1、XXXX晶圆科技有限公司晶圆科技有限公司第 一 部 分第 二 部 分 第 三 部 分 第 四 部 分 第 五 部 分 第 六 部 分 第 七 部 分行业概况企业简介 企业文化 管理团队 专利产品 产品介绍 融资计划目目 录录行业概况行业概况8行业痛点：半导体行业行业痛点：半导体行业是现代科技的象征，提高半导体国产是现代科技的象征，提高半导体国产化比例迫在眉睫。伴随着近几十年现代科技行业的日新月异，以集成电路(IC)为主的半导体行业市场规模不断增长，并成为全球经济的 重要支柱。据世界贸易半导体协会(WSTS)统计，2013年全球半导体行业市场规模达到3043亿美元，首次突破3000 亿美元大关，2、较2012年的2916亿美元增长4.4%。由于欧美国家对我国高科技技术封锁，导致我国每年半导体进口金额 超过2300亿美元，已经超过石油进口金额，提高半导体国产化比例迫在眉睫。中国大陆半导体产业市场规模年复合增长率显着高中国大陆半导体产业市场规模年复合增长率显着高于全球。据中国半导体协会(CSIA)统计，2013年中国大陆半导体产业市场规模较2012年增长12%。过去十年，中国大陆半导体产业市场规模年复合增长率为18.8%,显着高于全球6.6%的增长速度。政府开始直接在资金层面上给予半导体产业支持。政府开始直接在资金层面上给予半导体产业支持。国家成立总额度达1200亿元的半导体扶持基金，用于支3、持半导体产业发展。预计能带动5000亿规模行业的投资。行业概况行业概况行业概况行业概况中国半导体产业的发展始于分中国半导体产业的发展始于分 立器件，是半导体产业的最初立器件，是半导体产业的最初 产品。产品。2014年分立器件国内 市场规模将近2000亿元。从 产品结构来看，目前二极管和 三极管仍然是我国半导体分立 器件市场的主力产品，且两者 的市场份额基本维持不变。功 率晶体管仍是占中国分立器件 市场份额最高的产品。2010-2014年中国半导体分立器件市场规模及增长情况(数据来源：中国产业投资决策网)1388.61388.61135.4700649637-49637-1642.51642.54、18.20%18.20%15.90%15.90%20 一20E.13901390%企业简介企业简介成立于成立于20052005年年9 9月月3030日。日。是是XXXXXXXX公司及福建公司及福建XXXX公司公司(51%)(51%)的合资公司。的合资公司。是从事半导体元器件研发、生产、销售和技是从事半导体元器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。术支持的制造商。通过通过ISO9001:2008ISO9001:2008 质量管理体系和质量管理体系和ISO1400ISO14001:20041:2004 环境管理体系双认证。环境管理体系双认证。公司简介公司简介 产品线涵盖产业链的主要环节产品线涵盖产5、业链的主要环节产品线涵盖半导体分立器件产业链的主要环节主要用于电器中的检波，混频，参量放大，开关稳压，整流 等。在电子电器军工等行业中得在电子电器军工等行业中得到广泛使用到广泛使用如手机，电视，冰箱，空调，电脑，LED灯，开关，汽车，集成电路，航空航天，军工武器等。产品远销多国产品远销多国远销韩国、XX、德国、美国、印度、俄罗斯、意大利、日本等20多个国家和地区。公司依托三十余年的半导体制造专公司依托三十余年的半导体制造专业经验业经验年产销各类半导体元器件近百亿只，产品包括TO-220系列的半导体元器件、表面贴装和轴向插接系 列二极管及整流桥等50多个系列，1,500余品种，同时也对外承接各种6、元器件的封装检测业务，可以 为客户提供大批量、全系列、多品种、专业化的一 揽子解决方案。公司的产品是多家世界知名公司的准公司的产品是多家世界知名公司的准入品牌入品牌间接应用在如苹果、三星、华为、联想、中兴、NEC、TCL 等世界知名品牌多款终端电子产品。公司研发基地：XX硅谷XXXX科学工业圆XX科学园区带动XX经济的蓬 勃发展，使XX许多科技产业名 列世界前茅(仅次于美国、日 本)。园区电子产品，像网络卡、影像扫描器、终端机、桌上电脑 等产值，均占全岛50%以上，在 世界上也能排名一、二。XX地 区IC产业的制造，包括电路设计、集成电路等，也由该园区垄断，XX地区已经成为全世界第四大 半导体7、工业制造者，仅次于美国、日本和韩国。公司控股江苏公司控股江苏XXXX精密电精密电子有限公司，子有限公司，XXXX电子电子(深圳深圳)有限公司。有限公司。与与XXXXXXXX和和XXXXXXXX硅谷园区半导体企业在研发设计等有着紧密硅谷园区半导体企业在研发设计等有着紧密 长期的合作。长期的合作。占地50余亩，厂房15250平方米 规划年生产能力10亿元以上，外 加代工企业总生产能力可达30亿 元以上。半导体行业在以深圳为中心的珠 三角地区的销售规模占到全国的 三分之一以上。公司生产基地：江苏泰州公司销售总部：深圳核心竞争力与技术核心竞争力与技术 核心竞争力核心竞争力Cost Quality Ef8、fective+Advanced RD Team+Vertical Resource Integration +Environment Protection+Tech.Value added先进技术团队先进技术团队 成本质量优化成本质量优化 垂直整合资源垂直整合资源 高效节能环保高效节能环保 技术附加价技术附加价值值1.Excellent Product Design,Strong Production SPC control,High Yield Rate and reliable Product.2.Vertical Strength Resource integration,Flexib9、le wafer foundry support.3.Meet Environment Protection Rule To Provide the Green Product.4.Value added provider:Technical Service and Application Service provider to meet customer demanding.s.Quality Cost Delivery Innovation Service Speed Customized Value Added公司下游企业有大量优质客户，包括茂硕电子、桥威电源、帝闻电子、，包括茂硕电子、10、桥威电源、帝闻电子、XXXX炬神电子、英诺尔电子、威伦电子、冠翔电子等炬神电子、英诺尔电子、威伦电子、冠翔电子等，公，公司客户均为各地上市公 司，集团公司等长期合作客户，最短的合作客户也有5年时间，最长的客户 合作时间在20年以上。知名下游企业团知名下游企业团XMINNOV英诺尔英诺尔JOWAY一 籍 醒 动 科 接 童事长童事长多年金融行业经验，2011年进入半导体科技行业，对半导体 行业有深入的了解和经验，对企业战略发展规划以及产业整 合并购有丰富的经验。总经理总经理 财务总监财务总监美国加州大学圣荷西分校(San Jose SU)公司财务管理本 科在美国超过10年的财务管理经验于美国富国11、银行(Wells Fargo Bank戴尔软件科技(Dell),和设备制造企业(Spiral-Helix)8年在国内半导体公司任职企业管理XX台北科技大学毕业XX丽正电子有限公司新玻半导体公司青岛XX电子公司泰州XX晶圆科技有限公司副总经理副总经理台北科技大学高辉光电科技有限公司冠坤电子(股)公司日立亚洲(股)公司XX东艺电子(股)公司晶圆事业XX交通大学工学院半导体材料硕士毕业.曾任职于通用半导体(Vishay group)、光磊科技、福昌 半导体等知名企业，多年专注于晶圆及封装专业领域。复旦大学半导体物理学系大学本科毕业曾任电子材料一厂技术科长XX晶圆科技工务部主管芯片研发工程团队芯片研发12、工程团队美国加州大学洛衫矶分校(UCLA)电子工程专业本科加州Santa Clara大学电子工程专业硕士超过15年的IC产业设计及管理经验。曾任硅谷Cadence Design Systems公司，硅谷Altius Solutions公司创始组成员 及该公司Engineering Manager。也曾在Sun Microsystems和TandemComputers(今HP)任资深工程师，从事一系列的芯片设计和工程项目管理工作。XX淡江大学建筑系毕业曾参与XX华邦电子(5时/6时/10时厂)、福建福晶科技软 件园区，南昌富昌科技园区，南昌金嘉名筑等项目专案。1 XX协和工商电子科毕业舞台灯光及13、景观照明设计施工24年经历.芯片研发工程团队芯片研发工程团队晶圆事业口美国加州大学河滨分校(UC Riverside)管理研究专业 口 目前在上海交通大学工商管理学院就读硕士班。具备英汉双语能力以及在美国纽约，台北和上海的各国际机构任职经历，包括全球500强企业和Cisco Systems思科。口XX明新大学电子工程系毕业口曾任美国朗讯科技有限公司制造处处长 青岛格林电子有限公司总经理/董事管理事业部管理团队管理团队 银面高压平面式MOS 肖特基二极管(PMR)铝面低压平面式MOS 肖特基二极管(PMR)极管(TBR)弯角恒流二极管 高压硅堆 机车整流器 汽车整流器 肖特基二极管TVS 二极管14、 玻璃披覆芯片(GPP)开放性台片二极管 硅整流二极管D)二CR基管(肖特定 电 流 二 极沟 槽 式MOS灯 泡 电 源 一 体 化 系 统 碳 化 硅 半 导 体专利产品专利产品产产品介绍品介绍目前市场主流的充电产品充电效率较差，以手机充电器为例，平均充电时间为3-4小时，而且充电器容易发热。随着生活节奏的加快，各手机厂商竞争的加剧，无论是消费者还是 手机厂商对充电效率要求越来越高。20162016产品系列产品系列(一一)UPMMOS-Schottky 是目前国内外解决充电效率最佳的二极管产品，可以将手平均充电时 间控制在30分钟内，且减低手机发热，保证手机安全性。产品目前已经上市销售。产15、品分为产品分为PMCD 及及TSBD两大系列产品两大系列产品，是目前市场上最高端是目前市场上最高端的的Schottky 二极管二极管芯片，技术层次高，特别适用于高效率芯片，技术层次高，特别适用于高效率 需求的电源相关产品，尤其是手需求的电源相关产品，尤其是手机机/3/3C C通讯相关产品的充电器，是目前市场上通讯相关产品的充电器，是目前市场上极具竞争力的明星产品极具竞争力的明星产品。新产品新产品MOS-Schottky 介绍介绍1.MOS-Schott1.MOS-Schottkyky芯片产品芯片产品新产品应用新产品应用Charger(充电器),SMPS(开关式电源),Solar(太阳能 板),16、PC Power(计算机电计算机电源源),),Portables(携带式电器携带式电器)。沟槽式沟槽式 MOS-Schottky(TBR)新产品新产品应用于应用于NB计算机充电器，计算机充电器，Video Player电源，电源，DC/DC 电源，计算电源，计算机及及Server 的的 Power Supply,LCD TV电源，高频电源，高频DC/DC 9DWconverter,Switchingonverter,Switching PowerPower Supply,Supply,电池逆向保护电路等电池逆向保护电路等等。低压经常使用于等。低压经常使用于SolarSolar应用应用.平面式平17、面式MOS-Schottky(PMR)新产品应用于新产品应用于CRD恒流二极管产品将替代原有LED灯电源控制的IC芯片，降低成本30%,将颠覆整个LED 产业。LED产业经过多年的白热化竞争，已经进入产业淘汰阶段，未来将会有80%的LED 生产企20162016产品系列产品系列(二二)业淘汰，在行业内存活主要靠规模优势和成本优势。定电流二极管(CRD),从低电压于4V到140V在很宽的电 压波动范围，提供一个恒定的电流简化电路设计.一般定电流电路通常需要复杂的多组件配置，但该产品非常 简单的设计可以经由单CRD 来实现。产品用途LED荧光灯.LED 路灯.LED 灯泡.LED 筒灯LED 亮度18、稳定 的恒流供给使用定电流构成定电压回路近接传感器.恒流源的各 种传感器电池充电与放电的电路电解电容器通电检查装置各种半导体恒定电流检查装置通信线路的内部接口漏电断路器压电产品的电流供给电源电路安定化新产品新产品 CRD恒流二极管介绍恒流二极管介绍专业照明方案专业照明方案高附加价值，高压大电流 照明永续经营方案永续经营方案CRDCRD 方案方案成本低，线踏简单又成本低，线踏简单又芦省空间芦省空间价值方案价值方案LEDLED 照明发展方向与方案照明发展方向与方案Cheaper and competitive Solution in Cost ConcernLED 照明产业，如何竟争与获利?Hig19、h-value added LED lighting Solution碳化硅(SIC)是一种更能实现小型化/低功耗与高效率目标的功率组件。此种材料能够降低 切换损耗，在高温环境下仍具备绝佳的工作特性，因此已成为新世代的低损耗组件。目前 国内公司尚无生产能力，公司将于2016年推出该产品。随着电力控制在各行业的普遍应用对高压功率组件的耐压/耐温能力、导通效率、切换时 间及体积更趋苛求。20162016产品系列产品系列(三三)SiC=Silicon Carbide(碳化硅碳化硅)GaN=Gallium Nitride(氮化氮化镓镓)SiC 高电高电压高电流压高电流GaNGaN 中低压高频率中低压高20、频率体积减少体积减少1/4,1/4,损耗减少损耗减少50-50-70%70%新产品新产品Sic /GaN宽能隙高端节能组件介绍宽能隙高端节能组件介绍操作环温2500C降低回路 损耗Sic 半导体产品与特性半导体产品与特性 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达系统的核心。碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10 倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开 始换装碳化硅基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发 展。随着无线通信技术的飞速发展，对硬件系统高功率密度、快响应速度的21、需求日益迫切，基于碳化硅材料的晶体管在微波射频领域具有单晶硅、砷化镓器件无法比拟的优势，适 合航天、微波通信、电子对抗、大容量信息处理等应用。随着我国碳化硅晶片生产能力 的增强，国产战机、战舰都将能换上新的、性能更好的“千里眼”。节能风潮兴起造成电源、服务器、太阳能逆变器(Inverter)和电信级网通设备，对高压功 率组件的耐压/耐温能力、导通效率、切换时间及体积更趋苛求。材料特性较硅更加优异的碳化硅(硅)(SiC)、氮化镓(GaN)等宽能隙(Wide Band Gap,WBG)功率组件顺势崛起，吸引众多功率半导体商投入研发。相较于硅(SI)半导体，碳化硅(SiC)是一种更能实现小型化/低功22、耗与高效率目标的功率组件。此种材料能够降低切换损 耗，在高温环境下仍具备绝佳的工作特性，因此已成为新世代的低损耗组件。SiC萧特基二极管耐电压能力、导通/切换效率及设计成本全面优化，同时也压缩晶圆厚度 至110微米，并强化瞬间突波电流(Surge Current)负载能力，可全方位满足高压设备需求,促使节能效益更上层楼。所有电源供应器、IT 设备开发商皆期望藉宽能隙材料，进一步提高电源转换效率。由于 SiC与GaN 可耐高压、高温与大电流，促进基板薄型化，进而减轻导通电阻及切换阻抗，对提升电源转换效率大有帮助，故已在电管理源业界刮起取代传统硅制功率组件的旋风。SicSic/GaN/GaN 半导23、体产品与特性半导体产品与特性SiC和GaN 器件将大举进入电力电子市场：1.预计到2020年，SiC和GaN 功率器件将分别获得14%和8%市场份额。2.SiC功率器件增长动力主要来自可再生能源领域，在太阳能市场占有率将达32%。3.在轨道交通领域，SiC和GaN 预计到2020年，两者市场份额分别为16%和15%。4.在IT和电子设备市场，GaN较SiC更有优势，估计2020年市场份额可达14%。GaN 的功率特性比SiC更胜一筹，目前GaN 的技术开发，碍于材料量产良率偏低，发展速 度反而较SiC晚，GaN 虽起步较晚，但后劲十足，除了可提供类似SiC的性能特色，还有更 大的成本降低潜力，24、因为GaN 功率器件可在硅衬底上生长出来，与SiC 衬底相比，它的成本更低，性价比优势是有可能实现的。中国大陆相关政策的完善及战略性新兴产业的崛起，电力电子技术在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车等先进制造业等重要领域都将发挥重 要作用，而这其中的许多领域都在“十二五”十三五”规划中具备万亿以上的市场规模，其必然带动电力电子技术及产业高速发展，迎来重大的发展机遇。Sic /GaN 半导体产品与市场应用半导体产品与市场应用未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC 和GaN的技术创新上。碳化硅器件活跃于各种碳化硅器件活跃于各种领域，领域，包括电源、汽车、铁路、25、工业设包括电源、汽车、铁路、工业设备、备、家用消费类电子设备等家用消费类电子设备等通 过 使 用 碳 化 硅 器 件，使 设 备 小 型 化、低 功 耗 化。优 异 的 高 耐 压、高 耐 热 性 能 使 其 在 比 以 往 更 狭 小 的 空 间 和 更 严 苛 的 环 境 下 得 以 使 用。以 汽 车 为 例。通 过 在 混 合 动 力 车、电 动 汽 车 中 使 用。大 幅 降 低燃 油 消 耗 率。扩 大 室 内 空 间。另 外。使 用 太 阳 能发 电 时，降 低 电 力 报 耗 5 0%左 右，为 地 球 环 保 做 出 巨 大 贡 献。电 力 损 耗 比 较一条直路上的电力概其26、8888 器通时的调 SRGRT*FRD)电 力 损 耗 减 少 4 7 9,开 关 损 耗 减 少 8 5%wcra 输电系统输电系统市物考培光*型。雪性超势将公型化，轻量化功率半导体材料Si(硅/硅),由于 已趋近其物理性质极限，难以有 大幅度的效率提升，于是新近登 场的碳化硅(SiC)半导体遂成为被 寄予厚望的明日之星(如右图)力车车阅金动电电 动动Sic 半导体产品特性与应用市场半导体产品特性与应用市场电动车电动车太阳能电池太阳能电池太阳前 理高功服服 务务 器器通过排低服务器电力模耗减少数据中心的功耗电电 车车输 电 系 统将电力损耗减半自geH(tedEM)*R要加节能工 业 设 27、备*工业设备工业设备白色白色家家电电服务器服务器个 电 题 小 型 优*e*m置脑ACO人电电 车车使还变装置小型化，轻量化个人计算机个人计算机a00 300IGBTXX公司在XX设计研发团队在这领域已研发十几年，芯片产品已成熟，有自已 专有技术不会被欧美日本国家牵制，计划2018年推向市场，产品用于高铁.轨道交通.智 能电网等高端工业应用，填补国内空白。IGBT是驱动机车牵引电传动系统的(高铁之心)宛若人体心脏，直接关系到 机车的动力之源，是机车牵引系统中最核心的技术，目前国内高铁各方面技20162016产品系列产品系列(四四)术相当成熟，但IGBT核心技术由欧美日本掌握。公司未来产品发展主28、要应用领域公司未来产品发展主要应用领域车用CE组件 Automotive CE Devices云端系统电源装置Power Cloud System(Pcs)计算机信息系统Computer System可揣式及智慧型手樵Mobile and Smart PhonesIndustrial Power SystemInternet Telecommunication工业用电源系统*u网络通讯网络通讯*.mte信 FREDFRED(快速恢复二极管快速恢复二极管)1.超快速逆向恢复特性(Ultrafast Recovery Characteristic2.低功率损失(Low Recoveny Loss)29、3.低顺向导通电压(Low Forward Voltage4.高涌浪电流特性(High Surge Currect Characteristeic1.切换式电源供应器2.功因调节器3.大功率LED照明4.不断电系统o Trench SKY1.藉由Trench制程有效降低SKY芯片阻抗与芯片耗能，有效提升导通密度。2.与同级Planar制程芯片相比，较薄的Trench制程代表阻抗的表现更佳，VF值的表现更仅，节能更佳。o TVS产品性能1.高封装集成度2.低电容值(Low Capacitance3.低箱制电压(Low Clamping Voltageo SiC SKY产品特性因为Total Ca30、pacitive Charge(QC)小，故可减少切换损失，亦可达到高速切换，另外Si材料FRB(Fast Recovery Diode)的 trr会因温度上升而增加，但SiC却不会受温升影响，几乎可维持在一定的特性。20162016新产品说明新产品说明ESD/EMIESD/EMI ProtecProtectiontion1.超低电容值(Ultra Low Capacitance)2.低漏电流与箱位电压(Low Leakage Current and Clamping Voltage)3.低作电压(Low operating Voltage1.High Definition Multi-Med31、ia Interface(HDMI)2.Digital Visual Interface(DVI)3.Display Pore TM Interface&MDDI Ports4.PCI Express&eSATA Interface5.USB 2.0/3.06.Networking Equipment&Set Top Box7.Notebook ComputerHigh speed Power MOS1.Line Drivers for Extra Heavily-Loaded lines2.Pulse Gemerators3.Local Power ON/OFF switch4.Motor 32、and Solenoid DriverSuperSuper JunctionJunction MOS(SJMOS(SJ MOSFET)MOSFET)1.5MIPS2.Hard switching and high speed circuit3.LED lightingHigh speed Photo-coupler1.High speed interface for computer perioherals,micro computer systems2.High speed line receivers3.Noise reduction4.Interfaces for data transm33、ission equipmentSRSR HVHV PowerPower MosMosLDC-DC converter2.Motor control20172017新产品说明新产品说明o SiCSiC PowerPower MOSMOS由于switching动作时没有tail Current,故可高速动作，且降低切换损失。Chip面积不须太大，即可达成低导通电阻，故可做到低电容量与低Gate charge,Si组件的导通阻抗会随着温度上升而增加2倍以上；但Sic的导通阻抗增加量则相对较小，对于产品的小型化及节能化有所贡献。FSFS IGBT(FieldIGBT(Field StopStop I34、GBT)IGBT)FS IGBT在导通期间具有更低的饱和压降Vce(sat),且在关断瞬间具有更低的开关损失。与其他类型的IGBT一样，由于没有内嵌体二极管，它在大多数开关应用中通常与额外的FRED一起封装。o MPSMPS DiodeDiode(PIN/SKY混合二接管)可达到超快和超软恢复特性，同时又兼具有低的正向导通损耗，以减少芯片的发热损耗。20182018新产品说明新产品说明市场开发 销售与服务公司公司(产品产品检测检测)品牌运营品牌运营元器件封装测试商业模式与销售渠道商业模式与销售渠道晶圆芯片 制造测试晶圆芯片 设计研发融资计训融资计训组件种类组件种类料号规格料号规格 封装格式封装35、格式成本(RMB/K)(RMB/K)市场售价(RMB/K)(RMB/K)销售毛利(%)SchottkySchottky20A/100V20A/100VTO220TO22063063092092031.5%TrenchTrench MOSMOSSchottkySchottky20A/100V20A/100VTO220TO220740130043.1%SicSic SchottkySchottky20A/600V20A/600VTO220TO22029501475080.0%所有电源供应器、IT设备开发商皆期望藉宽能隙材料，进一步提高电源转 换效率。由于SiC与GaN 可耐高压、高温与大电流，促进36、基板薄型化，进而 减轻导通电阻及切换阻抗，对提升电源转换效率大有帮助，故已在业界刮 起一阵旋风，酝酿取代传统硅制功率组件。惟当前SiC材料供应来源稀少，致使每安培价格仍高达0.10.12美元，超 出传统硅材料数倍。以以2020安培的不同材料模拟产品的市价及毛利比较如下安培的不同材料模拟产品的市价及毛利比较如下产品售价与利润比较产品售价与利润比较融资及使用计划融资及使用计划计划融资3250万元，每股6.5元，共计500万股，5万股(32.5万)起投。资金用途：研发资金1500万增加设备1000万流动资金750万单位：万元201520152016201620172017销售4500700014000利润利润1100110020003500公司融资计划及盈利预测公司融资计划及盈利预测盈利预测盈利预测公公司司 预预计计1616年底挂牌新年底挂牌新三三板板，1818年转创业板年转创业板主办券商：江海证券主办券商：江海证券审审 计计机构机构：瑞华会瑞华会计计师事务所师事务所律 师师：大：大成律师事务所成律师事务所评估机构评估机构：北京华信众合资北京华信众合资产产评估评估有限有限公公司司公司上市之路公司上市之路