1、联栅功率管功率管新一代功率器件新一代功率器件北京北京XX半半导体技体技术有限公司有限公司XX添加您的标题内容LOGO所属领域电力电子技术的基础应用于功率器件（芯片设计）电能转化场景直流-直流；直流-交流；交流-交流；交流-直流1.11.1 产业产业介介绍绍添加您的标题内容LOGO01020605应用场景新能源轨道交通通讯工业控制0108030704电源1.21.2应应用用场场景景智能电网家用电器电力系统添加您的标题内容LOGO高端芯片依赖进口技术、设备封锁专利壁垒成本高昂人才紧缺影响产业链健康发展1.31.3产业产业痛点痛点 1.5市市场规模模2300亿元元占世界占世界40%超超过10%速度速2、度递增增添加您的标题内容LOGO1 换代技术新一代功率芯片结构技术3 技术优势2 专利布局4 制造优势高可靠，低功耗优化整机散热系统高成品率，低成本13项发明专利量产工艺平台国内现有设备、工艺大规模生产投资亮点投资亮点发展目标发展目标表表1 现在在 BJT MOS IGBT三分天下三分天下表表2 未来未来5-10年年 GAT替代替代BJT以及以及100V-1200V MOS IGBT未来未来5-105-10年，占年，占领领功率器件功率器件1/31/3以上以上添加您的标题内容LOGOBJT结构示意图GAT结构示意图项项目介目介绍绍：芯片：芯片结结构示意构示意图图联栅的的“栅”是交叉是交叉栅，跟，3、跟发射极金属射极金属层正交的正交的浓基区基区联栅结构可以构可以把重复把重复单元做元做得很小得很小添加您的标题内容LOGOBJT 0.75*0.75 GAT 0.7*0.7 芯片芯片设计设计版版图图高可靠的高可靠的结构原理：重复构原理：重复单元小（元小（10m），是），是BJT1/10，GTO1/100解决解决电流型器件失效原因：流型器件失效原因：电流集流集边效效应解决解决BJT二次二次击穿，穿，GTO dI/dt，dV/dt限制限制添加您的标题内容LOGO技术优势技术优势联栅功率管功率管联栅晶晶闸管管GATH1200V以上以上联栅晶体管晶体管GAT1200V以下以下中高中高压领域有域有竞争争优4、势 联栅功率管相对传统器件性能优势联栅功率管相对传统器件性能优势器件产品器件产品BJTBJTMOSMOSIGBTIGBTGATGAT安全工作区安全工作区受二次击穿影响受二次击穿影响SOASOA小小无二次击穿无二次击穿SOASOA大大无二次击穿无二次击穿SOASOA大大无二次击穿无二次击穿SOASOA大大温度特性温度特性电流温度系数为正电流温度系数为正会热崩会热崩电流系数为负电流系数为负稳定性好稳定性好调整结构参数调整结构参数能使温度系数为零能使温度系数为零电流弱温度系数电流弱温度系数稳定性好稳定性好工作温度工作温度150150200200175175220220开关速度开关速度1515ss0.5、10.50.10.5ss0.51s0.51s0.10.60.10.6ss开关损耗开关损耗中中 高高很低很低低低 中中低低最大脉冲电流密最大脉冲电流密度（度（A/cmA/cm2 2)30050030050030050030050010002000100020004000500040005000并联使用并联使用不能简单并联不能简单并联能直接并联能直接并联能直接并联能直接并联能直接并联能直接并联单管最大电流单管最大电流100 A100 A50 A50 A400 A400 A400 A400 AUG03UG03芯片面积芯片面积0.70.7*0.7mm0.7mm2 21300313003芯片面积芯片面积6、1.631.63*1.63mm1.63mm2 2电子子镇流器流器销售几售几亿颗芯片芯片成本成本优势优势添加您的标题内容LOGOxx工艺工程师浙江大学微电子学院许xx联合创始人COO中科院心理学硕士xx技术创始人CTO中国第一只高压IGBT制造者xx公司创始人CEO北京第二外国语学院管理学硕士我我们们的的团队团队王xx应用技术北方交通大学电力电子专业硕士创始人简介创始人简介联栅功率管的发明人联栅功率管的发明人XXXX，北京大学，北京大学6464届半导体物理专业毕业生，教授级届半导体物理专业毕业生，教授级高级工程师。高级工程师。添加您的标题内容LOGO应用：电子镇流器阶段：销售，性价比1:24007、V系列1200V-1700V应用-单管：电磁炉，电焊机等模块：新能源领域，如充电桩，光伏并网、太阳能逆变器，感应加热，新能源汽车等阶段：实验批（2019.1）验证产品：1200V 100A/200A/400A 1700V 100A/200A/400A3300V以上应用：轨道交通，大型设备等设计规划（2019.6）0102030405SIC GAT/GATH专利布局发发展展规规划划添加您的标题内容LOGO芯片芯片设计设计芯片芯片制造制造封装封装应用应用领域领域代工代工代工代工重点客户团队团队+合作合作+产学研产学研战战略略合合作作代工代工代工代工验证商商业业模式模式渠道分销市市场前期资金投入前期8、资金投入(2012(2012年公司成立起年公司成立起)资金种类资金种类资金使用方向资金使用方向资金资金已投资金已投资金（自筹）（自筹）产品研发产品研发100100万万验证验证5050万万小批量试产小批量试产150150万万运营成本运营成本200200万万新品研发新品研发350350万万合计合计850850万万融资计划融资计划项目项目应用领域应用领域产品阶段产品阶段投入方向投入方向 资金需求资金需求时间时间目标目标3300V3300V6500V6500V轨道交通轨道交通大型设备大型设备产品研发产品研发实验批实验批 30 30万万2019.62019.6样品样品验证验证 50 50万万2019.19、22019.12方案方案工程批工程批 30 30万万2020.62020.6生产定型生产定型1200V1200V1700V1700V电磁炉、电电磁炉、电焊机、充电焊机、充电桩、风能太桩、风能太阳能逆变器、阳能逆变器、感应加热等感应加热等产品验证产品验证实验批实验批 30 30万万2019.12019.1样品样品验证验证 80 80万万2019.1-62019.1-6驱动驱动试产试产100100万万2019.6-102019.6-10小批量试产小批量试产工程批工程批 30 30万万2019.10-122019.10-12生产定型生产定型400V400V电子镇流器电子镇流器销售销售生产生产100100万万2019.1-122019.1-12年销售额年销售额500500万万管理管理 50 50万万合计合计500500万万首轮融资500万，出让股份5%，窗口期6个月创始团队70%15%应用团队资金首轮融资股权结构创始团队研发团队应用团队市场团队资金现股股权结构构XX:80%xx:20%团队暂由由创始人代持始人代持5%5%10%研发团队市场团队北京北京XXXX半导体半导体联系人：联系人：电话：电话：Email:Email: