1、C公司公司投资建议书 举国之力打造的国之重器中国唯一在半导体先进制造领域赶超西方的企业中国半导体领域极为稀缺的市值可破万亿的公司公司公司 概况概况融融资资 概况概况退出退出 安排安排n C科技控股有限责任公司（以下简称“C公司”），是国家存储器基地项目的承担主体，成立于2016年12月，注册资本1,052.7亿元，是在国家 大力发展集成电路产业的背景下，湖北省地方政府、国家集成电路产业投资基金参与设立的一家专注于三维闪存设计制造一体化解决方案的 IDM 集成电路企业，为全球合作伙伴提供三维闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片，以及消费级、企业级固态硬盘等产品和系统解决方案。n 行行业业地位：地位：举2、举国之力打造的国之重器，国之力打造的国之重器，中国最大的闪存芯片制造企业，稀缺性超过中芯国际！全球首家实现3D NAND 232层存储芯片的存储厂 商，中国唯一在半导体先进制造领域赶超西方的企业，未来市值有望破万亿！n 历历史融史融资资：公司设立之后，历史上有2轮增资，均由湖北地方国资和国家大基金出资。注册资本1052.7亿元，其中国家大基金一期、二期合计出 资超260亿元，湖北地方国资出资超800亿元。n 本本轮轮融融资资：本轮为公司首次对外融资。估值1516亿元，融资150-200亿元，中国人民保中国人民保险险集集团团（人保（人保资资本）本）领领投投3030亿亿元，五大元，五大银银行合行合3、计计投投资资80-80-9090亿亿元元。n 上市可行性：上市可行性：2020年/2021年/2022年分别实现营业收入约：45亿元/143亿元/211亿元，其当前财务指标已完全满足科创板上市标准。n 资资本本规规划：划：公司计划将于2025年上半年完成股改，2025年下半年完成科创板IPO申报，中信中信证证券、中金公司券、中金公司联联合保荐合保荐。n 退出安排：退出安排：预计公司将于20262026年完成上市，年完成上市，20272027年基金将年基金将实现实现退出退出，公司是国内极少数有望在上市后超过万亿市值的半导体公司。行行业业 概况概况n 伴随着云计算、大数据、物联网、人工智能等技术的4、快速发展，数据量呈现几何倍数增长。2026年NAND闪存芯片的销售额将超过1100亿美元。n 存力是数据存力是数据时时代的关代的关键键基基础设础设施，体施，体现现国家国家实实力，关乎国家安全。力，关乎国家安全。n 2022 年全球闪存芯片市场，韩国三星、SK 海力士、日本铠侠、美国西部数据、美光前五家企业占据了全球95%的市场份额。国产替代需求迫切！存存是数据是数据时时代的关代的关键键基基础设础设施，数据量的爆施，数据量的爆发发式增式增带带来来对对存存储储器的巨器的巨的市的市场场需求需求n伴随着云计算、大数据、物联网等技术的快速发展和传统产业的数字化转型，数据量呈现几何倍数增长。nNAND闪存5、是行业内最主流的数据存储技术方案，2021-2026年NAND 闪存需求量的年均增长率超过30%，2026年NAND闪存芯片的销售额将超过1100亿美元。数据安全关乎国家安全，全球数据安全关乎国家安全，全球NAND闪闪存市存市场场被国外巨被国外巨头垄头垄断，国断，国产产替代需求迫切替代需求迫切n近年来，硬盘固件后门、存储设备攻击、存储信息泄露等信息存储安全事件频出。信息存储安全一旦受到威胁，会导致当前和过往的信息均被泄露，造成严重 危害。存储产业的稳定发展关乎我国数据信息存储的安全与稳定。n2022 年全球闪存芯片市场，韩国三星、SK 海力士、日本铠侠、美国西部数据、美光前五家企业占据了全球96、5%的市场份额。n2022 年我国NAND 闪存芯片市场规模约为2400 亿元，但是国内产值规模仅有1000亿元，并且外资工厂贡献了绝大多数产值。C公司是公司是举举国之国之打造的国之重器，是我国唯打造的国之重器，是我国唯的的NAND闪闪存芯存芯制造企制造企业业，IPO确定性极确定性极n国家大基金和地方财力累计出资超千亿元，历时10年打造的唯一标的。n承担着我国数据存储安全、数字经济发展的重任，上市确定性极高。中国唯中国唯在半在半导导体先体先进进制造制造领领域赶超域赶超的企的企业业，开始成，开始成为为全球市全球市场场的破局者的破局者nC公司在行业主流产品128层存储颗粒的核心技术指标领先国外巨头7、，并且232层在全球率先实现量产，技术领先全球。n2022年C公司在全球NAND Flash市场占据4.8%的市场份额，位居全球第六。业绩业绩爆爆发发式增式增，上市市，上市市值值可超万可超万亿亿！n20-22年收入分别为44.7亿元，143.2亿元，210.8亿元。n预计到2026年，将实现超千亿的销售收入，预计退出市值可超万亿。世界世界级级的的团队团队n掌舵人为中国半导体行业领军人物，多个专项组的牵头人，超40年的集成电路经验；负责人拥有超30年国内外知名半导体公司研发运营经验，公司拥有体系完 整的本土化IDM团队。n公司共有研发人员超7000人，其中硕士以上超过4000人，专利超8000项8、。CONTENTS行业趋势分析公司价值分析010203投资收益分析PART12018年以来美国对我国半导体产业链限制层层加码，从最开始的芯片端（华为不能买芯片），到制造端（华为不能找代工、中芯国际先进制程发展受阻），到 现在设备、EDA 软件等上游（代工厂、存储厂买不到最先进设备，先进 EDA 软件受限）以及人才的限制（阻止美国人协助发展国内半导体先进制程），沿产 业链条逐步向上。n 二十大报告五次提到“科技自立自强”，三次提到需要提升供应链 韧性和安全，强调加强基础研究和原创，以继续推动中国经济发展 和维护国家安全。n 半导体产业链的可靠与安全是我国产业平台建设的关键。集成电路 被应用于各行9、各业，如果发生集成电路供应短缺，必将对相关产业 链带来剧烈的冲击，通过传导效应影响国家整体经济安全。打造自 主可控、安全可靠的半导体产业链的需求迫在眉睫。世界世界进进数据数据时时代，数据成代，数据成为为关关键键产产要素要素n 20222022年每年每8 8小小时产时产生的数据量等于生的数据量等于20062006年一年年一年产产 生的数据量；生的数据量；n 全世界全世界90%90%的数据是在的数据是在过过去两年中去两年中创创造的造的;n 根据IDC最新发布的统计数据，全球数据总量预 计2022年达到80ZB，5年年均复合增长率高达 29.9%，中国的数据产生量约占全球数据产生量 的23%；到2010、25年，全球数据量将达到175ZB，5 5年年均复合增年年均复合增长长率率27.0%27.0%。数据来源：Knometa Research，SIA，IDC，IBM marketing cloud,数据存力，高质量发展的数字基石研究报告数据存数据存成成为为新新时时代关代关键键基基础设础设施施CAGR 27.0%通信技术自动驾驶网络安全人工智能物联网云服务数据存力可以通过出售数据存储服 务或帮助建设运营数字基础设施带 来1:5的直接影响。通过数字基础设施购置方进行数字经济相关活动带来1:8的间接影响。采纳大数据应用对于产业链上下游、社会和其他潜在受益者带来1:40的 衍生影响。n 我国数据资源富集11、，2022年数据产量达8.1ZB，位居全球第二位位居全球第二位。n 数据时代，需要新型基础设施，尤其需要数据基础设施，数据存力 就是基础设施的重要体现；n 数据中心的数据存力容量和GDP呈现高度正相关性；n 数据存力体现国家实力。2023年年1025，国家数据局正式挂牌。，国家数据局正式挂牌。法保法保证证数据安全数据安全数据是数字经济发展的关键生产要素，是国家基础性战略性资源。国家安全部：国家安全部：数据安全已成为关乎国家安全和公共利益，是非传统安全的重要方面，是事关国家安全与经济社会发展的重大问题。数据安全数据安全问题频发问题频发n存储芯片作为电子信息产业不可或缺的组成部分，素有电子产品的 12、“粮食”之称，在集成电路产业中占据很高的比重。根据Gartner测算，2022年全球集成电路市场总收入约为5996亿美元。其中，存储器 是仅次于应用定制芯片的第二大分支，市场规模达到1500亿美元，占 总销售额的25.9%。39.9%25.9%16.9%6.8%6.9%3.6%应用定制芯片 存储器微处理器/微控制器 光电芯片 模拟芯片 通用逻辑2022年全球集成年全球集成电电路路产产品收品收占占55.0%40.4%4.6%DRAMNAND Flash其他n存储器中，占比最高的两个细分产品分别是DRAM（随机动态存储器）和NAND 闪存芯片。nDRAM属于易失性存储的一种，具备集成度高、低功耗、13、低成本、体积小等显著优势，通常用于智能手机及服务器内存。nNAND 闪存是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。其中 NAND 被广泛用于SSD、eMMC/EMCP、U 盘等高端大容量产品。n2022 年DRAM市场份额约787 亿美元，约占存储器市场的55%；NAND NAND 闪闪存存芯芯片片市市场场约约579 579 亿亿美美元元（40534053亿亿人人民民币币），约约占占存存储储器器市市 场场的的40.4%40.4%。2022年全球存年全球存储储器市器市场规场规模占模占存存储储器是全球第器是全球第集成集成电电路路产产品品NAND闪闪存是全球存是全球容量容量易失存易失存储储的主流14、技的主流技术术案案数据来源：赛迪智库，Gartnern存储产业链包括存储颗粒制造环节（晶圆厂+设计公司）、存储应用环节（模组厂+主控芯片）及封测厂。n 半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密且标准化程度高，主要以IDM 模式为主。在应用环节，存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应 用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化，包括主控芯片、固件开发、封测等环节，最终由存储原厂或模组厂商以成品形式推向市场。n 在终端产品上，存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，以晶圆的创新设计与制程提升聚焦于具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个 人电脑及服务器行业的头部客户）15、。而对于产品差异化较大需客制化的长尾细分行业市场（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影 像监控、物联网硬件等）以及主流应用市场中小客户，则由独立的存储模组厂商进行开拓。数据来源：CFM闪存市场，国信证券工业,2.6%消费,6.1%无线通信,34.1%计算,54.8%有线通讯,1.1%汽车,1.2%军工航天,0.1%2020年NAND Flash各行业销售额占比存储产业链nn尽管2022 年下半年开始，NAND 闪存芯片受产业下行周期叠加经济不景气的影响出 现了价格下跌，随着全球经济的复苏，预计2024 年NAND 闪存芯片销售额将再次提 高，并进入快速增长周期。根据Gar16、tner 预测，2026 2026 年年NAND NAND 闪闪存芯片的存芯片的销销售售额额将超将超过过11001100 亿亿美元。美元。020040060080010001200201920202021202220232024202520262019-2026 年NAND 闪存芯片全球销售额（亿美元）数据来源：Gartner2400400020222026n根据Gartner预测，到2026年全球NAND闪存需求量将超过235万PB，2021-2026 年NAND闪存需求量的年复合增长率超过30%。63.781.2106.7 144.1 188 2360501001502002502021217、0222023202420252026n我国一直以来都是存储器产品最大的需求市场，因此，预计我国闪存 芯片需求量年复合增长率超过全球的30%水平。2022 年我国存储器 市场规模约为5494亿元，其中NAND 闪存芯片市场规模约为2400亿 元，随着消费电子市场企稳，预计未来国内闪存芯片价格将企稳回升，市市场规场规模将在模将在20262026 年超年超过过40004000亿亿元。元。2021-2026 年NAND 闪存全球需求量（万PB）CAGR 超3 30 0%我国NAND 闪存芯片销售额（亿元）n2022 年我国NAND 闪存芯片市场规模约为2400 亿元。与庞大的市场相比，我国的 NAN18、D 闪存芯片产值规模存在较大差距。2022 年我国NAND 闪存芯片产值规模约为 1000亿元，主要为三星西安工厂与SK 海力士收购的英特尔大连工厂产值，而长江存 储作为唯一的内资企业占比约为13.4%。n在产能方面，截止2022 年12 月，国内12 英寸闪存晶圆的月产能合计为46.8 万片/月，其中三星西安工厂和SK 海力士大连工厂占总产能的79%，长江存储约占21%。n国际竞争格局上，存储器市场长期被美日韩高度垄断。n Gartner 报告显示，2022 年韩国三星、SK 海力士、日本铠侠、美国西 部数据、美光前五家企业占据了95%的闪存芯片市场份额。其中三星、SK 海力士、铠侠、西部数19、据（共享铠侠的晶圆厂产能）、美光产能分 别占全球总产能的32.7%、18.6%、32.0%、10.1%，。注：SK 海力士的营收和产能数据包括收购的英特尔闪存业务 数据来源：Gartner36.4%17.2%19.3%14.5%11.9%三星 西部数据SK海力士 美光铠侠 其他34.6%18.0%16.9%12.8%4.8%11.3%1.6%西部数据三星 美光SK海力士铠侠C公司其他2018Q2 全球市场NAND竞争格局0.7%2022 全球市场NAND竞争格局13.4%86.6%21%79%2022 中国市场NAND产值竞争格局2022 中国市场NAND产能格局数据来源：海力士，CFM闪存市20、场，Yolen提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3D NAND Flash 的堆叠层数是存储密度 提升的主要方式。n 在2D 形式下，单位存储单元密度提升会带来擦写次数减少、可靠性降低和单元间干 涉现象严重等问题，3D NAND 技术应运而生。n 3D NAND 读写速度、功耗、成本、耐久性、数据传输速度及容量等均展现出卓越的 优势。3D NAND 为闪存市场主流产品，22 年应用占比超80%，随存储密度要求提 升层数增加。n 目前，三星、美光、SK 海力士、C公司等均超过了200 层。根据Yole数据，128 层 NAND 仍为主要工艺，232 层NAND 将随数据中心等需求增加加速21、渗透。提升存提升存储储密度的技密度的技术术演演进进C公司在全球率先公司在全球率先实现实现了了232层层堆叠堆叠3D NAND层层数快速增数快速增数据来源：BloombergnNAND闪存颗粒价格长期遵循摩尔定律逐步下降，而短期则给予供求关系呈现周期性波动，通常波波动动周期周期为为3-43-4年一个循年一个循环环。n2022年上半年，整个消费电子市场持续萎靡，加之各大终端厂商的高库存，市场供过于求。相比相比20212021年末，年末，20222022年末年末NANDNAND闪闪存价格下跌存价格下跌35%35%。n2023年第一季度，存储器市场受全球各主要经济体消费电子疲软影响，平均售价平均售价继22、续继续下下降降10%-15%10%-15%。n2023年三星、SK海力士、美光等国际存储龙头企业已开始采取减产等控制手段。但由于 下游模组厂仍有相当存货，市场价格仍在低位震荡。业界普遍预计维闪存供需关系将在 2023Q4/2024年Q1开始逆转，出现供不应求的趋势，闪存颗粒价格将开始回升，届时国 内NAND闪存市场将进入景气周期，总体市场规模将快速增长。存储芯片周期波动略强于半导体全行业三星、美光、海力士受周期影响收入下滑明显市场将在23Q4/24Q1触底反弹PART22017年年第一代32层产品 研发成功2016年年企业成立第一代32层测试芯片通过功能性测试2018年年Xtacking技技术23、发术发布布第一代第一代32层产层产品量品量产产第二代64层设计完成 并实现首次流片2019年年第二代64层产层产品量品量产产第三代128层设计完成 并实现首次流片2020年年并购封测企业51%股权第三代128层产层产品量品量产产2021年年 第四代产品设计 完成，功能测试 通过2022年年第四代量第四代量产产中国大陆唯一唯一与世界先进水平没有代差的半导体制造企业，专注3D NAND闪存及存储器解决方案国家大基金二期27.28%C科技有限责任公司C公司X公司C公司二期湖北XX国器科技湖北国芯产业基金长江产业投资集团C资本湖北省科技投资湖北XX发展国家大基金100%100%50.94%39.47%24、19.74%100%100%100%100%28.56%12.88%12.24%100%100%100%100%100%9.96%6.35%2.72%100%C科 技 深 圳分 公 司C科 技 上 海分 公 司C创 芯 上 海C创 芯 北 京C科 技 服 务C香 港Yangtze MemoryJ Y M株式会 社宏 茂 微 电 子 上 海X公 司 香 港C产 业 创 新中 心X公 司 深 圳分 公 司X公 司 上 海分 公 司C基 金 管 理有 限 公 司C公司从事集成电路领域工作近近4040年年曾任华润华润微微电子有限公司常常务务副董事副董事长长，并并带领华润带领华润微微电电子扭子扭亏亏为为25、盈，成功盈，成功IPOIPO国家集成国家集成电电路大基金咨路大基金咨询询委委委委员员 中国集成电路创新联盟咨询委委员 中国半导体行业协会副理事长中国集成电路产业创新联盟副理事长0101国家重大科技国家重大科技专项专专项专家家XX博士 董事长、CEO3030余年余年半导体行业经验曾任英特尔逻辑逻辑技技术资术资深深总监总监 特许半导体高高级级运运营营副副总总裁裁中芯国际首席首席营营运运长长3030余年余年半导体行业经验曾任中芯国际八厂厂长2020余年余年半导体行业经验国家某02重大专项首席科学家首席科学家1515余年余年半导体行业经验1515余年余年半导体行业经验公司共有研发人员超超700070026、0人人，其中硕士以上超超过过40004000人人，是存储器芯片领域国际一流的人才团队 研发团队由国家02重大专项首席科学家领衔，博士占比博士占比11.2%11.2%，管理人员平均拥有2020年年的行业科研经验 工程技术团队由近2020年年行业经验的高级副总裁带队，打磨出一只自信、有担当、有战斗力、能大胜仗的 本土化团队。62%11%25%硕士博士本科其他学历公司研发团队学历构成2%更灵活更灵活提升研发效率并缩短生产周期；产品开发时间缩缩 短短3 3个月个月，生产周期可缩缩短短20%20%。成本更低成本更低 每次技术迭代单位存储密度成本降低降低约约 25%25%，明显高于高于业业界界的的18%127、8%。更快拥有更快的I/O传输速度；只需一 个处理步骤即可通过数十数十亿亿根根垂直 互联通道(VIA)将两片晶圆键合更高更高 芯片面积可减少可减少约约2525%。比传统 3D NAND更高的存储密度，架构不断架构不断更更新新2019年XtackingXtacking 2.02.0进一步提升闪存吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化闪存全新商业模式在两片晶圆上完成独立的制造工艺通过金属互联通道VIAs进行两片晶圆的键合2018年XtackingXtacking 1.01.0FMS闪存峰会最具创新初创闪存企业2022年XtackingXtacking 3.03.02022年最具颠覆性的技术28、之一N NA ANDND存存储阵储阵列列晶晶圆圆自主自主创创新架构新架构CMOSCMOS 外外围电围电路晶路晶圆圆合并合并为为牢固的整体牢固的整体架构架构创创新点新点43.20%19.50%37.30%100.00%PCIe 4.0固态硬盘个人个人计计算算移动固态硬盘手持手持终终端市端市场场企企业计业计算算PCIe 4.0 NVMe 固态硬盘UFS嵌入式存储eMMC嵌入式存储SATA-III 固态硬盘NAND颗颗粒粒系系统统级级 产产品品NAND颗粒NAND产品晶圆NAND颗粒晶晶圆圆ATA III固态硬盘NAND产品晶圆企企业级业级用用户户2022年年销销售占比售占比消消费级费级用用户户NA29、ND从2D结构向3D结构发展并不断增加堆叠层数，目前全球最高量产水平高达232层，当时市面上可以批量采购的200层以上NAND闪存芯片仅有C公司一家，其他厂商虽然宣布实现量产但并未大量出货。注：表示厂商目前主流技术数据来源：Trendforce在目前的行业主流产品128层3D NAND中，公司产品在I/O速度和存储密度均优于国际巨头。产产品品YMTC 128LXtackingSamsung 128L V-NANDMicron 128L CuA CTFSK Hynix 128L4 D PUC架构XtackingV-NANDCTF CuA4D PUC容量512Gb512Gb512Gb512Gb面积30、mm260.4274.0966.0263.00存储密度（Gb/mm2）8.486.917.768.13I/O速度（Gb/s）编程时间（TLC）2.4420us1.21.21.2411us650us423/us2016-2021年年2021-2026年年核核竞竞争争驱动驱动市市场场占有率的突破占有率的突破项项管理与管理与项项驱动驱动技技术术基基础础 与制造基与制造基础础的突破的突破第二第二阶阶段段第三第三阶阶段段第一第一阶阶段段战战略略规规划与划与战战略略驱动驱动 产产品品线线与与产业链产业链的突破的突破核核竞竞争争驱动驱动 市市场场占有率的突破占有率的突破 从32层到128层3DNAND闪存131、个FAB 1个整建制团队3个Fab 1条完整的价值链 1条多元化的存储生态链 3个成功（研发、产能、市场）1个国内产业安全 1个完整的存储产品组合PART3n截止2022 年12月31日，公司总产能达到10 万片/月，公司收入突破200亿元，其中母公司收入142.3 亿元，其他主体收入68.6 亿元。n2022年中国NAND闪存市场2400亿元，国内产值1000亿元，22年C公司在国内产值占比为13.4%，2023年预计国内产值占比为25%,24年目标实现产值规模 的40-50%。随着下游对数据处理的需求不断增长，以及公司二期工厂产能放量，公司未来收入复合增长将达到50%，公司2025年将实现32、盈利。n公司远期目标为占有国内NAND闪存芯片40%-50%的市场份额。451432111743835748611033-147-265-6178189279-200-40040020001000800600120020-2406202120222023E-292024E2025E2026E2027EC公司收公司收、净净利利润润情况（情况（亿亿元）元）收入净利润416576801799867104911220200400600800100012002020202120222023E2024E2025E2026E公司公司净资产净资产情况（情况（亿亿元）元）n公司已完全满满足科足科创创板板 上市上33、市标标准二、准二、标标准四准四、标标准五准五，预计公司将以 第四套上市标准进行申报。n CC公公司司的的战战略略地地位位可可参参 考考中中芯芯国国际际，后后者者曾曾创创 下下了了1616天天光光速速过过会会的的奇奇 迹！迹！，科科创创属性相关指属性相关指标标是否符合是否符合公司具体情况公司具体情况最近三年累计研发投入公司20202022年累计发投占最近三年累计营业收入占累计营业收入比例为21%入比例5%，或最近是超过5%；公司20202022年三年累计研发投入金额累计研发投入金额为82.2亿元6,000 万元远大于6,000 万元。研发人员占当年员工总 数的比例10%是截至2022年12月3134、日，公司 研发人员占员工总数的比例 超70%，远超过10%。应用于公司主营业务的 发明专利5 项是截至2023年1月31日，公司应 用于公司主营业务的发明专 利超8000项，远超5项。最近三年营业收入复合 增长率20%，或最近 一年营业收入金额3 亿是公司20202022年营业收入 年均复合增长率为117%，远 大于20%，且2022年营业收 入金额为211亿元，大于3亿 元。公司完全符合科创属性指标要求n在现行科创板注册制下，市值及财务指标应当至 少符合下列标准中的一 项：，市值预期：n 可比上市公司中芯国际当前PS为9.8倍，在保守、中性、积极条件 下我们分别选取8倍、10倍、12倍的PS35、倍数。n 公司计划在2025年完成科创板IPO申报，假设2026年完成上市，2027年实现退出。经测算得，退出时公司市值将超万亿！公司名称估值（亿元）2022年营业总收 入（亿元）PS（TTM）PB（MRQ）中芯国际46324959.83.2C公司15162117.21.9C公司在国内肩负的历史使命、战略地位可类比于中芯国际，中芯国际为C公司在国内唯一可对标公司。中芯国中芯国际际C公司公司n中芯国际为国内最为领先的先进制程晶圆制造企业，肩负了中国先进制nC公司作为国内唯一的一家NAND闪存芯片制造企业，稀缺性超过中芯国际！程芯片制造的重任，从此中国的先进制程芯片在国际上有了一席之地，不再一受制36、裁就行业瘫痪。n由于NAND闪存芯片在数据时代作为关键基础设施的不可替代的作用，是中国云计算、物联网、人工智能、智能驾驶等数字经济的发展的土壤，也是保证数据安n同时中芯国际在国内半导体产业链中具有举足轻重的地位，中芯国际作全的基石，对未来国力的竞争起到关键性作用。为产业链中枢，支持了国内上千家半导体设备、材料、零部件企业，以及广泛的下游应用行业。n此外，C公司更是国内唯一一家在半导体先进制造领域与全球巨头没有代差、甚至反超的企业！估值合理性分析：目前C公司从PS、PB角度来看，估值都低于可比公司。市值预期2027年业绩完成度80%100%120%8271,0331,240保守86,6138,2669,919中性108,26610,33212,399积极129,91912,39914,878