1、主流功率半导体器件项目可行性报告商业计划书XX工程咨询有限公司二零XX年XX月XX项目可行性研究报告建设单位：XX建筑工程有限公司建设地点：XX省XX市编制单位：XX工程咨询有限公司20XX年XX月67可行性研究报告编制单位及编制人员名单项目编制单位：XX工程咨询有限公司资格等级： 级证书编号：（发证机关：中华人民共和国住房和城乡建设部制）编制人员： XXX高级工程师XXX高级工程师XXX高级工程师XXXX有限公司二XX年XX月XX日目录一、项目提出的背景及项目建设的必要性61.1 项目提出的背景61.2 项目建设的必要性7二、 项目投资方简介122.1项目实施单位介绍122.2产品介绍1222、.3 项目团队简介16三、 市场分析与预测183.1 功率半导体器件行业概况183.2.市场需求193.3 功率半导体器件市场趋势分析223.4 产品大纲244.1 工艺技术定位244.2 工艺设备配置27五、 物料供应315.1 原材料消耗31六、 厂址选择和厂址概况326.1 项目区位城市概况326.2 建设场址条件分析34七、 组织结构、劳动定员和人员培训367.1 组织机构367.2 新建项目人员总数及构成367.3 培训计划37八、 项目实施进度378.1 项目建设期378.2 实施进度计划378.3 保障措施38九、 投资估算与资金筹措389.1 固定资产投资估算389.2 流动资3、金估算399.3 项目总投资399.4 资金筹措40十、 经济分析4010.1 基本数据4010.2 财务评价4110.3 经济分析主要结果4210.4 综合评价43十一、 环境保护4411.1 环境保护4411.2 环境现状及分析45十二 职业安全卫生5312.1 编制依据5312.2 工程概况5312.3 职业安全5412.4 职业安全卫生管理机构和投资61十三 消 防6113.1 编制依据6113.2 总图布置6113.3 环境现状及环境污染6213.4 建筑物内装修的材质、耐火性能6313.5 消防给水6313.6 消防电气6313.7 采暖通风防火66十四 效益评价6714.1 经济4、效益分析6714.2 社会效益分析67 项目可行性报告一、项目提出的背景及项目建设的必要性1.1 项目提出的背景 随着第三次工业革命的兴起，科学技术飞速发展，电子信息产业作为第三次工业革命的推进器，引领了这次革命，其中半导体产业作为信息产业的核心、基础产业，其发展进程格外引人注目。经历了半个世纪的发展，半导体技术形成了两大分支：一个是以大规模集成电路为核心的微电子技术，实现对信息的处理、存储与转换；另一个则是以功率半导体器件为主，实现对电能的处理与变换。功率半导体器件与大规模集成电路一样具有重要价值，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作用。功率半导体器件的传统应用领域包括消费类电子、计算5、机及外设、网络通信等，而电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、医疗电子、LCD/PDP 显示屏及电子照明等多个领域也正成为功率半导体器件的新兴应用市场，市场需求旺盛。苏州xx功率电子有限公司成立于二零一四年一月，位于江苏省张家港市，注册资金400万元。由多名国内知名半导体专业人士投资组建。拥有一条现代化四英寸晶圆生产线，可实现月产量15万片半导体功率器件芯片；公司拥有2300平米现代化生产厂房，以及动力配套设施。公司自创立以来得到江苏省各级领导大力支持，为江苏省张家港市领军人才企业。公司自成立以来先后获得张家港领军人才奖（特别优秀奖），江苏省苏州市姑苏创新创业领军人才奖（一等奖），江苏省高层次创新6、创业人才引进计划奖（一等奖），江苏省科技型中小企业等。公司主要产品有：玻璃钝化整流器芯片，玻璃钝化快恢复整流器芯片，快恢复、超快恢复高压二极管芯片；瞬态抑制器二极管及阵列芯片产品等。公司拥有一支经验丰富具有自主研发能力的技术团队；先进生产管理理念的管理团队。考虑到国家实施京津冀协同发展战略，随着渤海新区的建设和发展，为企业提供了历史性的发展机遇。另外，由于管理团队主要成员家庭所在地在天津市，就近实施创业，解决了生活上面临的实际问题。借助地域优势，同时可以解决管理层人员结构以及员工管理等方面问题。1.2 项目建设的必要性国家集成电路产业发展推进纲要指出：集成电路产业是信息技术产业的核心，是支撑经7、济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期。加快推进集成电路产业发展，对转变经济发展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。12.1近几年国家发布的关于集成电路行业的政策主要为国家鼓励政策2000年6月24日，国务院颁布国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知（国发号）2011年4月27日国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知（国发20114号）2012年4月20日财政部、国家税务总局发布的关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知（财税201228、7号）；2014年6月24日，国务院颁布国家集成电路产业发展推进纲要，随后成立集成电路产业基金。2015年2月24日，国务院发出国发【2015】11号文，取消和下放管理层级的行政审批项目共94项，其中工业和信息化部的“软件企业和集成电路设计企业认定及产品的登记备案”列在其中； 2015年3月2日，财政部发布鼓励集成电路产业发展企业所得税政策财税20156号文，适用范围为符合条件的集成电路封装、测试企业以及集成电路关键专用材料生产企业、集成电路专用设备生产企业；2015年5月10日，国务院发出国发【2015】27号文，取消49项非行政许可审批事项，其中国家发展改革委负责的“享受税收优惠政策的集成9、电路企业和国家规划布局内重点软件企业的认定”列在其中；2016年5月4日，财政部、国家税务总局、发展改革委、工业和信息化部联合发出关于软件和集成电路产业企业所得税优惠政策有关问题的通知财税201649号文；明确了集成电路生产企业、集成电路设计企业、软件企业、国家规划布局内的重点软件企业和集成电路设计企业（以下统称软件、集成电路企业）的税收优惠资格备案管理方法。简单地说，就是原来由工信部和国家发改委通过中国半导体协会对全国范围的集成电路设计企业及享受税收优惠政策的集成电路企业和国家规划布局内重点软件企业的“认定”后报财税部门享受政策，改为了企业先向所在税务部门按照要求进行“备案”，先享受政策，税10、务部门将税收优惠政策的企业名单及其备案资料提交省级发展改革、工业和信息化部门经组织专家或第三方核查后，反馈给省级税务部门，最后由省级财政、税务、发展改革、工业和信息化部门应将核查结果及税收优惠落实情况联合汇总上报财政部、税务总局、国家发展改革委、工业和信息化部。1.2.2国内功率半导体器件市场环境良好功率半导体是通过弱电控制强电，实现信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国11、经济的快速发展以及国际IT制造业向中国国内转移，中国国内电子信息制造业快速发展，在此带动下，近年来中国功率半导体市场取得了快速的增长，目前已成为全球最大的功率半导体应用市场。未来中国经济仍将继续保持持续较快增长的发展势头，物联网、新能源、节能环保、智能电网以及高铁等新兴产业将会得到很大的发展，作为现代产业发展的基础，功率半导体器件将在各领域得到更广泛的应用，中国功率半导体市场将持续保持较好的增长态势，市场规模将持续扩大。国内分立器件增长情况：中国半导体分立器件进口情况： 1.2.3功率半导体器件在电子信息产业发展中的重要作用集成电路发展，从小规模集成（SSI）开始，经中规模集成（MSI）、大规12、模（LSI），发展到超大规模集成（VLSI），目前已进入特大规模（ULSI）和甚大规模（GSI），单片集成电路可越过10亿个元器件。在大功率，大电流、高频高速、低噪声等应用领域，功率半导体器件起着无法替代的关键作用，是信息系统的核心部件。我国是一个能源紧缺的国家，目前所有的能源中，电力能源约占40%，而电力能源中有40%是经过电力电子设备的转换才能到达使用者手中。其中55%以上是用在马达和马达控制方面，20%用在照明。如果在马达、马达控制、照明中应用电力电子技术去转换，人类最少可以节省约1/3的能源，相当于840个发电厂发出的电能。由此可以看出，由于功率半导体技术与节能密切相关，通过功率器件实13、现“弱电”技术有效控制“强电”技术，节能技术才能得到快速的发展。手机、笔记本电脑等各种手持终端消费类电子产品才能进入普通民众的消费领域，此外，节能照明、新型显示、便携式电动工具、工业控制、汽车等也广泛使用功率半导体器件，在这些领域，功率半导体器件起到了不可替代的关键作用。1.2.4市场竞争和企业成长的需要在功率器件生产方面，先进技术仍然掌握在国外著名跨国公司。经过多年的发展，国内许多功率半导体器件制造商逐步掌握了中低端产品的设计、工艺、制造。由于市场竞争日益激烈，产品价格呈现下降趋势，利润空间也受到严重的压缩。通过认真分析，借鉴前期生产经营活动积累的经验，我们决定扩大目前的玻璃钝化、玻璃钝化快14、恢复芯片、高压快恢复芯片生产线生产规模；同时研发、产业化，利用平面工艺生产的高端FRED、ESD芯片。提高企业竞争能力，顺应市场发展趋势。1.2.5对当地经济发展有促进作用随着项目的建成，不仅可以提升我公司的核心技术含量，还将为当地创造约200个就业岗位，为当地政府每年创造约784.92万元的利税（达产年平均），并可以可带动当地电子产业的上、下游企业（设计业、测试业、封装业、硅材料、半导体材料业、半导体设备、仪器业等）的新发展，推动当地经济发展，拉动内需，促进当地基础设施建设。苏州xx功率电子有限公司产品自2014年投资兴建以来凭借所掌握的先进的技术、市场、管理经验，在激烈的市场竞争实现稳步发15、展，产品获得市场高度认可，供不应求。公司管理层通过对市场分析，认为通过深化企业研发、提高制造水平，提升经营规模，抓住国家京津冀发展战略的机遇，凭借渤海新区发展微电子产业的举措，公司必将实现一次跨越式发展。本项目主要产品为主流功率半导体器件，市场需求旺盛。1.3 企业自身的优势1.3.1 技术优势苏州xx功率电子有限公司骨干成员长期从事功率半导体器件的研发和工艺开发，曾获得多项产品开发奖励。掌握多种产品的完整技术，多项专利获得受理，并拥有多项产品的专有技术。很多工艺技术已居国内、国际先进水平。1.3.2 市场优势由于公司的骨干和销售队伍有长期在国内和外资企业从事市场开发的经历，对客户的需求和客户16、关系上有良好的人脉，使得公司能很快进入市场，并和客户一起开发新的产品领域。1.3.3 发展优势公司完全按照股份制方式来运行，具有体制上的优势。公司与多所著名大学、研究所有合作关系，保证企业的产品能紧跟市场前沿，通过改进技术和管理，来持续降低成本，保持竞争优势。1.3.4 质量优势公司实行严格的质量管理和充分的过程控制，在质量分析、质量审核、过程检验、成品筛选、例行试验等方面形成了完整的体系。公司成员大都在国内上市公司担任过要职，部分成员接受过国际著名公司的培训。具有与国外大公司合作经历，如日本富士电机、日本新电源、日本三肯公司、韩国三星公司等，对先进的质量管理有较深的体会，保证公司能严格准确地17、执行质量观念。二、 项目投资方简介2.1项目实施单位介绍苏州xx功率电子有限公司成立于二零一四年一月，位于江苏省张家港市，注册资金400万元。由多名国内知名半导体专业人士投资组建。拥有一条现代化四英寸晶圆生产线，可实现月产量15万片半导体功率器件芯片；公司拥有2300平米现代化生产厂房，以及动力配套设施。公司拥有一支经验丰富具有自主研发能力的技术团队；先进生产管理理念的管理团队。公司致力于满足不同客户的需求，打造高品质、高可靠性的半导体芯片产品。2.2产品介绍苏州xx功率电子有限公司主要生产以下产品：2.21半导体器件产品：1、玻璃钝化整流芯片（GPP)：40mil，45mil，50mil，718、0mil，84mil；1000V，1200V等系列产品。 2、快恢复系列芯片：主要包括FR系列，HER系列及SF系列等； 3、TVS芯片及阵列产品。 4、高压整流芯片：主要以8KV -20KV高压硅堆为主。2.2.2半导体专用设备产品1、QL-DY系列电泳设备2、QL-TJ系列涂胶设备半导体器件芯粒：半导体器件芯片:芯片测试仪：扩散炉：自制电泳设备：自制涂胶设备：2.3 项目团队简介公司董事长，总经理，负责公司全面工作。国务院津贴专家，天津市授衔专家，天津电子信息集团授衔专家，天津市131工程第一层次人选，正高级工程师、天津市特等劳动模范。张家港市领军型创业人才，姑苏创新创业领军人才，江苏省创19、新、创业人才。具有28年从事的功率器件设计、工艺研发、经营管理经验。主持开发了多种半导体功率器件，并获得各级政府奖励十余项。主持实施了包括国家发改委、工信部、天津市等省部级项目多项。曾长期任上市公司天津中环半导体股份有限公司董事、常务副总经理、总工程师等职务。 正高级工程师，担任公司设备厂务经理，主管设备、仪器开发 具有30年从事的半导体器件生产、动力、设备经验。主持开发了多款半导体生产线专用设备，填补了国内技术空白。 专 长：半导体设备、仪器开发，生产线组建简要工作经历：1982.7-2013.1 天津中环半导体股份有限公司（退休）1982.7-1990.6 在天津中环半导体有限公司设备科，20、二级管车间任技术员，工程师。1990.6-1990.7在美国EDAL公司学习，参与组建公司塑封高压硅堆生产线，负责了生产线安装调试工作，任塑封高压硅堆车间副主任。1993年9-11月 到日本新电源公司参加交流学习，主要学习硅桥生产线制造技术。1993.11-2001.1，中环公司硅桥生产线创建人之一，负责了整个生产线设备安装调试工作，担任分厂副厂长，主管设备管理，及维修工作。2001.1-2007.7，先后担任中环公司研发室主任，设备研发部部长，生产技术部部长工作；负责了整个公司设备管理工作并研发自制了两百多台测试仪器及几十台生产设备，为公司高压硅堆原月产2000万只扩产到8000万只节约了大21、量资金，其中研发的高压测试仪（20KV）国内同行首创，由原来每秒测试一只提高到每秒测试6只。2005年，被天津市中环信息电子集团有限公司（原天津市电子仪表局）授予半导体测试设备工程专家称号。曾在美国及日本新电源公司接受培训。高级工程师，具有29年从事的半导体器件技术开发、经营管理经验。曾在日本新电源接受培训。主持了多项半导体器件生产线的建设项目。高级工程师，具有25年从事的半导体器件技术开发、质量管理经验。曾担任外资企业以及国内知名公司高级管理人员。高级工程师，担任公司设备维修一职。具有28年从事的半导体器件生产线动力设备管理经验。长期供职于Motolar中国天津公司，掌握国际上先进的设备管理22、经验。工程师，担任公司技术质量经理一职。具有13年半导体功率器件技术、工艺开发经验，并具有生产线组织管理工作经验。工程师，具有18年半导体功率器件技术、工艺开发经验，并具有生产线组织管理工作经验。工程师，担任公司销售经理一职。具有11年半导体器件销售经验。三、 市场分析与预测3.1 功率半导体器件行业概况3.1.1 功率半导体简介随着科学技术的飞速发展，半导体技术形成了两大分支：一个是以大规模集成电路为核心的微电子技术，实现对信息的处理、存储与转换；另一个则是以功率半导体器件为主，实现对电能的处理与变换。功率半导体器件与大规模集成电路一样具有重要价值，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作23、用。功率半导体器件（power semiconductor device），是指能耐高压或者能承受大电流的半导体分立器件和集成电路，其中大部分是既能耐高压也能承受大电流。半导体产业的发展始于分立器件，所谓“分立”，是与单一芯片集成多个晶体管和无源元件的集成电路比较而言，一般是指被封装的半导体器件中的芯片仅含单一晶体管（为了产品应用需要，部分分立器件封装实际上包含二个或多个芯片），它必须和其它类型的器件相结合，才能提供类似放大或开关等基本电学功能。从产品结构来分，功率半导体器件可分为功率分立器件和功率集成电路，而功率分立器件又包括二极管、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、晶闸管等产品24、。从功率处理能力来划分，功率分立器件可分为四大类：低压小功率分立器件（电压低于200V，电流小于200mA）、中功率分立器件（电压低于200V，电流小于5A）、大功率分立器件（电压低于500V，电流小于40A）和高压特大功率分立器件（电压低于2000V，电流小于40A）。功率半导体器件最初主要用于与电网相关的强电装置中的功率分立器件，因而功率分立器件也被称为电力电子器件。目前功率半导体器件的应用范围已大幅扩展，渗透到国民经济与国防建设的各个领域，是航空、航天、火车、汽车、通讯、计算机、消费类电子、工业自动化和其他科学与工业部门至关重要的基础部件。功率半导体器件的应用领域主要分为以发电、变电、输25、电为代表的电力领域和以电源管理应用为代表的电子领域。在电力领域，功率半导体器件以超大功率晶闸管、IGCT为代表，为实现对电能的传输转换及最佳控制提供支持，技术趋势是继续向高电压、大电流的方向发展；在电子领域，电源管理器件则倾向于集成化、智能化以及更高的频率和精度。3.1.2 功率半导体器件的应用功率半导体器件用于电能的处理、变换和管理，是整个系统“供血”的“心脏”，在电子产业链中具有关键作用。本项目涉及的玻璃钝化芯片、快恢复玻璃钝化芯片主要用于消费类、通讯类、计算机、汽车等领域，发挥交流电转换成直流电的转换功能。对于高压整流芯片主要用于微波炉磁控管的高压整流用。快恢复高压整流芯片主要用于行输出26、变压器、激光打印机、空气清新器等起到高压整流的作用。瞬态抑制器芯片主要用于工业设施、消费类如家电、计算机、通讯装置等的，起保护快作用。计划研发的产品FRED，广泛适用于IGBT模块、MOS模块等，起到整流、续流作用。ESD产品同瞬态抑制器芯片相似，主要用于工业设施、消费类如家电、计算机、通讯装置等的，起保护快作用。计划实施的项目包括上述芯片产品的封装、测试项目。将芯片产品转化成成品，更加接近市场。上述产品应用非常广泛，为企业提供了较好的发展空间。3.1.3 功率半导体产业链产业链上游为单晶硅片（或直接使用外延片，但价格昂贵）、掩膜版、化学品及引线框架和塑封料等，下游覆盖4C（通信、计算机、消费27、电子、汽车）产业和工业控制领域。4.2 国内外市场竞争状况与发展趋势3.2.市场需求3.2.1国内市场在工业领域需求旺盛的带动下。2015年国内分立器件市场增速进一步加快。2015年市场规模达到1977亿元人民币，同比2014年的1651.2亿元，增长率达到19。7%。继续保持着高速增长的态势。2015年，中国分立器件进出口量达到5375.5亿只，同比下降了2.6%。进口额为294.1亿美元，同比下降了6.3%。出口方面2015年国内分立器件出口量为7359.8亿只，同比增长了27.0%，出口额为316.8亿美元，同比增长了3.4%多年来我国功率器件产业保持了较快速度发展，但由于技术、人才、政28、策等瓶颈限制，许多产品仍然需要进口，在一定程度上影响到我国国防、重点工程项目的安全，急需快速发展。本项目产品包括快恢复整流半导体器件、快恢复高压器件、高可靠性保护类器件。该系列产品应用领域包括消费类电子、计算机及外设、网络通信、汽车电子等。电子专用设备与仪器仪表、医疗电子、LCD/PDP 显示屏及电子照明、光伏产业等多个领域也正成为功率半导体器件的新兴应用市场，市场需求旺盛。功率器件尤其是在节能减排等领域发挥不可替代的作用。相当长时期内尚无技术可以代替。3.2.2 国内外市场竞争3.2.2.1国外市场竞争状况全球功率半导体器件中高端产品生产厂商主要集中在欧美、日本和我国台湾地区。美国、日本和欧29、洲功率半导体器件厂商大部分属于IDM厂商，而我国台湾的厂商则绝大多数属于Fabless厂商。并且，不同地区通过产业分工，形成了各自的竞争优势。美国功率半导体器件产业处于世界领先地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ON SemiconductorAOS和Vishay等厂商。其中美国厂商在芯片领域具有绝对的领先优势。从美国厂商的市场分布来看亚太地区（不包括日本）是最大的市场，也是发展速度最快的地区其次是美国市场，此外日本市场也占据了一定的市场份额。近年来，得益于市场需求，特别是亚洲市场的旺盛，美国功率半导体厂商一直保持快速30、的发展。相对于其它地区的企业，美国厂商在技术和市场上都居世界领先地位。欧洲拥有Infineon、ST、NXP等全球知名半导体大厂，产品线齐全，无论是功率IC还是功率分立器件都具有领先实力，此外，Semikron和Aupec等厂商在分立器件领域也有较强实力，从市场分布来看，亚太地区是欧洲这几家企业最大的应用市场，其次是欧洲市场。日本功率半导体器件厂商主要有Ricoh、Sanken、Seiko、 Sanyo、Sharp、Toshiba、Renesas、NEC、Fujitsu、TOSHIBA、Rohm、Matsushita Fuji等等，日本厂商在功率分立器件方面有较强竞争力且厂家众多，但很多厂商的31、核心业务并非功率半导体器件，从整体市场份额来看，日本厂商落后于美国厂商。从日本功率半导体器件厂商的市场分布来看，日本国内是其最大的市场，其次是亚太（不包括日本）市场，欧美市场占有少量的市场份额。近年来，我国台湾地区的功率半导体芯片市场发展较快拥有立铸（nichtek）、富鼎先进（APower）、茂达（Anpec）安茂（AME）、致新（GMT）、沛亨（AIC）、崇贸（SG）等一批厂商。从台湾地区功率半导体厂商的市场分布来看，我国内地和台湾地区是其最大的应用市场。产品方面，除了崇贸（SG）提供ACDC产品之外，台湾地区厂商主要偏重于DCDC领域，主要产品包括线性稳压器、PWM IC和功率MOSFE32、T，从事前两种IC产品开发的公司居多。总体来看，台湾地区功率半导体厂商的发展较快，技术方面和国际领先厂商进的差距一步缩小，产品主要应用于计算机主板、显卡和LCD等设备。3.2.2.2 国内市场竞争状况我国本土功率半导体器件厂商起步较晚，技术升级换代较国外滞后，主要厂家有深圳深爱、吉林华微、无锡华晶、天津中环、扬州晶来、绍兴华越、江阴长电等。我国功率半导体产业发展现状是封装强于芯片。我国涉及功率半导体行业的上市公司包括华微电子、士兰微、中环股份、有研硅股、上海贝岭和长电科技等公司，其中只有华微电子、士兰微电子、北大方正等已经建成6英寸功率半导体芯片生产线，并且已经形成销售收入，功率半导体器件是这33、几家公司未来业务发展的重心，而其他的上市公司则只是部分业务涉及。 在传统功率器件制造方面，采用4寸、5寸工艺厂家仍然有一定的比例。如扬州扬杰、启东捷捷微电子、皋鑫微电子、中环股份、扬州晶来、吉林华微等等。尤其在整流器产品方面，大部分仍然采用4寸生产线为主。产品技术有待进一步提升。3.2.2.3 行业的主要竞争对手分类（1）以Fairchild、IR、Infineon、ST等为代表的外资品牌厂商此类国际大牌厂商在研发、产品质量、市场上等方面占有绝对优势。前10大供应商占有我国功率MOSFET市场的68%，集中度较高。他们牢牢掌握着功率MOSFET的中、高端市场，如国际大牌消费电子、电脑等市场。（34、2）以华润华晶和吉林华微电子等为代表的国内功率半导体IDM厂商这类竞争对手，在功率器件市场耕耘多年，有销售网络、市场知名度方面的优势。虽然以前主要是CRT电视、节能等功率分立器件市场，但这些厂商近几年都在功率MOSFET上大力投资以形成新的增长点，并均已开始量产。这些厂商拥有自己的芯片制造和封装能力，有对应的供应链管理优势及对应的成本优势。（3）以江阴长电为代表的半导体封装厂这些封装厂以前主要为国际半导体厂商OEM，经营模式上有逐步从OEM向自有品牌转变的趋势。这些厂商通过外包设计（或自建芯片设计队伍）、外包芯片制造，可以短时间内快速切入功率MOSFET市场。这类厂商除了拥有规模化生产带来的成35、本优势外，还通过为国际大牌半导体厂商OEM，进入他们的供应链，积累了一定的市场知名度。3.3 功率半导体器件市场趋势分析3.3.1 技术趋势功率半导体器件技术研发的重点是提高效率、增加功能和减小体积，不断发展新的器件理论和结构，促进各种新型功率半导体器件的发明和应用。故而，未来技术发展将会呈现以下几个特点：（1）新型功率半导体器件将不断出现替代原有市场应用的同时，还将开拓出新的应用领域。如美国Cree公司开发出用于移动WiMAX用途的新的高功率GaNRF功率晶体管，在40V、3.3GHz下峰值脉冲输出功率达到创记录的400W。（2）新材料、新技术不断得到发展和应用为了使现有功率半导体器件能适应36、市场需求的快速变化，需要采用新技术，不断改进材料性能或开发新的应用材料、继续优化完善结构设计、制造工艺和封装技术等，提高器件的性能。例如，Vishay Intertechnology 开发出一种双面冷却新型封装的功率MOSFET，降低了热阻、封装电阻和封装电感，从而实现了更高效、更快速的开关功率MOSFET。（3）体积小型化、组装模块化、功能系统化趋势明显电子信息产品的小型化，甚至微型化，必然要求其各部分，包括功率半导体分立器件在内的零部件尽可能小型化、微型化、多功能。为适应整机装备效率和提高整机性能的可靠性，稳定性的要求，功率半导体器件将会趋向模块化、集成化。例如，ST、Semikron等正37、在采用封装级集成技术为工业设备、消费类产品和汽车电子开发大功率模块，将IGBT、功率MOSFET、ESBT（发射极开关双极晶体管）、二极管和输入电桥整流器集成组装在一个封装内，既降低了分立解决方案的组件数量和电路板空间，又具有出色的连通性和可靠性，满足了市场对功率平台更高集成度和可靠性日益增长的需求。未来功率半导体器件应用市场除稳定增长的消费电子、工业控制、照明等传统领域外，随着汽车中电子产品逐渐增加以及通信和电子玩具市场的持续活跃，功率半导体器件的市场规模有望实现较大的增长。总体而言，功率半导体器件市场需求旺盛局面仍将持续，甚至出现供不应求的状况。3.3.2 价格趋势从未来发展来看，随着供需38、逐渐平衡，中国功率器件市场的产品价格将会逐渐趋于稳定。长期来看，功率器件价格整体上仍然将保持一定的缓慢下滑趋势。分产品来看，各类功率器件产品的价格与市场需求和产品开发难度直接相关，中高端产品由于仍然具有较高的技术门槛，因此价格相对稳定，对于技术门槛较低的中低端产品来说，可能会有更多的小规模设计企业参与竞争，造成市场竞争更为激烈，低价策略很可能成为主要的竞争手段。虽然各类功率器件不同档次的产品价格走势会有所差异，整体来看，未来功率器件产品的价格将呈缓慢的下滑趋势。3.3.3 渠道趋势功率器件厂商的销售包括直销和分销。对于需求量大且重要的客户，主要通过直销方式为客户提供产品和相关的技术服务支持，对39、于其他客户则是通过代理商进行产品的销售。从目前市场发展情况看，分销渠道已成为市场的主要销售渠道，分销可以降低库存风险、资金压力和服务成本，众多代理商广泛的销售网络也有助于企业扩展潜客户。随着市场的快速发展，将有更多的企业加入竞争，这些企业往往规模较小，因此对于分销商的依赖程度将更强。从未来发展来看，分销渠道在今后仍将是主要的销售渠道，而且分销的比重将增长趋势。3.4 产品大纲表3-1 产品大纲序号产品类别主 要 用 途折合4寸达产年产量1玻璃钝化芯片各种电器电源充电器、适配器、绿色照明、计算机电源、汽车等10万片/月2玻璃钝化快恢复芯片开关电源、变频器、驱动器、微波通信、光伏领域等2万片/月340、TVS电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表）I/O,LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机保护、共模/查模保护、RF、耦合/IC驱动接受保护、淀积电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域2万片/月4高压整流芯片微波炉、工业等1万片/月5高压快恢复芯片激光打印机、空气清新器、工业电源等1万片合 计16万片/月四、 技术与设备4.1 工艺技术定位4.1.1苏州xx功率电子有限公司产品技术项目生产硅片尺寸：4英寸生产能力：30000片/月4.1.2 主要工艺流程玻璃钝化芯片工艺流程示意：高压快恢41、复芯片工艺流程示意：4.1.3 关键技术h 产品设计技术；h扩散技术；h 钝化技术；h产品应用技术等4.1.4 技术实力苏州xx功率电子有限公司具有多年从事半导体功率器件芯片设计、器件制造、市场开发和销售经验。公司具有设计开发玻璃钝化、聚酰亚胺钝化、快恢复整流芯片、瞬态抑制器、高压快恢复系列芯片以及MOS、肖特基芯片、集成电路芯片等产品的的经验，产品质量达到国内先进水平。公司已经申报发明专利4项：序号专利名称受理号1一种快恢复二极管FRD芯片及其生产工艺201410431131.52一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺201510021913.63一种磷、硼液态源一次全扩散工艺201510105042、59.14一种台面沟槽隔离法瞬态电压抑制二极管阵列的芯片及其生产工艺201510105153.7公司骨干人员设计开发并主持经营的高压硅堆产品，凭借技术水平领先和管理先进，实现产品质量优异、成本低廉，创造了产销量世界第一。公司骨干人员曾在美国以及日本接受过正规培训。公司骨干技术队伍擅长的技术：（1） 产品设计技术公司骨干人员掌握多种半导体器件设计技术，可以根据客户需求，量身定制产品。可以根据产品性能指标要求，优化产品结构以及提出合理的工艺实施方案。（2） 芯片扩散技术掌握多种器件芯片制造关键工序工艺技术-扩散技术。根据产品设计需要，可以采用固态源扩散、液态（乳胶源）扩散以及气体携带扩散源等多种方43、式。可以根据产品指标，优选工艺平台加以实施。（3） 核心关键技术本公司骨干人员熟练掌握普通整流器件、快恢复整流器件、瞬间电压抑制器阵列器件、高压快恢复系列产品制备的核心、关键技术。（4） 芯片钝化技术1）、掌握玻璃钝化技术,可以用于部分耐高温要求较高的产品。2）、掌握有机钝化技术（聚酰亚胺钝化技术）。（5） 设备制造掌握半导体关键设备的制作技术，通过自己加工、生产添置玻璃钝化设备、化学腐蚀设备、产品检验设备、产品测试设备等，降低了投资成本；同时，将部分技术固化到设备中，提高产品生产效率，降低了生产成本。（6） 产学研结合本公司与著名高校、研究所保持常年合作关系，便于将新的技术转化为生产力。（744、） 行业标准掌握相关产品的标准以及产品可靠性等产品认证等工作，提升了公司技术水平。4.2 工艺设备配置本项目生产设备主要有：扩散设备、氧化设备、光刻设备、湿法腐蚀设备、电泳设备、金属化设备、激光划片设备、测试设备、清洗设备、制水设备等。主要设备示意图如下：扩散炉：扩散前处理：涂胶机：激光划片剂：芯片测试机：制水设备：烧渗设备：金属化设备：电泳设备：五、 物料供应5.1 原材料消耗5.1.1生产原材料消耗半导体芯片生产涉及的原辅材料品种多、质量要求高。随着国内原材料行业的发展，目前主要原材料均能从国内购买。表5-1 生产主要原材料消耗表序号材料名称规格年消耗量生产厂家1硅切磨片N型（4英寸）1245、0万片中晶、海纳、磐盟等2玻璃粉W200/W020960公斤日本NEG3负性光刻胶电子级4500升苏州瑞红4漂洗液电子级15000升江阴化学试剂5显影液电子级15000升江阴化学试剂6丙酮CMOS37500升江阴化学试剂7BOE分析纯 16000升江阴化学试剂8氟化氨分析纯1250公斤江阴化学试剂9硫酸优级纯48000升江阴化学试剂10氢氟酸分析纯24000升江阴化学试剂11双氧水优级纯24000升江阴化学试剂12硝酸分析纯8000升江阴化学试剂13盐酸优级纯3000升江阴化学试剂14氨水优级纯24000升江阴化学试剂15沟槽混酸分析纯 48000升江阴化学试剂16减薄混酸 分析纯1920升江46、阴化学试剂17 氯化镍 优级纯2100公斤上海化工研究院18氢氧化钾优级纯2250公斤 江阴化学试剂19氢氧化钠分析纯37500公斤江阴化学试剂20柠檬酸氰二胺分析纯5832公斤天津化学试剂一厂21次亚磷酸钠分析纯850公斤天津化学试剂一厂22柠檬酸分析纯48公斤天津化学试剂一厂23 氯化铵分析纯 4389公斤 天津化学试剂一厂24 硼粉扩散专用188公斤昆山金励25 铝粉扩散专用 20公斤昆山金励26 硝酸铝试剂一级 15公斤昆山金励27 磷酸二氢铵试剂一级 150公斤昆山金励28 乙二醇乙醚试剂一级 500升昆山金励29 硼扩散源扩散专用92升美国菲诺仕30磷扩散源扩散专用92升美国菲诺仕47、31三氯氧磷扩散专用2升32氮气5N200吨法液空33氧气3N12吨法液空六、 厂址选择和厂址概况6.1 项目区位城市概况6.1.1 地理位置及行政区划项目建设地点为河北省沧州市渤海新区。沧州渤海新区地处河北东南沿海，成立于2007年7月，是河北省重点打造的沿海率先发展增长极，也是国家级经济技术开发区、国家新型工业化产业示范基地、国家海水淡化产业发展试点园区、国家循环化改造示范试点园区和中国物流实验基地，下辖“一市四区”，即黄骅市、中捷产业园区、南大港产业园区、国家级临港经济技术开发区和港城区，户籍人口66万，常住人口100万，海岸线130公里。 作为中国东部沿海面积最大的开发区，沧州渤海新区48、总面积2400平方公里，其中，可建设利用空间1300平方公里，是目前中国沿海临港地区不可多得的“黄金宝地”。 对沧州渤海新区这片热土的发展，各级领导始终给予高度关注，江泽民、胡耀邦、李鹏、朱镕基、贾庆林、刘延东、王勇等党和国家领导人先后视察。 “十二五”时期，渤海新区保持了平稳较快发展的良好态势，初步形成港产城互动发展格局。其中，地区生产总值年均增长9%，占到沧州市总量的1/6；固定资产投资年均增长19%，占到沧州市总量的1/3；全部财政收入年均增长17%，占到沧州市总量的1/5；公共财政预算收入年均增长25%，占到沧州市总量的1/5。 当前，我国经济发展进入新常态，对外开放浪潮由南向北强势推49、进，京津冀和环渤海成为继续珠三角、长三角之后我国开放发展的热点区域。地处环京津、环渤海中心地带的沧州渤海新区，既面临河北沿海率先发展的难得机遇，更面临京津冀协同发展、环渤海合作发展、“一带一路”开放发展等重大国家战略叠加实施的千载良机，港口、区位、交通、空间、产业、政策等“六大优势”加速转化，正迎来大发展、快发展的“黄金期”。 “十三五”时期，是渤海新区发展的战略黄金期，渤海新区将全面实施港口国际化、产业集群化、全域城市化、环境生态化战略，着力打造全国新型工业化基地、京津冀协同发展先行区、环渤海现代商贸物流重要基地、河北新型城镇化与城乡统筹示范区，加快建设沿海强区、壮美港城。到2020年，主要50、经济指标在2015年基础上“翻一番”，地区生产总值达到1000亿元，全部财政收入达到200亿元，公共财政预算收入达到100亿元，固定资产投资达到2000亿元。渤海新区地图：6.1.2交通情况区内有国道：205国道、307国道高速公路：石黄高速、荣乌高速、沿海高速、邯黄高速（规划）、石港高速（规划）、曲港高速（规划）铁路：朔黄铁路、邯黄铁路、黄万铁路、沧黄铁路、黄大铁路、石衡沧港城际铁路（规划）、环渤海城际铁路（规划）6.2 建设场址条件分析6. 2.1 资源成本人力资源：户籍人口66万，常住人口100万，。招工容易，等待就业人员多，拥有多所职业技术学校，形成较完备的培训机制，完全可以按企业对相51、关人才的需求。人工成本：每人每月3000-4000元左右。电力成本：园区现有发电厂两座，一座装机容量为660MW，终期设计容量为2X1000MW+4X660MW;另一座为，一期装机容量为2X350MW，终期设计容量为2X600MW+2X350MW。现有22KV变电站6座，110KV变电站6座，350KV变电站11座。用气：工业用天然气具备日46000N立方米/小时供气能力；氮气、氧气、氩气目前供应能力达到100万吨/年融资方面：园区招商引资过程中已经考虑融资因素。已为企业搭建融资平台，解决企业资金瓶颈。运输成本：园区及周边海、路、空交通运输体系已经完备。普通货物公路物流、铁路物流比较快捷方便。52、6.2.2 优惠政策园区根据自身发展需要，制定出多种鼓励政策。6.2.3 供水条件渤海新区有海水淡化设施，水质满足现行饮用水水质标准。6.5元/立方米。保证生产所需。6.2.4 供电条件渤海新区负责厂房基础设施建设，电力供给满足企业所需，电费一般是按照峰谷采用不同电价，平均一天的电价在6毛到7毛之间6.2.5 排水条件园区清污分流的排水体制，雨水、污水管网满足为电子企业需要。6.2.6 通信网络渤海新区己有联通公司、电信公司和移动公司，可满足用户固定电话、移动电话和网络宽带的需要。七、 组织结构、劳动定员和人员培训7.1 组织机构苏州xx功率电子有限公司实行董事会领导下的总经理负责制，下设技术53、副总、生产副总、销售副总等，副总经理负责技术、质量、生产、财务、人力资源、公共关系、后勤保障等部门。组织机构示意图：7.2 新建项目人员总数及构成项目建成后，拟新增人员192人。具体人员构成如下图。序号部门名称总数月工资(元）备注1技术人员650002高级管理人员880003一般管理人员1245004生产人员15035005其他人员63000合计1926910007.3 培训计划芯片生产对人员的要求专业性强、技术要求较高。一般工艺技术人员的培训将采取四种可能的方式及层次：第一是通过大专院校组织高年级的在校半导体、电子信息相关专业等专业学生进行相关的专业培训。第二是利用公司生产场地、动力设施场地54、进行基本的半导体工艺、技术、配套动力培训。第三是在建设的生产线上进行现场培训，以及在客户工厂进行专门产品工艺培训，以达到生产的目的。第四是通过招聘熟练技术人员，进行简单培训即可上岗。公司要求每个员工每年不少于40小时的技术与安全培训。八、 项目实施进度8.1 项目建设期项目建设期从2017年3月至2017年6月，共计4个月。8.2 实施进度计划影响本项目进度计划的主要因素是项目资金到位。项目承办方单位应抓紧项目资金的进一步落实，以便随项目的进展，建设资金能按时到位。同时要求当地政府简化报批报建程序或边批边建，以便缩短建设周期，尽早发挥项目效益。8.3 保障措施h 组织保障加强领导，建立健全项目55、建设领导小组，组织、领导、协调项目建设工作，加强组织保障h 制度保障建立健全项目建设工作各项规章制度，明确各级各部门任务、职责、工作措施。h 资金保障积极争取建设资金，确保项目建设的资金来源。同时，加强资金管理，保证建设资金安全使用。h 建设工期及质量保障根据各建设项目的建设日期，加快项目的建设进度，确保各项工程按时、保质、顺利完成。九、 投资估算与资金筹措9.1 固定资产投资估算9.1.1 投资估算范围本项目建设投资估算范围包括工艺设备仪器购置安装费、动力设施购置安装费、净化设施及安装、工具器具、工程建设其它费、预备费等。工程达产时实现生产各类芯片16万片/月的生产能力。建设投资估算为15056、0万元。9.1.3 建设投资估算办法及说明 h 工程费用 购置生产设备：购置工艺设备、仪器按生产大纲配置。价格参考类似厂家购买价计入；设备配套包括公司手续费、银行手续费。 动力设备费：动力设施分系统进行估算，包括冷冻机、空压机、大宗气体系统、纯水设备、废水设备、变压器、废气设备等。运杂费按5%，安装费按10%计算。9.1.4 投资估算结果本项目建设投资为1500万元。详见总投资估算表，按费用构成划分的建设投资估算见下表。表9-1 按费用构成划分的建设投资估算表序号项目名称估算投资（万元）其中外汇（万美元）占投资比例(%)1建筑工程费2002设备购置费8003设备安装费2004工具器具费200557、其他费用100合 计15009.2 流动资金估算9.2.1 估算方法流动资金按分项指标估算法，分别依据应收帐款、存货、现金、应付帐款的最低周转天数进行计算。9.2.2 估算结果达产年所需流动资金700万元。9.3 项目总投资项目总投资为1500万元。其中：建设投资 200万元铺底流动资金 700 万元9.4 资金筹措9.4.1 建设投资筹措苏州xx功率电子有限公司计划，在实施本项目过程中，主要利用本公司目前生产线原有生产设备组织生产，在实施本项目过程中计划增加投入项目资金200万元，另外利用目前生产线的设备、技术、市场等资源，借助渤海新区按融资方案以股权稀释方式融资1000万元。9.4.2流动58、资金筹措本项目除铺底流动资金700万元，利用融资、自筹资金以及生产经营本身形成的利润加以解决。9.4.3 政策支持 本项目第二阶段计划启动FRED、ESD平面器件芯片生产线建设，需要资金500万元。希望地方政府参照人才引进政策，给予支持；或者利用企业经营所上交的税收加以返还给予足额支持。9.4.4融资初步方案 以目前苏州xx功率电子有限公司资产、技术、市场等资源等进行评估值进行融资。初步预估公司市值3000万元左右，以转让股份形式计划融资1000万元。十、 经济分析10.1 基本数据10.1.1 生产规模项目建成后实现生产各类功率器件芯片16万片/月的生产能力，其中投产第一年产量为50%，投产59、第二年产量为100%表10-1 产品生产计划表序号产品名称单位第1年第2年第38年1玻璃钝化芯片万片/月510202玻璃钝化快恢复芯片万片/月1233TVS万片/月1234高压整流芯片万片/月0.5125高压快恢复芯片万片/月0.51210.1.2 项目计算期项目计算期为3年，其中建设期6月，投产期1年，满负荷生产期1年。10.1.3 成本中的有关问题说明10.1.4 销售价格产品销售单价是参考目前市场价以及考虑后几年降价因素制定的，达产年平均营业收入2943.83万元10.1.5 销售税金及附加本项目销项税按17%、原材料进项税17%计算。101.6 所得税所得税税率为25%。10.1.7 60、贷款偿还本项目回购注资股份偿还期为5年。10.2 财务评价10.2.1 财务盈利能力分析财务内部收益率：14.32%（税后）投资回收期： 3年（含建设期）10.2.2 不确定性分析 盈亏平衡分析（按计算期内达产年进行分析）CFBEP= x 100%= 32.88%SCVT当产量达到设计生产能力的32.88%时，项目即可不盈不亏。 敏感性分析项目实施过程中有很多因素可能发生变化，现就建设投资、经营成本、销售价格发生5%变化时，对财务内部收益率的影响进行分析表明销售收入对项目影响较大，营业收入减少5%时，内部收益率为10.26%。表10-2 敏感性分析表序号变化因素内部收益率（%）敏感度系数1基本61、方案14.322营业收入+5%18.754.433营业收入-5%10.26-4.064经营成本+5%11.26-3.065经营成本-5%17.32.986建设投资+5%13.09-1.237建设投资-5%15.621.310.3 经济分析主要结果本项目经济分析主要结果件表10-3。表10-3 经济分析主要结果序号项 目 单位数据和指标备 注1建设投资万元15002铺底流动资金万元7003项目总投资万元22004达产年平均营业收入万元2943.835达产年平均利润总额万元784.926增值税及税金附加万元2207投资回收期 年3所得税后8内部收益率 %14.32所得税后9财务净现值（ic=12%62、）万元38110销售利润率%26.66达产年平均11销售利税率%34.26达产年平均12总投资利税率%45.84达产年平均13总投资利润率 %29.43达产年平均14盈亏平衡点%32.88达产年15贷款偿还期年2.510.4 综合评价经济分析主要结果表明该项目财务内部收益率为14.32%，3年（含建设期）可收回全部投资，不盈不亏时的最低产量为设计生产能力的32.88%，说明项目有较好的盈利能力。从项目投资分析看，项目是可行的。十一、 环境保护11.1 环境保护11.1.1 编制依据中华人民共和国环境保护法（1989年12月）中华人民共和国水污染防治法（2008年6月）中华人民共和国固体废物污染63、防治法（2004年）中华人民共和国环境噪声污染防治法（1997年3月）中华人民共和国大气污染防治法（2001年9月）环境空气质量标准（GB3095-2012）工业企业厂界环境噪声排放标准（GB12348-2008）工业企业设计卫生标准（GBZ1-2010）地表水环境质量标准（GB3838-2002）大气污染物综合排放标准GB16297-1996。污水综合排放标准GB8978-1996。建设项目环境保护管理条例1998年11月18日国务院第253号令。11.1.2 生产简述及原材料消耗项目总投资1500万元，生产4英寸功率器件产品，达产年生产能力为16万片。功率器件芯片生产，是在衬底硅片上通过氧64、化、扩散、光刻等半导体工艺以形成电路功能的生产过程。生产所需主要原材料包括硅片、光掩模、石英制品、大宗气体、化学试剂、光刻胶等几大类。原材料消耗见原材料消耗表。11.1.3 能源和耗能设备主要耗能设备为生产设备、空调机、水泵等，均为电能消耗设备。工厂能源介质为电能、自来水等。11.1.4 耗能指标项目主要能源和耗能介质见下表。主要能源和耗能介质 序号能源种类单位年实物耗量1电力度/a260万度2自来水t/a50000吨3天然气m/a无合计11.2 环境现状及分析11.2.1 环境现状及环境污染本项目的建设地点为渤海新区，园区内交通便捷，内部相关配套设施十分完善，供水、供电、供气等配套设施齐全。65、 园区内各企业均按照环境保护要求，认真贯彻落实环境保护的方针政策。因此，本项目建设地周边地区基本上无严重污染企业，周围环境条件较好，不会影响本项目建设。11.2.2 生产工艺与主要废物排放功率器件生产工艺复杂，工艺步骤高达上百步，同时使用多种化学试剂和气体。但总体来说生产工艺流程是使用硅圆片，在其清洗干净的表面上，通过氧化方法形成阻挡或隔离层薄膜，由光刻技术形成掩膜，经过酸碱腐蚀形成台面图形生产所需原材料主要包括硅片、光掩膜、石英制品、大宗气体、化学试剂、光刻胶等几大类，生产产生的污染物包括酸碱废水、含氟废水、酸碱废气、有机溶剂废气等。大宗气体包括氮气、氧气、氢气等。生产所使用的化学品可分为酸66、性、碱性以及有机溶剂类，包括：HF、HCl、H2SO4、H3PO4、HNO3、H2O2、NH4OH、乙醇、丙酮等。主要工艺工序原材料消耗与污染物排放如图表11-1。 硅片清洗与腐蚀功率器件芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗两个方面的内容。硅片清洗是清除半导体硅片表面的尘埃颗粒、有机物残留薄膜和吸附在表面的金属离子。最主要的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励措施。 湿法腐蚀是通过化学反应的方法进行，对不同的去除物质使用不同的材料，对不同的对象，典型使用的腐蚀材料为： 腐蚀硅(Si) 使用氢氟酸加硝酸(HF + HNO3)腐蚀二氧化硅(SiO2) 使67、用氢氟酸 (HF) 氧化 将硅片放在石英舟中，在800-1250高温的氧气气氛和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生产二氧化硅的过程。典型的化学反应为：Si + O2 SiO2 高温扩散 对于热氧化操作，加入掺杂源即成为扩散，是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用硼铝源作为P+源和三氯氧磷、磷酸氢二铵作为N-源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： B2H6 B + H2 PH3 P + H2 光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影。涂胶是在硅片表面通过硅片高速旋转均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外光刻68、胶得不到光照；显影是对曝光后得光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就在光刻胶上形成了沟槽。 11.2.311.2.3 各主要工序原材料使用及三废排放表类别产生工序污染物产生特征废气酸性废气硅片清洗HCl、NH3、HF、混酸连续氧化前处理HCl、NH3、HF连续沟槽腐蚀、 去胶HSO4、混酸、HF连续镀镍HF、NH3、硝酸、氟化氨连续有机废气电泳丙酮连续光刻显影液、光刻胶连续扩散乙二醇乙醚连续工业废气扩散硼源、磷源连续废水酸碱废水硅片清洗酸性废水、碱性废水连续沟槽腐蚀含硝酸硫酸冰乙酸氢氟酸连续镀镍酸性废水、碱性废水连续含氟废水硅片清洗含氢氟酸废69、水连续沟槽腐蚀含氢氟酸废水连续镀镍含氢氟酸废水连续 11.2.4 生产与污染物排放分析 生产由于使用HF、H2SO4、HCl、H3PO4、HNO3和大量纯水，将产生酸性废水排放(AWD)、含氟化氢的酸性废水排放(HFD)和酸性废气。 由于使用酸碱、光刻胶、显影液、IPA（异丙醇）等，将产生含有这些物质的废液和废气，包括：49%氟化氢的酸性废液排放(49HF)硫酸废液收集(H2SO4)含磷酸废液收显影液收集(DEVD)IPA(异丙醇)废液收集(IPA)有机混合废液排放(SOLM)光刻胶废液收集(PR)酸碱废水：废气洗涤装置排出的酸碱废水、纯水制备过程中再生排出的酸碱废水。11.2.5 废水排放种70、类、排放量及治理措施 酸碱综合废水：酸性废水排放系统用于处理不可回收的酸性洗涤废水。酸碱废水水质为：PH=410TSS50PPM平均流量60m3/h设计处理流量为70m3/h。 酸碱废水首先在均衡槽进行PH值调整，再依次通过混合槽、一次中和槽、二次中和槽（容量70m3）。根据废水水质，自动投入HCL或NaOH，在强力搅拌下进行混合、反应，使废水的PH值达到6-9范围内，TSS50ppm。每个反应池内设置PH仪，并配有酸碱加药装置。被处理的废水水质达到排放标准后排放。如果水质达不到排放标准，再返回预中和池进行二次处理。 含氟废水：含氟废水采用投药、絮凝和沉淀分离的方法进行处理。 49%氟化氢的酸71、废液（49HFD）经管道收集，重力流入废水处理站的氢氟酸废液收集池，再缓慢并入氢氟酸废水系统进行处理。 低浓度氟化氢的酸废水（HFD）经管道收集，重力流入废水处理站的氢氟酸废水收集池，再由泵打到含氟废水处理系统进行处理。废水水质：PH =1-4DHF-：50-400ppm平均流量 21m3/h设计处理流量为25 m3/h处理流程简述：含氟废水及49%氟化氢的酸废液经计量，缓慢流入氢氟酸废水一次反应池，在一次反应池中投加过量的Ca(OH)2、（CaCl2）与水中的F-生成CaF2沉淀，并调节PH，经充分搅拌，废水通过重力流入酸碱废水二次中和池，二次反应池，再加入絮凝剂PAC，并调节PH至最佳值，72、经充分搅拌，废水通过重力流入氢氟酸废水絮凝池、混凝后，同时加入助凝剂，再进入沉淀池，处理后澄清废水进入酸碱废水处理系统进行再中和，经过最终PH调整，合格水排至城市排水管网，对不合格水返回集水槽进行再处理。产生的污泥进入污泥池，经压滤机脱水压成泥饼，外运送专业的公司处理。 各类浓缩废液 各类废液分别经管道收集，重力流入废水处理站的收集池，定时送专业公司处理或再利用废水处理工艺中。 工艺最后一道洗涤废水，含杂质较少，有再利用价值。经管道收集后，重力流入废水处理 生活污水处理 系统说明：生活污水中的含油污水先经隔油池除油后，排入室外生活污水管网，与粪便污水和一般盥洗污水一起进入生活污水处理装置，处理73、后污水须达标排放创新工业园区污水管网。 生活污水水质及处理要求： 生活污水量： 20m3/d 生活污水进水水质： CODcr300-500mg/L BOD5 150-300mg/L NH3N30mg/L SS250-300mg/L 处理出水水质要求： 项目所处位置有城市二级污水处理厂，生活污水达到GB897896污水综合排放标准中的三级标准即可：PH=69，化学需氧量500mg/l，五日生化需氧量300mg/l，石油类20mg/l；氟化物20mg/l。14.2.6 废气排放及治理措施 在硅片加工过程中产生酸性废气、碱性废气、有机废气，如：HF、HCl、H2SO4、HNO3、NH3、有机剥离剂等74、。同时，在使用特殊气体的工序中产生少量的烷类工艺尾气。 一般废气（废热）排放系统该系统排除设备排出的一般排风和高温排风，直接排放。 酸碱废气排放系统 该系统排除设备排出的含酸、含碱废气，经废气洗涤塔处理，到国家排放标准后排放，排气筒高约25米。洗涤塔与风机一用一备，酸废气排放系统备用洗涤塔及风机同时作为碱废气排放系统的备用。 有机废气排放系统 设备排出的有机废气，经活性碳吸附处理，达到国家排放标准后排放，排气筒高约25米。废液再生委托相关单位处理。活性碳吸附装置与风机对应，系统一用一备。 上述每个系统由厂房设施管理系统（FMS）集中控制，由主管道末端的压力传感器控制排风机的变频装置，保证系统负75、压要求。 厕所、电梯机房等设轴流风机通风。 化学品装卸及走廊设轴流风机通风，排风机兼作事故排风机；事故排风时，事故送风机同时启动。 工艺尾气经过工艺设备附带的处理装置处理，再经废气洗涤装置处理达到排放标准后排放。11.2.7 噪声控制选用振动小、噪声低的水泵设备；冷却塔选用超低噪声型冷却塔。水泵基础均设橡胶隔振垫，以减振降噪。水泵吸水管和出水管上均加设可曲绕橡胶接头以减振。管道支架和管道穿墙和接板时，均设有减振弹性装置，以防噪音传递。变配电设备：选用低噪声变压器及低噪声开关对变压器加装保护外壳 空调设备：所有空调器的风机带减振底座，所有转动设备的吊钩用弹簧减振吊钩，空调系统均采取消声措施。所有76、空调器、风机选用低噪声设备。工程建设中采取防振、隔声及吸声等技术措施后，厂界噪声可满足规定的要求。11.2.8 废渣、废液处理含氟废水及生活污水处理后脱水泥饼由专业公司负责回收处理废液主要有废酸、废有机溶剂和废显影液，由专业公司负责回收分类处理。废硅片、废包装材料及生活垃圾等固体废弃物由当地环卫局清运。固体废弃物的处置不会对环境带来二次污染。 11.2.9 绿化 本项目属于高科技产业，要求有超净生产环璄，厂区的绿化不但是环境保护及城市规划部门的要求，而且对生产质量也起着十分重要的作用。采取普遍绿化、重点绿化和美化相结合的措施，在厂房周边空地进行绿化设计。11.2.10 环境保护管理机构环境保护77、管理工作由公司动力安全部门统一管理。废水、废气处理装置的运行、维护由公司动力部门负责。11.2.11 环境保护设施的投资环境保护设施的投资包括废水处理站土建费用、废水处理系统设备费用、废气处理系统设备费用、降噪措施处理费用，均含在建筑安装工程费用中。十二 职业安全卫生12.1 编制依据 工作场所职业卫生监督管理规定（2012年4月27日，国家安监总局第47号令） 使用有毒物品作业场所劳动保护条例（2002年5月12日，国务院令第352号） 电子工业职业安全卫生设计规范（GB50523-2010） 工业企业设计卫生标准（GBZ1-2010） 工业企业厂界环境噪声排放标准（GB12348-200878、） 工作场所有害因素职业接触限值第1部分：化学有害因素GBZ2.1-2007 工作场所有害因素职业接触限值第2部分：物理因素GBZ2.2-2007 建筑设计防火规范（GB50016-2006） 电子工业洁净厂房设计规范（GB50472-2008） 环境空气质量标准（GB3095-2012） 大气污染物综合排放标准GB16297-96 污水综合排放标准GB8978-199612.2 工程概况本项目总投资1500万元，购置生产设备及建设配套的生产及辅助厂房，形成月产16万片/月4英寸功率器件的能力。12.3 职业安全12.3.1 工程概况生产功率器件芯片，其典型的加工工艺包括，扩散、硅片氧化、光刻79、腐蚀、扩散、电泳玻璃、金属化等工序。产品生产对生产环境和生产中使用的各种介质的质量要求很高。生产过程中使用多种化学辅助材料，但使用量不大的各种有毒、有腐蚀性的化学品或气体以及有机溶剂，它们都有自己独立的输送系统送至工艺加工使用点。在产生泄漏时，这些介质都会对人身产生一定的危害作用，对于它们都要采取足够的防范措施。类似本生产线的技术水平和生产能力的4英寸功率集成电路生产线在全世界已建成了数百条，因此对本项目涉及到的职业安全卫生危害有比较成熟可靠的防范措施和经验可以借鉴。本项目在设计中博采众长，运用了世界上许多功率器件芯片生产线在职业安全卫生防范上的成功经验，使本项目建成后，符合国内职业安全卫生80、的要求。15.3.2 生产过程中职业危险和有害因素分析a. 生产过程中使用的原材料：芯片生产中所使用的主要化学药品（产量为40000片/月时）的预估用量见下表：序号材料名称规格年消耗量生产厂家1硅切磨片N型（4英寸）120万片中晶、海纳、磐盟等2玻璃粉W200/W020960公斤日本NEG3负性光刻胶电子级4500升苏州瑞红4漂洗液电子级15000升江阴化学试剂5显影液电子级15000升江阴化学试剂6丙酮CMOS37500升江阴化学试剂7BOE分析纯 16000升江阴化学试剂8氟化氨分析纯1250公斤江阴化学试剂9硫酸优级纯48000升江阴化学试剂10氢氟酸分析纯24000升江阴化学试剂11双81、氧水优级纯24000升江阴化学试剂12硝酸分析纯8000升江阴化学试剂13盐酸优级纯3000升江阴化学试剂14氨水优级纯24000升江阴化学试剂15 沟槽混酸分析纯 48000升江阴化学试剂16减薄混酸 分析纯1920升江阴化学试剂17 氯化镍 优级纯2100公斤上海化工研究院18氢氧化钾优级纯2250公斤 江阴化学试剂19氢氧化钠分析纯37500公斤江阴化学试剂20柠檬酸氰二胺分析纯5832公斤天津化学试剂一厂21次亚磷酸钠分析纯850公斤天津化学试剂一厂22柠檬酸分析纯48公斤天津化学试剂一厂23 氯化铵分析纯 4389公斤 天津化学试剂一厂24 硼粉扩散专用188公斤昆山金励25 铝粉扩82、散专用 20公斤昆山金励26 硝酸铝试剂一级 15公斤昆山金励27 磷酸二氢铵试剂一级 150公斤昆山金励28 乙二醇乙醚试剂一级 500升昆山金励29 硼扩散源扩散专用92升美国菲诺仕30磷扩散源扩散专用92升美国菲诺仕31三氯氧磷扩散专用2升32氮气5N200吨法液空33氧气3N12吨法液空b. 生产过程中使用的气体 半导体器件生产过程中主要的气体供给系统：包括大宗气体系统、压缩空气系统。大宗气体包括：O2、N2、H2 15.3.3 职业危害 生产过程中使用品种较多的有毒、有害、腐蚀性的化学品，部分介质会对人身产生一定的危害作用。 易燃易爆危险：化学品库储存的酸碱、有机溶剂、显影液等，如容83、器发生破损或泄漏，有机溶剂与空气混合物会达到爆炸极限，存在燃烧爆炸的危险性。生产过程中使用的氢气、氧气等气体通过管道送到工艺生产线，如因管道发生泄漏或使用、管理不当而泄漏在操作间内，遇明火或高温就有可能发生燃烧、爆炸的危险性。 腐蚀、中毒的危害：生产过程中使用的硫酸、硝酸等腐蚀性液体，酸和碱的泄漏或操作不慎，可能造成人员伤害以及对建筑物造成腐蚀和危害。有毒液体以及特种气体在通过管道送到工艺生产线的过程中，可能发生泄漏事故；有些物料在搬运和操作的过程中不慎或操作不当，都可能造成操作人员灼伤和中毒的危险。 噪声危害：本项目的噪声源主要来自各类风机、空压站、冷冻站、水泵房等。 电气设备触电危险：各电84、气设备由于漏电、静电感应以及操作失误等原因，可能发生触电事故。15.3.4 防火、防爆措施 各建筑物间的防火间距均按要求设置，主要建筑周围的道路呈环形布置。厂区内所有架空管道和连廊的最低标高不小于4.5 m，保证消防车辆畅通无阻。 项目生产厂房为钢筋混凝土结构，耐火等级为二级。钢屋架使用防火涂料，使其达到二级耐火等级要求。 所有装修材料均为不燃材料或难燃材料，生产区内部隔墙材料为洁净室金属壁板，其燃烧能力为A级。 生产厂房有防爆要求的药品、气体室（有机溶剂供给、回收间，气体管道入口室，特殊气体供应室）等房间，均按防火规范要求，将这些房间布置靠外墙，使其有足够的泄爆面积，内墙采用250mm厚的钢85、筋混凝土防爆墙；地面采用不发火地面；内门均做防爆门，入口处设急救措施。 氢气、氧气管道的配送管上均设阻火阀，末端或最高点设放散管。氢气管道穿隔墙或楼板处均设套管，管道和套管之间采用不燃材料填塞 化学品库为单层现浇钢筋混凝土框架结构，地面采用不发火地面，外墙及内隔墙采用250mm厚的钢筋混凝土防爆墙及防火门，采用轻质屋面，使其有足够的泄压面积，满足规范的要求。酸碱、氧化剂、有机溶剂等化学药品分类存放。 公司拟从市政给水管接入一条给水管引入厂区，并送至消防水池 （消防用水不作它用的技术措施），在厂区形成环状室外消防管网。 凡在洁净室区域以及吊顶内敷设的电缆、电线和电缆桥架均采用防火型、阻燃型，以满86、足火灾消防的要求。 凡进出洁净室区域的电气线路均在出入口处作防火处理和密封处理，以保证火灾消防及洁净度的要求。 有防爆要求场所的照明线路穿钢管保护并作密封处理，配电控制设备采用防爆电器。 所有配电变压器均采用阻燃、防爆、具有自熄特性、且高温下不会分解有毒有害气体的树脂绝缘干式变压器。 生产厂房、动力站房、化学品库等建筑设应急照明配电系统，应急电源来自厂区另外一路供电线路。一路市电发生故障，则切换到另外一路市电电源。厂房内一部分灯具接在应急电源系统上，作为安全照明。 各建筑出入口处、疏散走道、楼电梯间和主要通道设疏散指示标志灯12.3.5 废气处理措施 含酸废气排风 含酸废气排风系统采用洗涤塔对87、含酸废气进行处理，利用氢氧化钠溶液作中和吸收液来净化酸雾废气，该装置对硫酸的吸收效率为93%98%，对铜离子的吸收效率最高可达93%，含酸废气经洗涤塔处理达标后排入大气。在生产厂房一层的药品供给、回收间设置机械通风系统及事故排风系统。 在生产厂房气体管道入口室、气体监测室、特种气体供应室设置机械通风系统及事故排风机械通风系统。 碱性废气排风系统 含碱废气排风采用洗涤塔对其进行处理，利用硫酸溶液作中和吸收液来净化含碱废气，该装置对硫酸的吸收效率为95%左右，碱性废气经洗涤塔处理达标后排入大气。 溶剂排风有机溶剂采用活性炭吸附装置处理后再排入大气。化学品配送装置和房间均设置排风系统。 酸碱废气排风88、 对于发烟化学试剂(HNO3、HCI、HF49%和HN4OH)，其分配阀门箱设计排风管道，一旦发生泄露可及时排除挥发性酸气。酸碱废气排风系统采用废气洗涤塔将混合废气（含酸和含碱）进行处理后再排入大气。酸碱废气采用氢氧化钠进行处理。 一般排风/排热 为所有不需进行处理的一般排风和高温排风设变频控制直接驱动的风机直接将其排入大气。 酸废气、碱废气、酸碱废气、有机溶剂废气处理系统均按50%的容量连接到应急电源。经上述系统处理后的废气达到大气污染物综合排放标准后排放。12.3.6 防化学伤害 按化学品种类，设置化学品配送间，提高配送安全。供应桶通过专用快速接头迅速接合，确保药剂桶系统联接正确；每个化学89、品桶带条形码读码器，对药剂类型、质量和过期日期、批号等进行检查，避免错误配送化学药剂。 与药剂分配间相邻的控制室内安装化学品配送管理与控制系统，管理和控制系统监测药剂配送的状态，确保化学品配送的安全。在生产过程中，对药品供给、回收区内的槽罐和输送管道进行监测，以防泄漏，对员工造成伤害。 在厂区有腐蚀性气体和液体的区域，设置了事故淋浴和洗眼设备，以减少发生事故时，对员工的人身伤害。设置事故淋浴和洗眼设备的区域有：器件芯片厂房：溶剂配制区、有毒易燃气体区、腐蚀性气体区、石英管清洗区、零件清洗区、支持区洗涤装置排风区。化学品库：酸碱贮存区。 在生产过程中有些工艺设备产生含酸或碱的废气，经废气洗涤装置90、中和处理后再排放。12.3.7 防尘、防毒处理措施 凡产生有害气体工艺设备均设机械排风，以保证生产人员具有良好的工作环境。12.3.8 防噪声措施 冷冻站、空压站、水泵房内的所有动力设备选用满足国际标准的低噪声、低振动设备，设备都设有减振基础并采用消声措施。建筑采取隔声措施，设备与管道之间的连接采用柔性连接，以减少噪声和振动的传递。 变配电设备选用低噪声变压器及低噪声开关；对变压器加装保护外壳； 空调设备 所有空调器的风机带减振底座，所有转动设备的吊钩用弹簧减振吊钩，空调系统均采取消声措施；所有空调器、风机选用低噪声设备。12.3.9 电气安全措施 所有配电装置均具有防误操作（五防功能）、防触91、电的设施和防护外壳。 化学品配送系统的各药剂分配和混合装置设紧急手动关闭按钮，每个单独的药剂分配房间设置紧急手动关闭按钮和灯光报警器。 药品库、药品供给及回收室等有化学腐蚀场所，线路穿钢管保护并作表面防腐蚀处理。 在潮湿场所（如污水处理站等）的用电设备以及移动电器、电源插座的配电回路设漏电保护开关。 由远距离启/停控制电动机的配电线路，在电动机旁设置断路开关或机旁按钮，供设备检修时隔离电路用，保证维修人员安全。 保护接地用于配电系统的安全保护，电力配电系统的接地型式采用TN-S型式，接地保护专用线PE在终端变电站变压器次级中性点处接地，其接地电阻R1。所有的配电、用电设备金属外壳,配电线路的金92、属保护管、电缆桥架外壳、安装金属配件等均与PE线作可靠连接。PE线的截面不应小于同线路相线截面的50%，截面小于16mm2的线路应与相线等截面。各建筑的电源线（PE线）在进入建筑处与该建筑的接地装置作可靠连接。 工作接地用于有接地要求的工艺设备、装置、仪器、仪表、监测控制系统等，使其能正常工作运行。 动力站房等利用建筑物基础桩及承台钢筋和结构钢筋，在土建施工时焊接成等电位网，并与建筑物基础外围一周设置的人工水平接地体连接，构成共用接地装置。接地电阻要求R4。 在生产层工艺洁净区活动地板下设置一套用铜排构成的平面接地网，该接地网直接与芯片厂房基础共用接地装置相连，所有的工作接地、防静电接地均采用93、铜芯绝缘导线与该平面接地网就近连接。 其它各建筑在经过选择的位置预埋钢板，与构成等电位网的基础钢筋焊接，用作接地连接。 其它各建筑在经过选择的位置预埋钢板，与构成等电位网的基础钢筋焊接，用作接地连接。12.3.10 防静电措施 防静电接地用于有防静电要求的工艺设备、装置、工作台、洁净室系统的金属墙板、活动地板、产生静电的金属容器、动力传输管道等的接地，构成使静电荷接地通路,防静电接地电阻值R100，洁净室系统内部防静电装修材料，其表面电阻值在11061109范围内。凡装易燃、易爆的气体或液贮罐、管道等均设防静电接地措施。12.3.11 防雷措施 本工程新建由园区负责建设，符合相关规定。 凡装易94、燃、易爆的气体或液贮罐、管道等均考虑防直击雷、防雷电感应措施。12.3.13 其它劳动安全卫生措施 为补偿芯片生产区排风和保持洁净区的正压以及满足工作人员的新风需要，洁净区都送有一定量的新风，新风统一由新风机组处理后送到各个净化区域。 根据国家现行工业企业设计卫生标准，在厂房内按规定设置了更衣室、休息室及男、女卫生间。12.4 职业安全卫生管理机构和投资公司将在动力安全部处设有专职职业安全卫生管理人员，负责公司职业安全卫生工作的实施、检查、监督等。本项目职业安全卫生全部投资包括在总的工程投资内。十三 消 防13.1 编制依据建筑设计防火规范GB50016-2006；火灾自动报警系统设计规范GB95、50116-98自动喷水灭火系统设计规范GB50084-2001（2005年版）建筑灭火器配置设计规范GB50140-2005建筑内部装修设计防火规范GB50222-95（2001年修订版）电子工业洁净厂房设计规范（GB50472-2008）13.2 总图布置 园区总平面布置已经按消防规范设计和施工，厂区设有足够的消防通道。建筑物四周设有环形通道。厂区四周均设有出入口与城市道路相连。消防车可方便地经该道路畅通进入厂区执行任务。13.3 环境现状及环境污染本项目主要建筑分别为生产厂房、动力站房等。表13-1 各建筑技术指标一览表序号名称层数占地面积（m2）建筑面积（m2）备注1生产厂房1250096、改造面积2化学品库1500新建3气站1150150新建4废水处理站1100100新建5生产水池-1（500 m3）（500 m3）新建6办公室1750750新建总 计400013.3.1 生产厂房本项目生产区域包括净化生产区、普通生产区和工艺服务区、动力支持区等部分组成，生产性质为生产4英寸功率器件，主要的生产工序有：氧化、光刻、扩散、金属化、腐蚀、玻璃电泳、烧成、烧渗以及测试等。按建筑设计防火规范要求。13.3.2 化学品库、气站 化学品库存放一般酸碱化学用品、部分甲类有机溶剂，该建筑生产类别定为甲类，耐火等级二级。气站存放氢气气瓶，火灾危险性为甲类，气站为开敞式建筑。建筑物之间的距离满足建97、筑设计防火规范的要求。化学品库和气站均采用轻钢屋面进行泄爆，建筑内的电气采用防爆电气，地面采用不发火花地面。13.4 建筑物内装修的材质、耐火性能 功率器件芯片厂房净化间顶棚系统采用铝型材壁板，墙板采用铝蜂窝或纸蜂窝金属夹心板或整体板，金属板厚度1到1.5mm。活动地板为压铸铝制件。 功率器件芯片厂房除净化间外，一般内疏散走道两侧墙体采用耐火1小时的防火石膏板隔墙。封闭楼梯间、电梯井道采用耐火2.5小时的隔墙到顶。技术井道采用耐火1小时隔墙到顶。13.5 消防给水 各建筑室内、室外消防给水系统以及手提式灭火器等消防设施均按规范要求进行改造和设置。 厂区室外设有地面式消火栓，室内设有消火栓箱。 98、消防给水系统 本工程主要消防设施有：室外消火栓给水系统、室内消火栓给水系统、室内自动喷水灭火给水系统、手提式、推车式干粉灭火器系统。灭火器配置 为扑灭初期火灾，各区域均按建筑灭火器配置设计规范GB50140-2005要求配置灭火器，洁净室和净化支持区设新型CO2的手提式5A级气体灭火器，其他区域设手提式磷酸铵盐干粉灭火器。高低压配电室和重要电气室配置推车式二氧化碳灭火器。灭火器放于灭火器箱内，并作明显标志。13.6 消防电气13.6.1 项目正常供电情况对火灾报警系统以及其它特别重要的系统，如安全、保安、自动控制系统等，除采用两路市电双回路供电外，对不允许毫秒级间断供电的设备还采用蓄电池静止式99、UPS装置不间断电源装置。13.6.2 应急电源 本次工程中生命安全设备、重要的生产工艺设备及重要的生产工艺支持设备，应为特别重要负荷，除正常市电供电外，当一路市电失电时还会自动转换至另外一路市电供电电源。以下设备接至应急电源系统： 火灾报警及消防联动控制设备、应急广播及通讯设备； 疏散照明及事故照明设备； 生产过程中使用或产生易燃、易爆及有毒、有害物质场所的送、排风机和废气洗涤塔、泄漏检测设备及事故排风设备； 消防排烟设备、消防水泵； 电梯； 废水处理系统及重要水泵设备； 燃油供给系统； 部分因突然停电将导致设备损坏或长时间才能恢复的重要生产工艺设备（如光刻等）及辅助动力设备； 其它重要的不100、能停电的设备； 对消防电梯、消防泵、喷淋泵、排烟风机与消防控制中心等均采用双路电源供电，其中一路为应急电源，一路为正常电源，末端自动切换。 对火灾报警系统以及其它特别重要的系统，如安全、保安、自动控制系统等，除采用应急电源配电系统供电外，还采用集中式UPS装置不间断供电。供电系统和消防保护等级13.6.3 火灾应急照明和疏散照明系统 各建筑出入口处、疏散走道、楼电梯间和主要通道设疏散指示标志灯。 建筑内设置带有镉镍电池的应急灯具，放电时间为30分钟,照度为建筑内照度的5%10%。疏散照明由应急电源供电。13.6.4 火灾报警系统系统设计 火灾报警系统根据本工程的使用性质，火灾危险性，疏散和扑救101、难度将保护对象等级定为二级。 生产厂房、化学品库等主要建筑群火灾自动报警系统采用集中报警系统，并在消防控制值班室设有声光报警信号显示盘。控制室内设集中火灾报警控制器以及联动控制设备，可进行火灾报警部位的显示。 生产厂房各个房间与公共走道、技术层、设备机房等处设置烟感探测器，各报警区域设置适当数量的手动报警按钮与声光报警器。为进一步提高防火的可靠性，该建筑还设有超高灵敏烟感系统即空气采样系统。空气取样在通过回风管和进入探测箱之间进行，如有烟微粒使激光发生散射，则发出报警信号至安全监控中心。 下技术层设置烟感探测器，在室内放置移动式大型灭火器（CO2）、手提式灭火器，装置室内消火栓。 各药剂分配模102、块和混合模块设紧急手动关闭（EMOs）按钮，每个单独的药剂分配房间设置紧急手动关闭（EMOs）按钮和灯光报警器。另外，在ECR间设置总EMO关闭按钮可在紧急情况下关闭所有化学品配送系统CDM。 生产厂房支持区的气瓶间，设有可燃气体浓度探测器，放在气瓶间的气瓶柜，同样也有自动探测和喷洒装置。 各办公室、会议室、活动室、公共走道、设备机房设置感烟探测器，各报警区域还设有手动报警按钮，并在各层公共走道设有声光报警器，在垂直走道处设置重复显示盘。 火灾报警系统采用二总线、地址编码、分布式智能型探测系统，信号线为环形冗余结构。 厂区其余建筑设置感烟探测器与手动报警按钮及声光报警器，有爆炸危险的房间设置防103、爆型探头。报警信号经分控制器引至安全监控中心。消防控制室 内设火灾报警控制器以及消防联动控制柜，消防电话主机，火灾应急广播用的设备，CRT系统，火灾报警控制以及消防联动控制用的UPS电源，极早期烟雾探测预警系统的接口模块、显示模块、编程模块及专用电源等设备,可进行火灾报警部位的显示、报警及进行消防联动控制。极早期烟雾探测预警系统 在厂房洁净室设置极早期烟感探测单元，在回风夹道及下夹层，活动地板下设置采样吸气管，在消防控制室设置接口模块、显示模块、编程模块及电源等设备，通过探测极早期火灾，可极早发现火情，防止火灾扩大。该系统还通过监视模块与常规火灾报警系统相联。火灾预警、火警和故障产生时，均能发104、出相应报警，消防值班人员均能及时发现和处理消防电话 在消防控制室设有直拨电话，有火灾时可直接向当地消防部门报警。消防联动控制 一旦发生火灾后，火灾报警及消防联动控制系统可对以下设备进行联动控制：13.6.5 紧急广播系统 工作人员通过话筒广播，指挥灭火、组织人员疏散。13.6.6 线路、灯具的防火措施 生产及支持厂房电气线路均采用阻燃型电线、电缆，电缆在阻燃型电缆桥架内敷设，电线均穿焊接钢管保护。消防时，对于非消防用电线路采取断电措施，确保消防安全。 对于照明 灯具采用冷光源（荧光灯）开启式金属吸顶灯具，配以电子镇流器，避免发热。引至灯具的照明线路采用阻燃型电线穿金属软管保护。易燃易爆气体室和105、溶剂室内的电力电气照明开关均选用房爆产品。13.7 采暖通风防火 厂房内空调送风管道中设置有防火阀，送风管道采用难燃型材料进行保温，符合防火规范要求。十四 效益评价14.1 经济效益分析经测算，项目计算期销售利润率为26.66%；总投资利润率29.43%；表明项目有较好的盈利水平；项目财务内部收益率为14.32%，投资效益较好；投资回收期为2.5年，计算期内能收回投资；项目按生产能力计算的盈亏平衡点为32.88%，抗风险能力较强。综合上述数据表明：该项目的经济效益较好，投资回收期较短，抗风险能力强，全面衡量结果认为：本项目经济效益较好，项目可行。14.2 社会效益分析本项目除具有较好的经济效益外，社会效益明显。功率器件生产制造产业是国家重要的战略性产业之一，支撑着节能降耗及新型显示器件产业的发展。本项目的建设不仅有助于苏州xx功率电子有限公司提升其核心技术水平，还可以带动当地电子产业的上、下游企业（设计业、测试业、封装业、硅材料、半导体材料业、半导体设备、仪器业等）的新发展，提高当地信息产业的发展水平