哨音调度指挥，尽可能减少对周围地区的影响。严格按照xx市建设工程文明施工管理规定的要求控253、制产生环境噪声污染的建筑施工作业工噪声管理的有关规定执行，如需夜间施工必须另行申请并取得有关xx部门的批准。（二）严格执行建筑施工场界环境噪声排放标准（GB12523-2011）。（三）工地周围设立围护屏障，同时电可在高噪声设备附近加设可移动的简易隔声屏，尽可能减少设备噪声对环境的影响。（四）在工地布置时应考虑搅拌机等高噪声设备安置在离敏感点相对较远的一侧，运输车辆的进出口也建议安排在132该侧，并规定进、出路线，使行驶道路保持平坦，减少车辆的颠簸噪声和产生振动。（五）加强施工区附近交通管理，避免交通堵塞而增加的车辆鸣号综上，只要加强管理，切实落实好措施，施工期的噪声不会对周围环境产生不利影响254、。随着施工活动的结束，污染源及其对环境的影响也会在短时间内消除。4.1.4 施工固废施工固废施工期间主要固体废弃物为建筑渣土及施工人员的生活垃圾。项目施工地在基础开挖过程中会产生建筑渣土。应按照xx市建设工程文明施工管理规定等文件的相关要求及时外运、合理处置。（一）建设或者施工单位在工程开工前向市渣土管理处或者区、县环境卫生管理部门申报建筑垃圾、工程渣土排放处置计划，并与渣土管理部门签订环境卫生责任书。（二）建设工程竣工后，施工单位应当将工地的剩余建筑垃圾、工程渣土处理干净。（三）运输车辆的运输路线，由渣土管理部门会同公安交通管理部门规定。运输单位和个人应当按规定的运输路线运输。（四）建筑垃圾255、工程渣土分类堆放，临时储运场地四周应当设置 1 米以上且不低于堆土高度的遮挡围栏，并有防尘、灭蝇和防污水外流等防污染措施。（五）有回收利用价值的应加以回收利用。（六）生活垃圾集中收集，委托环卫部门统一清运。综上所述，施工期固废经妥善处置后，对环境影响不大。随着施工活动的结束，污染源及其对环境的影响也会在短时间内消除。133运营期环境影响和保护措施4.2 营运期环境影响和保护措施营运期环境影响和保护措施4.2.1 大气环境影响和保护措施大气环境影响和保护措施4.2.1.1 废气污染源强分析废气污染源强分析本项目产生的废气主要有：厂房排风（废热）、酸性废气、碱性废气、有机废气（含天然气燃烧废气）256、工艺尾气（含天然气燃烧废气）、锅炉废气及废水站废气。其中，厂房排风（废热）直接经屋顶排气筒排放；酸性废气经碱液喷淋塔处理系统进行处理后，由不低于 35m 排气筒排放；碱性废气经酸液喷淋塔处理系统进行处理后，由不低于 35m 排气筒排放；有机废气经沸石浓缩转轮焚烧系统处理后，由不低于 35m 排气筒排放；含砷工艺尾气经干式吸附 POU 净化装置（Point Of Use 装置）处理后不低于 35m 排气筒排放；非含砷工艺尾气经燃烧+水洗式 POU 净化装置处理后产生的尾气汇入酸性废气处理系统处理后，最终由不低于 35m 排气筒排放；每台锅炉设置超低氮燃烧器，锅炉废气达标后经每台锅炉设置的排气筒257、经 35m 排气筒排放；废水站废气经除臭系统处理后，经 30m 排气筒排放。本项目生产在超洁净密闭生产车间内进行，物料输送均为密闭全自动操作，杜绝跑冒滴漏无组织排放现象。设备各反应腔、气体物料储存及输送的管道及法兰通过设置双层套管，收集无组织逸散气体至相应类别废气处理系统处理。因此，本项目生产废气均为有组织排放。项目各种废气处理系统参数见下表 4.2-1。134表表 4.2-1 项目各种废气处理系统参数情况汇总项目各种废气处理系统参数情况汇总废气种类位置处理系统名称废气处理设施数量单套风量（m3/h）排气筒数量（个）排气筒高度（m）排气筒内径（m）排气筒编号排气温度（）实用（套）备用（套）一般258、排气芯片生产厂房（FAB）/6250000/酸性废气碱液喷淋吸收塔61500006+1351.5DA001-DA00720碱性废气酸液喷淋吸收塔31180003+1350.8DA008-DA01120有机废气沸石浓缩转轮焚烧系统31550003+1351.6DA012-DA01550工艺尾气（不含砷）POU 净化装置处理后纳入酸性废气处理系统/DA001-DA00720含砷工艺尾气POU 净化装置（干式吸附）1148001+1350.4DA016-DA01720废气处理设施天然气燃烧废气芯片生产厂房POU依托酸性废气排气系统依托/依托/DA001-DA007/芯片生产厂房沸石转轮天然气燃烧装置259、依托有机废气排气系统依托/依托/DA012-DA015/锅炉烟气动力站低氮燃烧3/3350.6DA018-DA020150废水处理站废气废水处理站碱喷淋+次氯酸钠喷淋1/300001301.0DA02120食堂油烟员工食堂油烟净化设施1/12000/135表表 4.2-2 项目各种废气处理系统项目各种废气处理系统风量设置风量设置参数情况汇总参数情况汇总生产单元生产工艺生产设施名称数量（台/套）一般排气系统酸性排气系统碱性排气系统有机排气系统含砷排气系统单个排风口风量单台设备排风风口数工艺总风量单个排风口风量单台设备排风风口数工艺总风量单个排风口风量单台设备排风风口数工艺总风量单个排风口风量单台260、设备排风风口数工艺总风量单个排风口风量单台设备排风风口数工艺总风量m3/h个m3/hm3/h个m3/hm3/h个m3/hm3/h个m3/hm3/h个m3/h湿法清洗湿法清洗湿法清洗机设备30800124000800372000300218000800124000/SCRUB 设备1050015000/成膜外延沉积EPI外延设备950029000300513500/介质沉积化学气相沉积设备34300110200300330600150315300/W-CVD 设备43001120030033600/136金属沉积物理气相沉积设备25300322500/氧化OX 炉管设备3930022340030261、0446800/Poly炉管设备1230027200300414400/SiN 炉管设备1030026000300412000/LPTEOS 炉管设备930025400300410800/图形化光刻涂胶设备40300112000300112000/300336000/HMDS 设备63001180030011800/烘烤设备830012400/20023200/曝光设备36300110800300110800/显影设备49300114700300114700150214700300229400/湿法刻蚀湿法刻蚀设备181501270015012700/800343200/湿湿法10150115262、0015011500/137法去胶去胶设备干法刻蚀干法刻蚀设备-AL162001320015012400/干法刻蚀设备-OX242001480015013600/干法刻蚀设备-POLY162001320015012400/干法刻蚀设备-SI420018001501600/干法刻蚀设备-SiN122001240015011800/干法刻蚀设备-去硅渣5200110001501750/W 刻蚀设备420018001501600/138UV 烘烤设备6200112001501900/Trench 刻蚀设备320016001501450/HARDBAKE 设备230016001501300/干法去胶打263、胶设备1520013000/20026000/干法去胶设备4020018000/20018000/功能化退火合金设备7400411200/炉管退火设备55300233000/注入后快速退火设备830024800/离子注入注入机3220021280015014800/15014800化学W-CMP 设备32002120015014501501450/139机械研磨OX-CMP 设备320021200/硅片背面加工湿法清洗后段清洗设备31501450800372002002120080037200/清洗后干燥设备31501450/贴膜贴膜设备815011200/硅片减薄减薄设备915011350/264、揭膜揭膜设备815011200/金属沉积蒸发设备1915025700/检验测试参数测试设备3915015850/线宽测试仪41501600/颗粒测试915011350/140仪膜厚测试仪1015011500/电阻测试仪715011050/硼磷浓度测试设备415016001501600/OVEN 设备11501150/CP 测试设备11501150/设备和备件清洗清洗片盒清洗设备46001240060012400/炉管清洗机设备36001180060011800/备件清洗设备26001120060011200/备件烘箱21501300/辅助辅助激光打标设备51501750/141（1）一般排气系265、统）一般排气系统一般废气产生于芯片生产厂房（FAB）。该系统排放一般工艺热气，不需经处理而直接排放。（2）酸性废气）酸性废气酸性废气产生于芯片生产厂房（FAB），主要来源于生产工艺过程中的湿法清洗、湿法刻蚀工段及化学机械研磨等工序，主要污染物为氟化物、氯化氢、硫酸雾、氮氧化物、氨气和恶臭等，具体情况如下：湿法清洗工序：包括硅片清洗和辅助设备清洗，清洗液主要包括氢氟酸、硫酸、盐酸溶液，产生少量氟化物、氯化氢、硫酸雾等挥发酸性废气，纳入酸洗废气处理系统进行处理，剩余氢氟酸、硫酸、盐酸溶液进入废水，分别排入含氟废水处理系统和酸碱废水处理系统。湿法刻蚀工序：主要用到刻蚀液（BOE、压点腐蚀液、氢氟酸、266、硝酸、混酸 4F、镍银腐蚀液、铝腐蚀液、盐酸），少量进入废气，部分刻蚀液作为危险废物委外处置，其余分别排入含氟废水处理系统和酸碱废水处理系统。湿法去胶：主要用到硫酸溶液，产生少量硫酸雾等挥发酸性废气，其余溶液进入废水，排入酸碱废水处理系统。返工&回收设备6/800148001503270080014800/实验室实验室通风橱设备16001600/废气治理系统总废气治理系统总收集风量合计收集风量合计/282250/284250/52350/161800/4800废气治理系统设废气治理系统设计总收集风量计总收集风量（考虑损耗）（考虑损耗）/300000/300000/54000/165000/48267、00142化学研磨工序：主要使用氢氟酸溶液，产生少量氢氟酸等挥发酸性废气，其余溶液进入废水，排入含氟废水处理系统。背面加工（湿法清洗和刻蚀）：主要用到清洗液（氢氟酸）和刻蚀液（811 腐蚀液、211 腐蚀液、镍银腐蚀液），少量进入废气，部分作为危险废物委外处置，其余分别排入含氟废水处理系统和酸碱废水处理系统。项目拟设置碱液喷淋塔对酸性废气进行处理，处理后由不低于 35m 排气筒排放。酸性废气处理系统主要由废气洗涤塔、通风机、排气管和加药系统等组成。废气先由排气管道输入废气洗涤塔，吸收液为氢氧化钠溶液，碱液经回圈喷洒而下，利用氢氧化钠溶液作吸收液净化酸雾废气，由于酸性废气整体产生浓度低，该装置对268、酸性废气吸收效率保守按 60%计，酸性废气经洗涤塔处理达标后排入大气。通过物料衡算，生产过程中各类酸性废气污染源强表见下表 4.2-3。表表 4.2-3 项目酸性废气产生及排放情况汇总项目酸性废气产生及排放情况汇总污染源产生工序相关物料污染物产生量（kg/a）产生速率（kg/h）处理措施处理效率有组织排放量（kg/a）排放速率（kg/h）一般酸性废气湿法清洗氢氟酸HF以 F 元素计355.510.041酸性废气洗涤塔（碱液喷淋装置）60%142.2040.016盐酸HCl以 Cl 元素计348.210.040/以 HCl 计358.020.04160%143.2080.016硫酸硫酸雾590.269、250.06760%236.1000.027光刻0.95%F2/3.5%Ar/Ne、0.95%F2/1.25%Kr/NeHF以 F 元素计1.380.000260%0.5520.0001湿法刻蚀BOE、压点腐蚀液、氢氟酸、混酸 4FHF以 F 元素计33830.38660%1353.2000.154BOE、压点腐蚀液、硝酸、混酸 4F、镍银腐蚀液、铝腐蚀液NOx以 N 元素计537.430.061/以 NO2计1765.840.20260%706.3360.081143盐酸HCl以 Cl 元素计547.180.062/以 HCl 计562.590.06460%225.0360.026BOE、压270、点腐蚀液氨气以 N 元素计307.150.035/以 NH3计372.970.04350%186.4850.021湿法去胶硫酸硫酸雾3344.640.38260%1337.8560.153化学机械研磨氢氟酸HF以 F 元素计237.010.02760%94.8040.011背面加工（湿法清洗和刻蚀）氢氟酸、811 腐蚀液、211 腐蚀液HF以 F 元素计4034.920.46160%1613.9680.184811 腐蚀液、211 腐蚀液、镍银腐蚀液NOx以 N 元素计1857.430.212/以 NO2计6102.980.69760%2441.1920.279辅助（设备和备件清洗）氢氟酸HF271、以 F 元素计118.50.01460%47.4000.005硝酸NOx以 N 元素计23.420.003/以 NO2计76.950.00960%30.7800.004盐酸HCl以 Cl 元素计99.490.011/以 HCl 计102.290.01260%40.9160.005根据同类型企业类比，酸洗废气中恶臭（臭气浓度）产生浓度 300500（无量纲），经酸性废气洗涤塔（碱液喷淋塔）处理后，排气筒排放的恶臭（臭气浓度）浓度 150250（无量纲）。144图图 4.2-1 酸性废气处理系统示意图酸性废气处理系统示意图（4）碱性废气）碱性废气项目生产中碱性清洗、显影、化学机械研磨、CVD 沉积272、工序中将产生氨气和恶臭，具体情况如下：湿法清洗、湿法刻蚀清洗和化学机械研磨工序：主要用到氨水，氨水绝大部分进入高浓度氨氮废水处理系统进行处理，少量进入废气排入碱性废气洗涤塔处理。碱性废气处理系统排水进入酸碱废水处理系统进行处理。CVD 沉积工序：主要用到氨气，氨气少部分参与 CVD 反应，大部分进入废气，工艺尾气全部排入“等离子解离”POU，经 POU 装置处理后再进入碱性废气洗涤塔处理后排放；POU 净化装置及碱性废气洗涤塔排水进入低浓度氨氮废水处理系统处理。项目车间为洁净厂房，项目机台与废气管道连接，产生的废气能全部收集进入碱性废气处理系统。项目拟设置酸液喷淋塔对碱性废气进行处理，处理后由273、不低于 35m 排气筒排放。145碱性废气处理系统主要由废气洗涤塔、通风机、排气管和加药系统等组成。废气先由排气管道输入废气洗涤塔，酸液经回圈喷洒而下，形成雾状，含碱废气经废气洗涤塔处理，利用硫酸溶液作中和吸收液净化含碱废气，该装置对碱性废气的吸收效率为 80%95%左右（本项目以 85%计）。通过物料衡算，本项目碱性废气排放源强见表 4.2-4。表表 4.2-4 项目碱性废气产生及排放情况汇总项目碱性废气产生及排放情况汇总污染源产生工序相关物料污染物产生量（kg/a）产生速率（kg/h）处理措施经 POU 处理后经碱性废气洗涤塔处理后处理效率排放量（kg/a）排放速率（kg/h）处理效率排放274、量（kg/a）排放速率（kg/h）碱性废气湿法清洗氨水氨气以 N元素计2568.380.293碱性废气洗涤塔（酸液喷淋塔）/以 NH3计3118.750.356/85%467.8130.053湿法刻蚀清洗氨水氨气以 N元素计550.370.063/以 NH3计668.310.076/85%100.2470.011化学机械研磨氨水氨气以 N元素计550.370.063/以 NH3计668.310.076/85%100.2470.011CVD沉积氨气氨气以 N元素计1742.490.199scrubber（POU）+碱性废气洗涤塔/以 NH3计2115.880.24290%211.5880.024275、85%31.7380.004根据同类型企业类比，碱性废气中恶臭（臭气浓度）产生浓度 500010000（无量纲），经碱性废气洗涤塔（酸液喷淋塔）处理后，排气筒排放的恶臭（臭气浓度）浓度 4002000（无量纲）。146图图 4.2-2 碱性废气处理系统示意图碱性废气处理系统示意图（5）有机废气）有机废气项目有机废气主要来源于光刻涂胶、固胶、去胶、有机清洗等过程，主要有机污染物为 IPA、NMP、光刻胶等，具体情况如下：光刻涂胶工序：根据企业提供的资料，光刻胶滴在硅片表面，同时硅片进行旋转，部分光刻胶将甩掉，而后采用光刻胶洗边剂对芯片侧边附着光刻胶进行清洗，将产生废 EBR（含废光刻胶）；附着在276、芯片表面的光刻胶在光刻固化工序少量挥发进入废气；其余通过剥离液剥离去除（进入废去光阻剂中）。去胶工序：去光阻剂、丙酮、NMP 等用于湿法去除光刻胶，使用时物料中少量挥发进入废气，少量通过清洗进入废水，大部分收集进入废去光阻剂中作为危废处置。干燥洗工序：异丙醇在干燥芯片工序中使用，少量异丙醇将挥发进入废气，部分进入废水，剩余进入废异丙醇作为危废处置。显影工序：使用 TMAH 正胶显影液，使用时物料中少量挥发进入废气，少量通过清洗进入废水，剩余收集作为危废委外处置。147项目车间为洁净厂房，项目机台与废气管道连接，产生的废气能全部收集进入有机废气处理系统，项目拟设置沸石浓缩转轮焚烧系统对有机废气进277、行处理，处理后分别由不低于 35m 排气筒排放。有机废气处理系统主要由风机、内装沸石的转轮、热交换器和浓缩气体燃烧器等组成。转轮由一组电机带动旋转，通过机械变换，使转速控制在每小时 5-6 转，整个系统通过吸附解析冷却三个过程，周而复始，动态循环。低浓度废气通过沸石吸附（吸附效率为 92%）后，有机物焚烧去除效率 98%，总体去除效率为 90%；解吸废气（约占废气总量的 10%）进入燃烧器燃烧后排放。通过物料衡算，本项目有机废气排放源强见表 4.2-5。表表 4.2-5 项目有机废气产生及排放情况汇总项目有机废气产生及排放情况汇总污染源产生工序相关物料污染物产生量（kg/a）产生速率（kg/h278、）处理措施处理效率排放量（kg/a）排放速率（kg/h）有机废气光刻BARC 光刻胶BARC（以非甲烷总烃计）1230.014沸石转轮吸附脱附燃烧90%12.30.001EBR 边胶清洗剂EBR（以非甲烷总烃计）175572.00490%1755.70.200HMDS 增粘剂HMDS（以非甲烷总烃计）13910.15990%139.10.016PR 光阻（光刻胶）丙二醇甲醚乙酸酯（以非甲烷总烃计）29810.34090%298.10.034显影TMAH 正胶显影液四甲基氢氧化铵（以非甲烷总烃计）780.00990%7.80.001湿法去胶CH3COCH3丙酮丙酮（以非甲烷总烃计）23760.2279、7190%237.60.027NMPNMP（以非甲烷总烃计）6890.07990%68.90.008ANJICS1000ANJICS1000（以非甲烷总烃计）11180.12890%111.80.013148EKC 光阻去除剂EKC（以非甲烷总烃计）32100.36690%321.00.037干燥洗IPA（异丙醇）IPA（以非甲烷总烃计）285763.26290%2857.60.326图图 4.2-3 有机废气处理系统示意图有机废气处理系统示意图（6）含砷工艺废气）含砷工艺废气本项目砷元素通过离子注入工艺部分进入芯片，剩下砷元素通过含砷废气排入干式吸附 POU 净化装置（Point Of Us280、e装置）吸附处理后经不低于 35m 排气筒排放，本项目砷元素不进入废水系统。通过物料衡算，含砷工艺废气排放源强见见表 4.2-6。表表 4.2-6 项目含砷废气产生及排放情况汇总项目含砷废气产生及排放情况汇总污染源产生工序相关物料污染物产生量（kg/a）产生速率（kg/h）处理措施经 POU 处理后处理效率排放量（kg/a）排放速率（kg/h）含砷废气离子注入AsH3砷烷砷烷以砷元素计15.550.002Scrubber（POU 干式吸附）/以砷烷计16.170.00290%1.6170.0002149图图 4.2-4 含砷废气处理系统示意图含砷废气处理系统示意图（7）工艺废气（不含砷）工艺废281、气（不含砷）工艺废气产生于芯片生产厂房（FAB），主要来自 CVD、快速升降温、干法刻蚀、热氧化、离子注入等工序，尾气中含有氟化物、氯化氢、氮氧化物、氯气、磷烷、硅烷，具体情况如下：硅外延工序：1）HCl、SiH2Cl2、SiHCl3用于硅外延，反应生成 HCl 等工艺尾气，全部进入“燃烧+水洗式”POU；2）PH3-H2用于硅外延，相应设备中作为反应气体及掺杂气体，仅约 10%进入产品制程中，其余绝大部分作为工艺尾气，全部进入“燃烧+水洗式”POU。CVD 工序：1）ClF3用于腔体清洁，工艺尾气进入“等离子解离”POU，少量气体会沉积于机台上；2）SiF4、WF6、NF3、ClF3、C2F282、6等用于 CVD 工序，主要废气为 SiF4以及未反应的废气，全部排入“等离子解离”POU，经 POU 装置处理后再进入酸性废气洗涤塔处理后排放；POU 净化装置及酸性废气洗涤塔排水进入含氟废水处理系统处理；3）N2O、NF3用于 CVD 工序，大部分废气反应生产 N2，剩余排入“等离子解离”POU。4）5%PH3-N2、TEPO、1%PH3-He、1%PH3-N2、5%PH3-He 用于 CVD 工序，相应设备中作为反应气体及掺杂气体，150仅约 10%进入产品制程中，其余绝大部分作为工艺尾气，全部进入“等离子解离”POU。5）硅烷用于 CVD 工序，主要废气为 SiF4以及未反应的废气，全283、部排入“等离子解离”POU。热氧化工序：C2H4Cl2、POCl3用于热氧化，反应生成 HCl 等工艺尾气，全部进入“等离子解离”POU；干法刻蚀工序：1）BCl3、Cl2用于干刻工序，其中 Cl2约 30%参与反应生成 HCl 气体，剩下 70%Cl2及反应生成的 HCl 气体进入“干式吸附”POU，BCl3未反应和反应生成的工艺尾气全部进入“干式吸附”POU，少量气体会沉积于机台上；2）C4F6、C4F8、CF4、CH2F2、CH3F、CHF3、SF6、NF3等用于干刻工序，上述气体刻蚀后产生的废气主要为 SiF4，以及未反应的废气，产生的工艺尾气排入“等离子解离”POU，经 POU 装置284、处理后再进入酸性废气洗涤塔处理后排放；POU 净化装置及酸性废气洗涤塔排水进入含氟废水处理系统处理。3）NF3用于干法刻蚀工序，大部分废气反应生产 N2，剩余排入“等离子解离”POU。4）HBr 用于干刻工序，产生的废气主要为 SiBr4，以及未反应的废气，产生的工艺尾气排入“干式吸附”POU。离子注入工序：1）BF3用于离子注入工序，废气主要为未反应的废气，产生的工艺尾气全部排入“干式吸附”POU，经 POU 装置处理后再进入酸性废气洗涤塔处理后排放，酸性废气洗涤塔排水进入含氟废水处理系统处理。2）PH3用于离子注入工序，相应设备中作为反应气体及掺杂气体，仅约 10%进入产品制程中，其余绝大285、部分作为工艺尾气，全部进入“干式吸附”POU。工艺尾气经“POU 净化装置+酸性废气处理系统”处理后，经 35m 排气筒排放。POU 净化装置根据处理废气种类的不同，分别采用燃烧+水洗、等离子解离、干式吸附等处理方式。由于经 POU 净化后的工艺废气整体产生浓度低，酸性废气喷淋塔对工艺废气吸收效率保守按 60%计（其中硅外延、151热氧化和离子注入过程产生的磷烷废气经 POU 净化后浓度很低，酸性废气喷淋塔吸收效率按 0 计），通过物料衡算，不含砷工艺废气排放源强见见表 4.2-7。表表 4.2-7 项目工艺废气（不含砷）产生及排放情况汇总项目工艺废气（不含砷）产生及排放情况汇总污染源产生工序286、相关物料污染物产生量（kg/a）产生速率（kg/h）处理措施经 POU 处理后经酸性废气喷淋塔处理后处理效率排放量（kg/a）排放速率（kg/h）处理效率排放量（kg/a）排放速率（kg/h）不含砷工艺尾气硅外延DCS（SiHCl3）、HCL、TCS（SiH2Cl2）氯化物以Cl元素计33948.163.875scrubber（POU）+酸性废气洗涤塔/以 HCl 计34904.453.98590%3490.4450.39860%1396.1780.159PH3-H2磷烷以 P 元素计0.880.0001/以 PH3计0.970.0001/0.970.0001/0.970.0001CVD沉积S287、iF4、WF6、NF3、ClF3、C2F6氟化物以 F 元素计22498.642.56890%2249.8640.25760%899.9460.103N2O、NF3NOx以 N 元素计2484.230.284/以 NO2计8162.470.93290%816.2470.09360%326.4990.037硅烷硅烷50760.57990%507.6000.05860%203.0400.023ClF3氯化物以Cl元素计132.990.015/以 HCl 计136.740.01690%13.6740.00260%1.5900.0005%PH3-N2、TEPO、1%PH3-He、磷烷以 P 元素计36288、.240.004/以 PH3计39.750.00590%3.9750.000560%5.4700.0011521%PH3-N2、5%PH3-He热氧化DCE（C2H4Cl2）POCl3氯化物以Cl元素计41.280.005/以 HCl 计42.440.00590%4.2440.000560%1.6980.0002POCl3磷烷以 P 元素计5.580.0006/以 PH3计6.120.000790%0.6120.0001/0.6120.0001干法刻蚀C4F6、C4F8、CF4、CH2F2、CH3F、CHF3、SF6、NF3氟化物以 F 元素计13496.571.54190%1349.6570289、.15460%539.8630.062NF3NOx以 N 元素计215.980.025/以 NO2计709.650.08190%70.9650.00860%28.3860.003HBrHBr22500.25790%225.0000.02660%90.0000.010Cl2Cl2以Cl元素计2204.780.252/以 Cl2计4409.560.50390%440.9560.05060%176.3820.020BCl3、Cl2氯化物以Cl元素计2007.860.229/以 HCl 计2064.420.23690%206.4420.02460%82.5770.009离子注入BF3氟化物以 F 元素290、计218.380.02590%21.8380.00260%8.7350.001PH3磷烷以 P 元素计8.190.001/以 PH3计8.980.00190%0.8980.0001/0.8980.0001153图图 4.2-5 工艺尾气（不含砷）废气处理系统示意图工艺尾气（不含砷）废气处理系统示意图（8）天然气燃烧废气）天然气燃烧废气本项目沸石转轮焚烧系统、燃烧式 POU 净化装置（工艺尾气处理）、燃气锅炉均使用天然气做燃料，天然气燃烧废气主要污染物为 SO2、NOx，还有少量烟尘产生。基准烟气量、二氧化硫、氮氧化物系数采用第二次全国污染源普查工业源产排污系数手册中 4430 工业锅炉行业系数291、，颗粒物系数采用排污许可证申请与核发技术规范 锅炉（HJ953-2018）表 F.3 燃气工业锅炉的废气产排污系数。天然气燃烧废气各污染物产污系数见表 4.2-8。154表表 4.2-8 天然气废气污染物产污系数天然气废气污染物产污系数类型污染物产污系数产污系数依据燃气废气烟气量107753Nm3/万 m3燃料第二次全国污染源普查工业源产排污系数手册二氧化硫0.02Skg/万 m3燃料氮氧化物18.71kg/万 m3燃料氮氧化物（低氮燃烧）3.03kg/万 m3燃料颗粒物2.86kg/万 m3燃料排污许可证申请与核发技术规范 锅炉（HJ953-2018）备注：1、根据xx地区目前所用天然气质量292、情况，天然气中硫化物按照 60mg/m3计。2、参考工业锅炉污染防治可行技术指南（HJ1178-2021）表 1 烟气污染防治可行技术，天然气燃料采用“扩散式燃烧器、扩散式燃烧器+烟气再循环、贫燃预混式燃烧器、水冷预混式燃烧器”中任意一种可行技术可实现颗粒物10mg/m3标准限值。因此本项目天然气锅炉颗粒物排放浓度按 10mg/m3核算。本项目设置天然气蒸汽锅炉作为项目备用热源，当蒸汽管网故障维修期间，启动备用蒸汽锅炉供热，蒸汽管网故障维修全年按 10 天计算。本项目 3 台天然气锅炉采用低氮节能型燃气热水锅炉，其他均采用直燃式燃烧机燃烧供热。天然气燃烧排放的各污染物量见下表 4.2-9。表表293、 4.2-9 天然气燃烧废气排放情况一览表天然气燃烧废气排放情况一览表产生源天然气设计用量（Nm3/h）生产时间（h/a）天然气用量（万 m3/a）SO2排放量（t/a）NOx排放量（t/a）颗粒物排放量（t/a）烟气量 Nm3单根排气筒排放浓度mg/m3排气筒编号SO2NOx颗粒物燃烧式POU36876031.540.0380.5900.09033985300.0200.2200.040DA001-DA007沸石转轮焚烧99876086.720.1041.6230.24893443400.0731.1270.164DA0012-DA015天然气锅炉73124017.540.0210.0530294、.019188998811.1128.0410DA018-DA020合计/135.800.1632.2660.388/由上表可知，本项目沸石转轮焚烧系统、燃烧式 POU 净化装置（工艺尾气处理）、燃气锅炉设施的燃气废气满足155工业炉窑大气污染综合治理方案(环大气201956 号)中烟尘200mg/Nm3、SO2200mg/Nm3、NOx300mg/Nm3的排放限值标准要求；锅炉燃气废气排放满足锅炉大气污染物排放标准（DB3301/T0250-2018）表 1 及xx省空气质量改善“十四五”规划中新建燃气锅炉的氮氧化物排放浓度原则上稳定在 30mg/m3以下的要求。根据设计方案，沸石转轮焚烧系295、统燃气废气通过 3 根不低于 35m 排气筒排放，POU 净化装置燃气废气依托酸性废气的 6 根不低于 35m 排气筒排放，天然气锅炉燃气废气通过 3 根不低于 35m 排气筒排放。（9）食堂油烟）食堂油烟食堂油烟废气收集后经油烟净化设备处理后排放。企业食堂共设 6 个基准灶头，为大型规模饮食业。本项目劳动定员 800 人，食用油消耗量以 3kg/100 人d 计，则全年消耗食用油量为 8.76t，烹饪过程中的挥发损失约 2%，则食堂油烟产生量为 0.175t/a。油烟经集气罩收集并经油烟净化器净化后高空排放，总收集风量为 12000m3/h，以日平均运行 4h，年运行 365 天，油烟净化效296、率以 85%计，油烟排放量为 0.026t/a，排放浓度 1.48mg/m3，符合 饮食业油烟排放标准（试行）（GB18483-2001）中 2.0mg/m3的标准限值。（10）污水处理设施恶臭）污水处理设施恶臭本项目废水站废气主要来源于有机废水处理过程中产生的恶臭，主要污染物为 NH3、H2S。项目污水处理站内所有池体均加盖密封处理，所有污水处理站内加盖罐体（其xx氧处理及研磨废水收集池设置有鼓风系统）排气经抽风装置收集后，经碱喷淋+次氯酸钠喷淋处理后，经 15m 排气筒排放。NH3和 H2S 的排放源强根据同类企业污水处理设施的类比调查数据，各处理单元运行过程中 NH3和 H2S 的排放系297、数根据本工程所设计的各装置的面积，计算本工程废气污染物排放量，NH3和 H2S 的排放系数见表 4.2-10。156表表 4.2-10 污水处理设施污水处理设施 NH3和和 H2S 常规排放系数常规排放系数污染物名称NH3(mg/s.m2)H2S(mg/s.m2)污水处理设施0.0040.02210-41.210-3本项目污水处理站加盖面积 1750m2。收集到臭气通过碱喷淋+次氯酸钠喷淋处理后通过不低于 30m 高排气筒高空排放。本项目排放系数取 NH3：0.02(mg/s.m2)、H2S：1.210-3(mg/s.m2)，污水站产生的臭气浓度类比绍兴中芯污水站约 3000（无量纲），污水站298、运行时间按 8760h 计，则全年氨产生量 1.104t/a，硫化氢产生量 0.066t/a，收集效率取 90%、除臭治理效率取 80%，风机设计风量 30000m3/h，则项目污水处理站臭气污染物产生及排放情况见表 4.2-11。表表 4.2-11 污水处理站臭气污染物产生及排放情况污水处理站臭气污染物产生及排放情况污染源排放形式产生情况处理措施处理效率排放情况产生量(t/a)产生速率（kg/h）产生浓度(mg/m3)排放量（t/a）排放速率（kg/h）排放浓度(mg/m3)污水处理设施恶臭G7氨有组织0.9940.1133.77碱喷淋+次氯酸钠喷淋处理后排放，风量 30000m3/h80%299、0.1990.0230.77无组织0.1100.013/0.110.013/硫化氢有组织0.0590.0070.2380%0.0120.0010.03无组织0.0070.001/0.0070.001/臭气浓度3000（无量纲）600（无量纲）由上表可知，项目污水处理站氨、臭气浓度和硫化氢排放满足恶臭污染物排放标准(GB14554-93)二级标准要求。（11）无组织废气无组织废气本项目生产在超洁净密闭生产车间内进行，物料输送均为密闭全自动操作，杜绝跑冒滴漏无组织排放现象。设备各反应腔、气体物料储存及输送的管道及法兰通过设置双层套管，收集无组织逸散气体至相应类别废气处理系统处理。因此，本项目生产废300、气均为有组织排放。本项目无组织排放主要产生于化学品库储存的化学品挥发，以及废水处理站的少量溢出气体，具体分析如下：157化学品的储存过程本项目化学品（含气体）根据生产需要由供应商负责储存、运输、供货，本项目大宗气体均由厂家供应，钢瓶瓶装，暂存于厂内化学品库内，不涉及气体生产。特殊气体采用钢质高压容器，工艺中所使用化学品的储存全部采用不锈钢、或不锈钢聚已烯内胆、或锰钢等钢质桶、罐密封后用车运的方式运输入厂，然后根据其不同的用途和性质分别储存在化学品库、生产厂房（车间内的化学品供应间）和特气柜内等。特气供应时，将装有特气的密闭钢瓶使用叉车转运到对应的使用车间特气暂存间，放置于特气柜中暂存，气柜中设301、置有抽风装置。特气供应采用密闭管道供应到各使用机台，特气在贮存和使用过程中均安装在特气柜中，当特气供应时管路连接完成后方可开启钢瓶阀，基本无无组织排放。氢气和氮气通过密闭管道输送到纯化间内纯化后，经密闭管道输送到生产车间，供应到各使用机台。特气在输送至生产工序时管道采用双层套管，避免了物料的跑、冒、滴、漏。项目化学品库整体集气，将储存过程中产生的极少量酸性废气、有机废气进行收集后高空排放，可消除化学品库的无组织排放情况。液态危险化学品根据化学品的性质分类储存在化学品库中的对应隔间内，由于液态化学品由塑料桶或玻璃瓶密封储存，部分易挥发有机物（丙酮和异丙醇等）、氨水、氯化氢可能会在开闭盖的过程中有302、微量 VOCs、酸性废气等散逸到环境中，造成少量无组织排放。通过供应间排风系统接至相应的废气排气筒后有组织排放，可消除生产车间的无组织排放情况。化学品的使用过程项目除少量化学品直接运送至生产车间内机台使用点外，其余均在生产厂房内的化学品供应间内进行供应。化学品供应间设置有排风系统，根据供应化学品的性质将排风与厂区酸性和有机排风系统连接。将化学品供应过程中散逸的废气排入相应的废气处理系统排放，消除了该过程中的无组织排放。本项目生产车间为洁净室，全封闭式操作，有机废气、酸碱废气、工艺尾气从机台内通过密闭管全部抽送到对应的废气处理系统处理，再通过对应排气筒排放，无无组织排放158情况。污水处理站项目303、废水处理站内污水处理过程中会有少量恶臭废气产生，主要污染物为氨、硫化氢等。项目污水处理站内所有池体均加盖密封处理，可有效控制废水站恶臭的产生。项目高浓度氨氮废水处理系统中，高浓度氨氮废水吹脱吸附装置采用内循环设计，可最大限度降低废气无组织排放。本项目废气源强汇总情况见下表 4.2-12。表表 4.2-12 项目各类废气排放污染物源强表（单根排气筒）项目各类废气排放污染物源强表（单根排气筒）废气种类排气筒数量（个）排风量m3/h排气筒高度m内径(m)污染物处理前处理后处理效率排放标准排放方式排放浓度mg/m3排放速率kg/h排放浓度mg/m3排放速率kg/h排放浓度mg/m3排放速率kg/h酸性304、废气 G1和 G46+1(DA001DA007)50000 35 1.5硫酸酸雾1.5000.0750.6000.03060%4511.9连续8760h氟化物4.4800.2241.8000.09060%9.00.8HCl1.7800.0890.7200.03660%1002.0硅烷0.2000.0100.0800.00460%3.05.0磷烷0.0020.00010.0020.00010%1.00.8Cl20.1600.0080.0600.00363%651.9HBr0.0800.0040.0320.001660%5.00.144NH30.1400.0070.0800.00443%/27NO305、x3.2400.1621.4200.07156%2406.0SO20.0200.0010.0200.0010%200/颗粒物0.0400.0020.0400.0020%30/159臭气浓度（无量纲）300-500/150-250/50%15000/碱性废气 G23+1(DA008DA011)17000 351NH310.1500.1821.5550.02885%/27连续8760h臭气浓度（无量纲）5000-10000/400-2000/80%15000/有机废气 G33+1（DA012DA015）55000 35 1.6其他 VOCs18.7821.0331.8730.10390%12076306、.5连续8760h丙酮1.6360.0900.1640.00990%8030.6IPA19.7641.0871.9820.10990%4023VOCs 合计40.2002.2114.0180.22190%12076.5NOx1.1270.0621.1270.0620%300/SO20.0730.0040.0730.0040%200/颗粒物0.1640.0090.1640.0090%30/含砷工艺废气 G51+1（DA016DA017）4500 35 0.4砷烷0.4170.0020.0420.000290%1.00.3连续8760h锅炉燃烧废气3（DA018DA020）/35 0.6NOx28307、.0400.00628.0400.006/30/连续240hSO211.1100.00211.1100.00220/颗粒物10.0000.00110.0000.00110/废水处理站废气1（DA021）30000 30 1.0NH3有组织3.770.1130.770.02380%/20连续8760h无组织/0.013/0.013/H2S有组织0.230.0070.030.00180%/1.3无组织/0.001/0.001/臭气浓度（无量纲）3000/600/80%6000/从表中可见，通过相应的废气处理系统处理后，本项目氨、硫化氢、臭气浓度可达到恶臭污染物排放标准（GB14554-93）二级标308、准要求；丙酮可达到上海大气污染物综合排放标准（DB31/933-2015）中附录 A 标准要求；160砷烷、异丙醇可达到江苏省地方标准半导体行业污染物排放标准（DB32/3747-2020）表 3 大气污染物排放限值要求；锅炉烟气能满足锅炉大气污染物排放标准(DB3301/T0250-2018）；其余指标能满足大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）表 2 的二级标准废气污染物排放统计。根据大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）相关规定，“两个排放相同污染物(不论其是否由同一生产工艺过程产生)的排气筒，若其距离小于其几何高度之和，应合并视为一根等效排气筒。若有三根以上的309、近距排气筒，且排放同一种污染物时，应以前两根的等效排气筒，依次与第三、四根排气筒取等效值”。经计算，本项目排放同种污染物的生产废气排气筒均应分别进行等效。本项目排气筒等效后废气污染物排放情况下表。从表 4.2-13 中可知，本项目排气筒等效后，生产废气可达到相应标准要求。表表 4.2-13 项目项目排气筒等效后废气污染物排放情况排气筒等效后废气污染物排放情况汇总汇总废气种类污染物单根排气筒等效排气筒排放标准达标情况高度（m）废气风量（mg/m3）排放速率（kg/h）个数高度（m）排放速率（kg/h）排放速率（kg/h）酸性废气DA001-DA007硫酸酸雾35500000.0301350.18310、011.9达标氟化物0.090.5400.8达标HCl0.0360.2162.0达标硅烷0.0040.0245.0达标磷烷0.00010.00060.8达标Cl20.0030.0181.9达标HBr0.00160.00960.144达标NH30.0040.02427达标NOx0.0710.4266.0达标SO20.0010.006/达标颗粒物0.0020.012/达标161碱性废气DA008-DA011NH335170000.0281350.08427达标有机废气DA0012-DA015其他 VOCs35550000.1051350.31576.5达标丙酮0.0090.02730.6达标IPA311、0.1090.32723达标VOCs 合计0.2230.66976.5NOx0.0620.186/达标SO20.0040.012/达标颗粒物0.0090.027/达标含砷废气DA016-DA017砷烷3545000.00021350.00040.3达标注：1、氨气执行恶臭污染物排放标准（GB14554-93）；2、砷化氢、磷化氢参照执行上海市大气污染物综合排放标准（DB 31/9332015）；3、锅炉烟气执行xx市锅炉大气污染物排放标准（DB 3301/T 0250-2018）；4、其余指标执行大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）表 2 的二级标准。从表中可知，本项目排气筒等312、效后，氨可达到恶臭污染物排放标准（GB14554-93）二级标准要求；丙酮可达到上海大气污染物综合排放标准（DB31/933-2015）中附录 A 标准要求；砷烷、异丙醇可达到江苏省地方标准半导体行业污染物排放标准（DB32/3747-2020）表 3 大气污染物排放限值要求；其余指标能满足大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）表 2 的二级标准废气污染物排放统计。表表 4.2-14 项目实施后废气排放情况汇总表项目实施后废气排放情况汇总表污染物名称产生量 t/a削减量 t/a排放量 t/aHCl37.15335.2991.854氟化物44.34439.6434.701氨气8.0313、486.8521.196硫酸酸雾3.9352.3611.574162Cl24.4104.2340.176硅烷5.0764.8730.203磷烷0.0500.0470.003HBr2.2502.1600.090砷烷16.170 kg/a14.550 kg/a1.620kg/aNOx19.08413.2855.799SO20.16300.163颗粒物0.35700.357非甲烷总烃58.09952.2895.810硫化氢0.0660.0470.0194.2.1.2 非正常排放情况非正常排放情况非正常排放包括生产过程开停车、设备检修、工艺设备运转异常等非正常工况下污染物排放，以及污染物防控措施达不到314、应有效率的情况下的排放。非正常排放情况如下表4.2-15。表表4.2-15 非正常排放非正常排放情况情况序号非正常排放源非正常排放原因污染物非正常排放浓度，mg/m3非正常排放速率，kg/h单次持续时间年发生频次/次应对措施1酸性废气DA001-DA007废气设施故障，去除率按 0计硫酸酸雾1.5000.0750.5h1定期检查，加强运行管理。建立污染物排放和控制台账并保存记录2氟化物4.4800.2243HCl1.7800.0894硅烷0.2000.0105磷烷0.0020.00016Cl20.1600.0087HBr0.0800.0041638NH30.1400.0079NOx3.2400315、.16210SO20.0200.00111颗粒物0.0400.00212碱性废气DA008-DA011废气设施故障，去除率按 0计NH310.1500.1820.5h113有机废气DA0012-DA015废气设施故障，去除率按 0计其他 VOCs18.7821.0330.5h114丙酮1.6360.09015IPA19.7641.08716VOCs 合计40.2002.21117NOx1.1270.06218SO20.0730.00419颗粒物0.1640.00920含砷废气DA016-DA017废气设施故障，去除率按 0计砷烷0.4170.0020.5h121锅炉燃烧废气DA018-DA02316、0废气设施故障，去除率按 0计NOx28.0400.0060.5h122SO211.1100.00223颗粒物10.0000.00124废水处理站废气DA021废气设施故障，去除率按 0计NH33.770.1130.5h125H2S0.230.00726臭气浓度（无量纲）3000/4.2.1.3 污染治理措施及可行性污染治理措施及可行性164表表 4.2-16 污染治理措施一览表污染治理措施一览表排气筒编号生产线装置污染源污染物治理设施收集方式收集率处理工艺处理能力处理效率是否为可行技术可行性技术依据DA001-DA007湿法清洗湿法清洗酸洗废气HF、HCl设备密闭抽风100%碱液喷淋吸收塔单317、台风量50000m3/h，总设计风量300000m3/h60%是排污许可证申请与核发技术规范 电子工业（HJ1031-2019）光刻光刻HF湿法刻蚀湿法刻蚀HF、HCl、NOx、氨气、臭气浓度湿法去胶湿法去胶硫酸雾化学机械研磨化学机械研磨HF背面加工背面加工HF、NOx辅助辅助HF、HCl、NOx硅外延硅外延不含砷废气氯化物、磷烷POU+碱液喷淋吸收塔CVD 沉积CVD 沉积氟化物、NOx、磷烷热氧化热氧化氯化物、磷烷干法刻蚀干法刻蚀氟化物、NOx、Cl2、氯化物离子注入离子注入氟化物、NOx、磷烷165POU 燃烧POU 燃烧天然气燃烧废气二氧化硫、氮氧化物、烟尘/DA008-DA011湿法318、清洗湿法清洗碱性废气氨气、臭气浓度设备密闭抽风100%酸液喷淋吸收塔单台风量18000m3/h，总设计风量54000m3/h85%是湿法刻蚀清洗湿法刻蚀清洗氨气、臭气浓度化学机械研磨化学机械研磨氨气、臭气浓度CVD 沉积CVD 沉积氨气、臭气浓度POU+酸液喷淋吸收塔是DA012-DA015光刻光刻有机废气BARC、EBR、HMDS、Polyimide、PR 光阻、TMAH 等设备密闭抽风100%沸石转轮吸附脱附燃烧单台风量55000m3/h，总设计风量165000m3/h90%是湿法去胶湿法去胶NMP、ANJICS1000、EKC、丙酮等干燥洗干燥洗IPA沸石转轮吸附脱附燃烧装置沸石转轮吸附319、脱附燃烧装置二氧化硫、氮氧化物、烟尘/DA016-DA017离子注入离子注入含砷废气砷烷设备密闭抽风100%POU 干式吸附风量4800m3/h90%是166DA018-DA020锅炉锅炉天然气燃烧废气二氧化硫、氮氧化物、烟尘设备密闭抽风100%低氮燃烧器/是排污许可证申请与核发技术规范 锅炉（HJ953-2018）DA021废水处理站废水处理站废水处理站废气氨、硫化氢、臭气浓度加盖密闭90%碱喷淋+次氯酸钠喷淋风量30000m3/h80%是排污许可证申请与核发技术规范 水处理通用工序（HJ1120-2020）/食堂食堂油烟排气筒油烟集气罩100%油烟净化器风量12000m3/h85%是饮食业320、油烟净化设备技术要求及检测技术规范（试行）（HJ/T62-2001）本项目废气处理系统相关联系见下图 4.2-6：167图图 4.2-6 本项目废气处理系统相关联图本项目废气处理系统相关联图168（1）G1 酸性酸性废气废气酸性废气产生于芯片生产厂房（FAB），主要来源于生产工艺过程中的光刻工序中的酸洗、湿法刻蚀工段及化学机械研磨工序，主要污染物为氟化物、氯化氢、硫酸雾、氮氧化物等。本项目酸性废气排入酸性废气处理系统（碱液喷淋装置）处理后，最终由 35m 排气筒排放。图图 4.2-7 酸性废气处理流程图酸性废气处理流程图处理工艺简介酸性废气处理系统（碱液喷淋装置）主要由废气洗涤塔、排风机、排气321、管和加药系统等组成。各股酸性废气先由生产设备上的排气管道直接输入废气洗涤塔，废气一并进入吸收塔后，水平穿过填料，中和碱液由喷淋管上的喷头均匀分布在填料上，水气两相在填料上得到充分接触，废气中的酸性物质与中和碱液中的 NaOH 发生化学反应，转移至液相，废气得到净化，中和碱液循环使用。随着化学反应的进行，中和碱液的 pH 值不断降低，此时中和碱液的投放由控制系统自动完成。该装置对酸性废气吸收效率为 85%95%，酸性废气经洗涤塔处理达标后排入大气。达标性分析碱液喷淋处理为目前半导体工厂普遍采用的酸性废气处理方法，污染物去除效果 稳定，且运行成本较低，操作便捷，169具有可行性。该系统对各类污染物322、的处理效果参 考国内同类工程的经验数据，具体情况见下表 4.2-17：表表 4.2-17 酸性废气处理系统污染物达标可行性分析酸性废气处理系统污染物达标可行性分析废气种类污染物处理方式处理后浓度（mg/m3）北京某芯片项目上海某芯片项目武汉某芯片项目本项目酸洗废气氟化物碱液喷淋塔0.1-0.6ND0.04-0.520.117HCl0.028-2.0ND-2.69ND-2.80.033Cl20.033-0.33/ND-1.40.017NOx0.1-2.0ND-30.7-5.70.816硫酸雾0.0034-2.10.0085-1.050.1-0.480.133备注：“/”表示该厂区监测报告中未对该323、指标进行监测：ND 表示未检出由上表可知，本项目酸性废气采用碱液喷淋塔处理后，废气排放口处的污染物排 放浓度与国内同类工程处于同一水平。根据工程分析可知，项目酸性废气排气筒排放各类污染物中均能达到相应污染物排放标准要求。因此，本项目酸性废气可实现达标 排放。因此，本项目酸性废气处理方式可行。（2）G2 碱性废气碱性废气本项目碱性清洗、显影、化学机械研磨、CVD 沉积生产工序中将产生氨气，氨气排入碱性废气处理系统（酸液喷淋装置）处理后，最终由 35m 排气筒排放。170图图 4.2-8 碱性废气处理流程图碱性废气处理流程图处理工艺简介碱性废气处理系统主要由废气洗涤塔、通风机、排气管和加药系统等组324、成。废气 先由排气管道输入废气洗涤塔，酸液经喷头喷洒而下，形成雾状，含碱废气经废气洗涤塔处理，补充 45%硫酸溶液作中和吸收液净化含碱废气。工艺碱性废气主要污染物 为氨，采用硫酸进行喷淋，处理过程发生如下反应：2NH3+H2SO4（NH4）2SO4达标性分析项目采用的处理工艺为目前半导体工厂普遍采用的方法，污染物去除效果稳定，且运行成本较低，操作便捷，具有可行性。该系统对各类污染物的处理效果参考国内 同类工程的经验数据，具体情况见下表 4.2-18：表表 4.2-18 酸性废气处理系统污染物达标可行性分析酸性废气处理系统污染物达标可行性分析废气种类污染物处理方式处理后浓度（mg/m3）北京某芯325、片项目上海某芯片项目武汉某芯片项目本项目碱洗废气氨气酸液喷淋塔0.03-0.61ND-2.350.011-0.3710.800由上表可知，本项目碱性废气采用酸液喷淋塔处理后，废气排放口处的污染物排 放浓度与国内同类工程处于同一水平。171根据工程分析可知：项目碱性废气排气筒排放的氨可达到恶臭污染物排放标准（GB14554-93）二级标准要求，可实现达标排放。因此，本项目碱性废气可实现达标排放。因此，本项目碱性废气处理方式可行。（3）G3 有机废气有机废气本项目有机废气主要来源于光刻涂胶、固胶、去胶、有机清洗等过程，主要有机污染物为 IPA、NMP、光刻胶等，废气都为密闭集气，由于整个车间呈微负326、压运行，只有微量无组织废气通过空调系统集中排出，无组织排放可不考虑。项目拟设置沸石浓缩转轮焚烧系统对有机废气进行处理，处理后由 35m 排气筒排放。处理工艺简介有机废气通常采用直接焚烧、活性炭吸附、生物氧化等方法进行处理，但本项目排放的有机废气有大风量、低浓度的特点，直接焚烧会造成大量的燃料消耗和不必要的污染，只有较高浓度的有机废气才建议直接焚烧；而活性炭吸附的方法，由于其材料特性，存在易燃烧、水分敏感度高、脱附后残留负荷高等缺点，在半导体制造界基本不再使用。而生物氧化技术作为一种较新的处理技术还有待在处理大风量方面做进一步的研究和发展。针对本项目有机废气浓度较低，风量大的特点，考虑将有机废气327、浓缩后再进行焚烧处理。因此，本项目设置沸石浓缩转轮焚烧方式处理有机废气。沸石浓缩转轮加焚烧处理的系统处理原理，是将大风量低浓度有机废气转换成小风量高浓度气流，再将浓缩后的高浓度有机废气进行焚化处理，其主要优点是系统处理效率高、操作简单并且易清洗保养。处理流程：含有 VOC 的废气通过系统排风机排放至 VOC 处理系统，本项目设计处理总风量 165000m3/h，经过滤器预处理后分流，废气分为两路，其中 90%的废气进入吸附区，通过沸石转轮吸附处理成为清洁空气，剩余 10%的废气被加热后进入脱附区，用于对已经吸附有 VOC 成分的转轮部分进行脱附，由于转轮在不停地旋转，使得吸附和脱附的过程在同时328、不间断地进行。脱附后的高浓度 VOC 废气通过焚化炉风机被送入焚化炉进行焚烧处理（RTO 焚烧），为提高焚烧效率，本项172目通入天然气助燃。经脱附后焚烧处理废气与 90%经吸附处理洁净废气混合后经排气筒排放。同时，本项目对焚烧废气设置三段板换热，实现热回收。图图 4.2-9 沸石浓缩转轮焚烧废气处理流程图沸石浓缩转轮焚烧废气处理流程图达标性分析项目采用的沸石浓缩转轮焚烧处理工艺为目前半导体工厂普遍采用的方法，技术先进、成熟。该系统对各类污染物的处理效果参考国内同类工程的经验数据，具体情况见下表，具体情况见下表 4.2-19：表表 4.2-19 有机废气处理系统污染物达标可行性分析有机废气处理329、系统污染物达标可行性分析废气种类污染物处理方式处理后浓度（mg/m3）北京某芯片项目上海某芯片项目武汉某芯片项目本项目有机废气VOCs沸石浓缩转轮焚烧系统0.45-0.771.82-2.400.48-12.55.583由上表可知，本项目有机废气采用沸石浓缩转轮焚烧处理后，废气排放口处的污染物排放浓度与国内同类工程处于同一水平。根据工程分析可知，项目有机废气排气筒排放各类污染物中均能达到相应污染物排放标准要求。因此，本项目有机废气可实现达标排放。因此，本项目有机废气处理方式可行。173（4）G4（不含砷）和（不含砷）和 G5（含砷）工艺尾气（含砷）工艺尾气本项目含砷工艺尾气采用干式吸附 POU 330、净化装置处理后，尾气由 35m 排气筒排放；不含砷工艺尾气采用高温+水洗或干式吸附或等离子解离 POU 净化装置处理，处理后尾气再纳入酸性废气处理系统，最终由 35m 排气筒排放。图图 4.2-10 工艺尾气（含砷）处理流程图工艺尾气（含砷）处理流程图图图 4.2-11 工艺尾气（不含砷）处理流程图工艺尾气（不含砷）处理流程图POU 净化装置简介本项目工艺尾气的 POU 净化装置主要采用电热水洗/燃烧水洗/等离子水洗式 POU 装置处理三种处理方式，具体如下表4.2-20 所示。174表表 4.2-20 工艺尾气处理措施一览表工艺尾气处理措施一览表产生工序产生工序主要污染物主要污染物废气处理设331、施废气处理设施一级处理措施一级处理措施二级处理措施二级处理措施硅外延SiHCl3、SiH2Cl2、HCl、PH3、B2H6等燃烧水洗 POU进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放CVD沉积SiF4、WF6、NF3、C2F6、NH3、N2O、NF3等等离子解离 POU进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放热氧化C2H4Cl2、POCl3、H2等等离子解离 POU进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放干法刻蚀CF4、CHF3、C4F8、CH2F2、C5F8、C4F6、CH3F 等等离子解离 POU进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放HBr、BCl3等干式吸附 PO332、U进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放离子注入BF3、PH3等干式吸附 POU进入酸性废气处理系统处理后，由排气筒有组织排放AsH3干式吸附 POU由排气筒有组织排放本项目采用的三种 POU 处理系统原理及适用条件见下表：表表 4.2-21 工艺尾气处理措施一览表工艺尾气处理措施一览表POU 净化装置原理适用条件燃烧水洗式通过天然气燃烧、电加热或电离等方式在反应腔内产生高温（800-1100），使工艺尾气在反应腔内高温燃烧，产生固体废物和可溶于水的气体，再由水洗系统吸收溶于水的气体并排走固体废物。可处理大部分工艺尾气，使其转化为达到排放标准的气体或液体，对可燃气体的处理范围更广。干式333、吸附式使用吸附剂，通过物理或化学吸附法处理砷烷、磷烷、卤化物等有害气体。化学反应通常是在氧化条件下将有害物质氧化为氧化物被吸附剂吸附。对砷烷、磷烷、卤化物等的 处理可达到排放标准，但不适用于粉尘类废物的处理。等离子解离式等离子火焰中芯温度可达到 50001000以上，并产生 2000以上的高温操作环境与强烈的紫外光线。废气由反应室高温氧化，反应成粉末，或溶解于水中，再经由过滤程序，达标排放。可处理大部分工艺尾气。a）燃烧水洗式）燃烧水洗式 POU燃烧水洗式 POU 主要用于处理污染物大多为可燃气体，燃烧后的产物大多溶于水或成为固体废物，可通过后续的水洗175去除。燃烧水洗式工艺尾气处理流程及 POU 净化装置内部示意见以下两图。图图 4.2-12 燃烧水洗式燃烧水洗式 POU 处理工艺流程及内部结构示意图处理工艺流程及内部结构示意图系统中发生的主要反应方程式如下：SiH4+2O2SiO2+