1、单晶硅外延碳化硅SiC涂层石墨特种陶瓷基座项目可行性研究报告XX工程咨询有限公司二零XX年XX月单晶硅外延碳化硅SiC涂层石墨特种陶瓷基座项目可行性研究报告建设单位：XX建筑工程有限公司建设地点：XX省XX市编制单位：XX工程咨询有限公司20XX年XX月50可行性研究报告编制单位及编制人员名单项目编制单位：XX工程咨询有限公司资格等级： 级证书编号：（发证机关：中华人民共和国住房和城乡建设部制）编制人员： XXX高级工程师XXX高级工程师XXX高级工程师XXXX有限公司二XX年XX月XX日 目 录第一章 项目意义和必要性- 1 -1.1 国内外现状和技术发展趋势- 1 -1.2 产业关联度分析2、- 4 -1.3 市场分析- 6 -1.4 竞争力分析- 9 -第二章 项目技术基础- 11 -2.1 成果来源及知识产权情况- 11 -2.2 项目技术先进性- 12 -2.3 项目的可行性和成熟性- 16 -第三章 项目建设方案- 20 -3.1 项目总体方案- 20 -3.2 建设地点- 20 -3.3 项目进度- 21 -3.4 拟达到的经济、技术目标及水平- 21 -第四章 环保、节能及原材料供应情况- 22 -4.1 环境保护- 22 -4.2 能源节约- 23 -4.3 原材料供应- 23 -第五章 项目法人基本情况- 25 -5.1 企业概况- 25 -5.2 人员情况- 263、 -5.3 企业资产信用状况- 27 -5.4 企业近三年生产经营情况- 28 -第六章 项目投资及资金筹措- 29 -6.1 投资估算- 29 -6.2 资金来源- 37 -第七章 经济效益分析- 39 -7.1 经济效益评价- 39 -7.2 财务评价附表- 43 -第一章 项目意义和必要性1.1 国内外现状和技术发展趋势1.1.1产品简介碳化硅（SiC）涂层石墨基座是目前单晶硅外延生长用和氮化镓（GaN）外延生长用最好的基座之一，因此也称单晶硅外延基座，它是外延炉的核心部件。该基座属于大规模集成电路产业用单晶硅和LED光电子产业基础材料GaN的生产配套件及关键设备，符合电子信息产业振兴规4、划。碳化硅（SiC）涂层石墨基座是以化学气相沉积（CVD）技术生产出来的，具有高纯度、耐高温、耐腐蚀、气密性好，因此具有很好的高温物理、化学性能，是当今特种陶瓷领域中的高端产品和前沿课题。由于该基座是生产单晶硅和氮化镓外延等半导体行业基础材料的关键部件，所以它是我国微电子、光电子产业发展的基础和源头。根据国家发展和改革委员会、科技部、商务部发布的当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2007年度），该产品属于指南“第一类第15条：电子专用设备、仪器和工模具：8-12寸硅片生产设备，化合物半导体生产设备，碳化硅单晶材料生长设备，片式元件生产设备，”。1.1.2国内外技术现状碳化硅（SiC）气相5、沉积技术是国外早已发展的技术，但作为化学气相沉积，用做外延基座在我国至今仍然还是空白，所以，每年约几十亿元的资金用于进口此种基座，西方各国对此技术的生产配方和工艺都极为保密。*xx实业有限公司*分公司通过自主研发，其技术工艺及产品各项指标均达到国际同类产品水平，在国内处于领先地位。当前，生产SiC涂层的单晶硅外延生长用石墨基座企业，国内只有我公司一家能够独立的生产与研发，世界范围内也只有德国西格里碳素集团、台湾万电国际、日本东洋碳素公司、美国MEMC电子材料有限公司拥有此技术，且长时间对我国形成技术垄断。我国国内上千家半导体厂家需求的相关产品全部是由国外进口，价格极高且订货周期长，通常为5个月6、的供货期，因此在产品供应周期上也限制了我国半导体产业的发展。1.1.3国内外产品发展现状单晶硅外延用基座（SiC涂层石墨基座）近十年发展很快，有平面、立体基座等。目前国际市场对SiC涂层基座需求呈现大直径发展的趋势，以300mm左右的SiC涂层石墨基座生产将成为主流。通过本项目的实施，将解决我国微电子、光电子行业电子基础产品所需特种陶瓷基座的供给难题，实现半导体生产中关键易耗部件的国产化。同时解决单晶硅外延生长中粘附工件与台面的技术难题，为我国单晶硅向大直径发展提供设备支撑。1.1.4产品、技术发展趋势a、直径呈扩大趋势单晶硅的发展一直呈现大直径的发展潮流，硅单晶圆片越大，同一圆片上生产的集成7、电路就越多，这样既可降低成本，又能提高成品率，但材料技术和生产技术要求会更高。按直径分硅单晶圆片可以分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来又发展出12英寸甚至更大规格。所以对单晶硅生长基座的需求呈现出大直径的发展趋势。b、材料以SiC为主我国单晶硅外延在二十世纪七十年代遇到很多棘手问题，其中最普遍也是最严重的就是“硅外延片几乎都有雾点，二极管和三极管的成品率平均为20%30”。1976年，中国科学院金属研究所xx教授主动深入工厂，以辽阳第一晶体管厂为第一现场，帮助解决这一难题，并对我国当时使用的几种基座（纯硅基座、碳化硅基座、包硅基座、玻璃碳基座、热解石墨基座）进行了试验对比分析，最后8、国内推广了他的科研成果，由研究单位到半导体厂家都采用了热解石墨涂层基座，其中最明显效益的是中科院半导体所与上海元器件五厂的合作，他们采用了热解石墨外延基座后，二极管与三极管的制管成品率由20%30%提高到80%，经济效益显著，荣获了国家三等发明奖。热解石墨涂层技术在国内推广，国内形成三个主要生产厂家，*1家，辽宁2家。据1984年不完全统计，热解石墨涂层基座总产量将近10000片，占我国外延基座总量的90%以上，应用于全国18省市70多个半导体厂家与研究单位。中科院金属研究所xx教授牵头组织了全国科研成果鉴定会，荣获国家级鉴定成果证书。八十年代中后期，由于我国硅外延设备与技术落后，单晶硅外延厂9、家在减少，后来随我国的改革开放，引进大量的国外技术与设备，硅外延基座全由国外进口，全是SiC涂层基座。国内目前还在使用热解石墨作外延基座的厂家已屈指可数了。九十年代中期由于国外MOVPE技术的发展，北京大学张国义教授提出要求要与-族化合物不反应的基座材料，经研究提供了两种基座，即热解PBN基座与PG合金基座，这就是90年代中后期我国流行的PBN涂层石墨基座。该基座在GaN兴起我国大量引进国外SiC基座时，达到应用顶峰。用PBN涂层180mm圆盘5槽基座，经南昌大学张凤益教授试用效果与SiC基座相当，并由xx教授与南昌大学张凤益共同申请了国家发明专利。国内目前还在使用热解石墨作外延基座的厂家及生10、产厂家已屈指可数了。2003年南昌（白光工程）会议后，引进国外设备的厂家，都在继续引进国外SiC基座，用于白光工程，xx教授用热解石墨合金涂层，应用于单晶硅的导流筒和GaAs单晶的防热罩，并将含Si的石墨合金应用于外延基座。在获得推广后他们应国家需要推广SiC涂层基座。2006年由xx教授研制的SiC涂层基座在南京大学试用，因使用效果良好使南京大学已成为我们的忠实客户。c、形状向筒式外延炉发展我国单晶硅的发展，于1964年由中科院金属所周院士拉制出我国第一颗单晶硅开始已经40多年了，可我国外延基座的发展就材料而言没有大的突破，国外也一直是沿用SiC基座，但制备工艺及原材料都有较大变化，基座质量11、有所提高，基座形状由80年代的卧式炉的平板基座，发展到立式炉的平行板基座，90年代的筒式炉红外线加热及中频加热的基座为圆筒形。为提高产品质量和生产高效率，又进一步发展为大直径硅片外延炉。而由于大直径硅片外延炉，生长的外延片质量更高，外延片均匀性好，表面颗粒度及自掺杂等方面都比上述炉子性能好，一台炉子有三个反应室，所以一直得到很大发展，其中以AM公司生产的外延炉每年定货量以20%的速度递增，到2003年它已占到世界总外延炉市场的62%，该外延炉基座的尺寸其直径在1m左右。1.2 产业关联度分析SiC涂层石墨基座是在加工成型的石墨基座上通过CVD技术，形成气密性好、耐高温、耐腐蚀、抗氧化的涂层。与12、高纯度石墨比较，高纯石墨在400要发生强烈氧化，即使温度不高，长期应用也因氧化而掉粉末，会粘附工件与台面，对半导体器件及产品产生污染。而使用SiC涂层石墨基座就完全解决了这个问题，所以其在半导体行业中得到了广泛的应用。1.2.1在微电子行业中的应用在单晶硅外延生长工艺中，使用高频感应炉加热，将单晶衬底基片置于包有碳化硅（SiC ）涂层的高纯石墨加热体（基座）上，然后放进石英反应器中加热并通入特种气体，就能生长出一层有一定要求的、与衬底晶向相同的特定单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率、不同厚度及不同导电类型的外延层，主要应用于各种硅集成电路和器件的制作。它不仅可以提高集成电路的成品率13、，而且可以显著提高其集成度和运算速度。而SiC涂层石墨基座是目前单晶硅外延用质量最好、使用量最大的基座。1.2.2在光电子行业中的应用除单晶硅外延片需要SiC涂层基座外，我国半导体照明行业中，GaN外延生长也需要大量的SiC基座。氮化镓基LED可实现全可见光波长范围内的电致发光，从应用角度出发，主要制备绿色、蓝色和紫色LED。从LED的产业链来看，包括外延片的生长、芯片制造、封装和终端产品四个环节，其中外延片的生长最为关键和重要。我国LED的市场销售规模在120亿元左右。LED外延片和芯片制造，是光电子产业链中价值量和技术含量最高的部分。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学14、气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。II、III族金属有机化合物它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与V族的氢化物（如NH3，PH3，AsH3）混合，再通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。在MOCVD设备中，将蓝宝石片或GaAs等晶圆放在SiC涂层石墨基座上通过外延生长方式，就能生长出氮化镓（GaN）外延晶片。碳化硅（SiC）涂层石墨基座应用示意图如下：1.3 市场分析1.3.1目标市场的当15、前规模单晶硅外延基座（SiC涂层石墨基座）在半导体行业中得到了广泛的应用，当前我国对此类基座的年需求量在5万套左右，该行业增长较快，预计年增长率达到20%以上。（1）单晶硅外延用基座我国6、8IC厂和分立元件厂，在20002005新建生产线约45条，月用6硅抛光片（含外延片）60-70万片，8硅抛光片月用量45万片。硅外延片在IC业和分立元件业使用量占硅抛光片总量70-80%，由于5、6IC生产线和分立元件生产线从国外大量向中国大陆转移，目前呈现6硅外延片产品短缺、价格上升趋势。2005年中国大陆晶圆代工产业达到25亿美元，据iSuppli公司市场调查预测，2007年中国大陆芯片制造业将增长至16、38亿美元，我国“十一五”期间再兴建20家芯片厂才能满足市场需求。有这么多设备投入和芯片产出，就要有约3万套的SiC涂层基座的需求，因此是闪光的、高附加值的利润增长点。（2）氮化镓（GaN）半导体照明材料用基座以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，是信息产业前进的发动机，同时有可能改变人类照明光源的技术现状。GaN材料具有高发光效率，高热导率，耐高温，抗辐射，耐酸碱，高强度和高硬度等特性，是世界目前最先进的半导体材料。它可制成高效蓝、绿光发光二极管LED和激光二极管LD，并可延伸到白光LED，将替代人类沿用至今的照明系统。氮化镓晶体(GaN)蓝光二极管还将带17、来IT行业数字化存储技术的革命，是室外高亮度、高清晰度大屏幕全色显示屏关键部件。氮化镓属固体照明，GaN晶体固态光源是一个GaN白光LED发光器件，具有全固体、冷光源、寿命长、体积小、光效高、响应速度快、耐酸碱性好等优点。它比同样亮度的白炽灯节能十分之一，寿命是其100倍。我国工程院士陈良惠测算：到2010年，我国只要1/3的白炽灯照明被半导体灯取代，其节能电量相当于再造一个三峡工程。在未来50年内，用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。国内形成的以GaN为代表的新兴光电子产业，对SiC涂层石墨基座的年需求量在2万套左右，急待国内提供优质廉价SiC基座。1.3.2主要用户SiC涂层石墨基座18、被广泛应用于光电子产业：在MOCVD设备中，用于GaN外延生长用的石墨基座涂层；用于单晶硅外延生长用的石墨基座（平板基座、圆形基座、立体基座等）；晶体管封装烧结模具，单晶硅器件烧结炉用石墨底盘的涂层，及石墨加热器（平板加热器、圆形加热器、筒型加热器）上的表面涂层等。（1）晶圆代工企业对于我国较大的晶圆代工企业，如中芯国际、和舰科技、华虹NEC等企业，经过业务人员的开拓，也已与我公司建立了业务联系，并已有了国际通用的9片机单晶用基座的供货计划。（2）GaN生产企业目前我公司产品已经在南京大学得已试用，效果达到国外同类产品水平。目前国内知名的半导体光电生产企业，如厦门三安电子、上海蓝光、南昌光磊、19、中科电子科技集团十三所等近20多家企业与我公司达成了订货的意向。除四个国家工业化基地（上海、大连、南昌、厦门）外，现已经初步形成的七大区域：长江三角洲、珠江三角洲、江西及福建、北京天津*半岛、辽东半岛、大连沈阳长春、武汉、成都等数以百计的光电厂家，在国内形成了新兴的光电子产业，急待国内提供优质廉价SiC基座。（3）半导体封装企业及其它半导体器件金属封装厂家，用大量的SiC涂层石墨板材做金属封装底座；在粉沫冶金行业用SiC涂层石墨板作为隧道窑滚板，烧结用匣钵等，增加其强度及抗氧化性，从而延长寿命；在真空设备与单晶提拉领域中，SiC涂层广泛用于石墨发热体、石墨导流筒及热场材料中。如Si单晶用SiC20、涂层导流筒，其需求量5001000万元/年。1.3.3市场年均增长率SiC涂层石墨基座是消耗性材料，它占Si外延片成本的1/41/5。2005年中国大陆晶圆代工产业达到25亿美元，比2004年增长12.8%。据iSuppli公司市场调查预测，20xx年中国大陆芯片制造业将增长至60亿美元，20042008年的复合年增率为19%。相较2003年中国大陆芯片制造业的销售收入增长了一倍以上，比2002年几乎增长了三倍。目前在我国，由GaN到Si晶圆外延这么大的市场需求，SiC涂层石墨基座却没有一片国产的，全部是由国外进口。这是绝对不可忽视的耗材和专用生产部件。由于GaN与Si晶圆外延的需求量相当的大21、，所以SiC基座市场容量空间也是非常大的。预计对其需求增长率在20以上。1.4 竞争力分析目前我国SiC外延基座，几乎全部依靠进口，而进口产品有两大问题：一是价格较贵，二是供货时间太长。所以一旦国产SiC外延基座批量投入市场，国内供求关系将是卖方市场，求大于供。现在就已有50多家生产企业与我公司洽谈，有20多家传达了订货意向。由于目前我国SiC涂层石墨基座全部依赖进口，国产基座仅有我公司一家生产与研发，世界范围内也只有德国西格里碳素集团、台湾万电国际、日本东洋碳素公司、美国MEMC电子材料有限公司拥有此技术，最直接的竞争对手来自台湾和国外生产企业，而且其生产国国内对该产品需求仍是供不应求。我国22、国内上千家半导体厂家需求的相关产品全部是由国外进口，价格极高且订货周期长，国产基座在与进口基座的竞争中将取得价格优势和订货加工周期短的优势。为适应我国快速发展的微光电子产业，国内也必将会有企业对SiC涂层石墨基座进行研究与开发，所以潜在的竞争对手将会是在国内。不过我们公司涉足此领域在国内最早，具有一定的市场先入优势，同时有比较雄厚的技术基础和设备实力。并且产品已经被部分院所及半导体厂家应用及试用，取得了认可（后附使用厂家的应用报告）。如能尽早规模化扩产，就又会占据规模优势。第二章 项目技术基础2.1 成果来源及知识产权情况我公司所拥有的化学气相沉积生产SiC涂层外延基座技术为国内首创，填补了国23、内空白。本产品所用技术经*省科学技术情报研究所查新报告200737b2800334号证实：“经检索，国内未见与本项目研究相同的文献报道，国内密切相关文献均系本项目合作人的有关报道”。化学气相沉积SiC涂层基座正在申报发明专利，xx公司拥有该技术的全部自主知识产权。公司紧密跟踪技术发展趋势，持续创新，研制开发出一系列具有自主知识产权的产品和技术，并拥有多项国家专利技术，一直保持企业在业界的技术领先地位，为企业持续发展奠定了坚实的基础。本项目技术成果来源为企业自主研发，并拥有该生产技术与生产设备（偏心进气化学气相沉积炉，专利号ZL96225269.7）的自主知识产权。公司总工程师xx教授，是原中国24、科学院金属研究所研究员，长期从事特种陶瓷材料的研究，拥有热解氮化硼产品的发明专利，技术总监xx拥有设备实用新型专利，2003年“热解石墨合金技术”通过了国家鉴定和验收（甬科鉴字2003第129号），拥有完全自主知识产权，并荣获“国家2000年度第二批科技型中小企业技术创新基金”。特别是其发明的“一炉多支技术”为世界首创，达到国际领先水平，大大降低了碳化硅涂层石墨基座等产品的生产成本。2.2 项目技术先进性2.2.1工艺流程碳化硅（SiC）气相沉积技术是国外发展较早的技术，但作为化学气相沉积，用做外延基座在我国至今仍然还是空白。其原理是在高温条件下，使特种气体释放出硅，硅与碳直接结合，从而将特定25、形状石墨材料包裹起来，形成碳化硅（SiC），所形成的SiC牢牢的巴结在石墨基座上，赋予石墨基座以特殊的性能，从而使石墨基体表面致密、无孔隙、耐高温、抗溶蚀、抗氧化。杜绝了高纯度石墨基体在高温条件下放出气体，且冷却后吸收气体的缺点。其工艺流程图如下：化学气体沉积反应条件及组分比例：9501400CH3SiCl3：H2：Ar5001000：400700：40100mlmin 压力：2mmHg生产过程描述：首先将石墨基材表面进行抛光处理，清洗烘干后在立式化学气相沉积炉中进行沉积反应，反应原料为甲基三氯硅烷(CH3SiCl3，纯度大于95)，氢气作为还原气体，氩气作为稀释气体参与反应。石墨基材在沉积前26、对其表面进行预处理。 对于涂层均匀性而言，表面处理、反应温度、沉积时间均为显著影响因素，Ar气的含量有一定的影响。对于涂层厚度，仅沉积时间为显著影响因素，沉积温度有一定的影响；对于沉积速率也表现为沉积时间有显著影响，而H2流量也有影响。因此，该化学气相沉积反应过程极为复杂，各种工艺参数控制极为精密。通常条件下，在沉积过程之前对基体进行预处理目的在于除去表面杂质和表面缺陷，使“新鲜”的基底得以暴露。实验表明，在沉积过程之前的表面处理是影响沉积均匀性的最主要因素。对造成这一结果的原因和反应机制，主要是基体初始表面不均匀性的改变使各处沉积生长过程趋于一致、同时处理过程改变了基底极性特性和对气相产物的27、吸附特性，使涂层趋向于以层状方式生长。利用CH3SiCl3+H2体系在加热基底上形成SiC涂层的过程，是基底表面附近经稀释的气态CH3SiCl3与过量H2之间的一系列复杂链式反应及形成气相粒于在基底表面逐步凝聚生长的过程。其中主要包括基于多元多相自由基的中间相反应、分解、表面吸附和催化等作用。在沉积过程中发现，沉积温度和各气相反应物的分压等工艺参数值的过高与过低，都会使各中间反应的反应速率产生不同的变化，从而改变了反应进程的最慢步骤，导致了反应产物的变化和沉积结构的不同，从而使气相沉积结果“强烈”依赖于实际过程中具体的工艺条件。 在多数情况下，沉积过程中的反应形式为多相反应，但在某些条件下，基28、底表面空间内也会发生单相气相形核过程，产生胶状粒子烟雾。当反应温度超过某一范围(如1450时)，过量的氢气还会与反应室壁材料中的O元素发生反应，使气流下游处的管壁上形成白色粉末状涂层。吸附在基底表面的粉末作为一种污染源，会降低涂层的质量和表面完整性。因此为了抑制单一气相成核，在实验中尽量采用较高的载气速率和减低沉积温度。同时，在实验过程中还发现，在低于一定温度条件下(如900)，基底表面出现了棕黄色颗粒状SiC分布沉积。并且涂层的最大厚度随着温度的降低而有所减少。 沉积产物在基底上的分布情况，直接关系到生成涂层的均匀度。实验中发现，随着工艺条件及试样位置的不同和表面微量元素的调整，所得到的涂层29、颜色呈现出棕青、棕黄、灰黑、黑色等多种变化，涂层表面形貌也可能出现颗粒状、菜花团状、疏松粉状和晶须等多种结构。沉积粒子在基底表面的积聚生长情况取决于原料入出口处的几何形状、能量区的分布、气体的比例、原料在实验条件下的反应活度等一系列因素。用Ar气作为稀释剂或载气的目的在于降低反应气体的浓度，使气体能够安全地充分混合，以减少气相反应物在局部流向上的富集和避免单一气相形核的产生。过高的流速还会降低基体表面的气体温度，造成沉积曲线的漂移。一般应尽可能采用所允许的最高气流速度，以抑制气相形核。在富H的反应环境中，Ar气在很大程度上抑制了游离Si的生成，因此通过调整H：Ar能较好地控制涂层结构中游离Si30、的产生。2.2.2生产工艺创新点本公司拥有SiC涂层基座专用生产设备的专利“偏心进气化学气相沉积炉”，该炉突破了中心进气的传统模式（如图1），一炉只能做一只小件。而用偏心进气化学气相沉积炉可以生产多只小件（如图2），这样就成倍的降低了成本。另外可以制作大件，如大的圆片和大型坩埚等。在一炉多只的同时，本公司又实现了多种产品在炉内公转与自转同时进行（如图2），使涂层表面更加均匀，元素的分布更加理想。这项技术为我公司首创，拥有全部自主知识产权。此外该项目的生产过程属低压气相沉积（2mmHg）接近真空，三废排放主要是氮气和水蒸气，另外有少量氯化氢气体排放，且加设淋水浴废气捕捉完全回收利用，用于后加工的31、清洗打磨工序使用。几乎实现废气零排放，没有环境污染。2.3 项目的可行性和成熟性 2.3.1产业化条件我公司长期从事碳化硅（SiC）涂层、热解氮化硼（PBN）、热解石墨合金涂层等特种陶瓷材料的研究与生产，是集化学气相沉积技术的研究、开发、生产为一体的高科技企业。相关技术人员拥有几十年CVD技术的积累和娴熟运用，拥有自主知识产权及市场先入优势。化学气相沉积生产SiC涂层石墨基座是我们近期开拓的科研项目，现已在小批量生产，并且得到比较满意的实验结果，在其它领域正在推广应用中，目前国内多家半导体企业已与我公司达成了产品供应意向。2.3.2产品销售预测虽然我公司开发出SiC涂层石墨基座不久，但很快就打32、开了销售市场。目前国内较知名的半导体厂家，如华虹NEC、厦门三安电子、上海蓝光、南京大学、中科电子科技集团十三所等都已有了订货计划，预计20xx年订单在15000套以上，2010年订单可达到22000套，所以，迫切需要我公司尽快扩大生产规模，满足越来越大的市场需求。2.3.3研发优势我公司建有省级企业技术中心，拥有一支稳定的高素质的技术力量，在材料科学、非金属无机材料、化学气相沉积技术、金属热处理、工业电气自动化等学科领域具有综合技术优势。公司经过多年持续不断的研发投入与积累，现已拥有各类先进的研发生产设备210余台套。其中，主要研发设备有50 余台（套）；精密测试设备30台。这些设备为研究开33、发工作提供了必要的支持，创造了较好的工作环境。为了赢得产品竞争优势，我公司十分注重科研投入，近三年平均投入研发经费占企业销售收的3.5以上，拥有了完善的研究与开发体系，具备了强大的科研开发和技术创新能力，在全国特种陶瓷材料行业中位居前列，为未来发展打下了坚实的基础。由于重视科研的投入，使公司保持了强大的市场竞争力，能够不断创新开发出新产品。2.3.4技术的成熟性公司紧密跟踪技术发展趋势，持续创新，研制开发出一系列具有自主知识产权的产品和技术，并拥有多项国家专利技术，一直保持企业在业界的技术领先地位，为企业持续发展奠定了坚实的基础。本项目技术成果来源为企业自主研发，并拥有该生产技术与生产设备（偏34、心进气化学气相沉积炉，专利号ZL96225269.7）的自主知识产权。目前，化学气相沉积SiC涂层基座生产工艺正在申请国家发明专利。特别本项目所使用的“一炉多支技术”为世界首创，达到国际领先水平，大大降低了碳化硅涂层石墨基座等产品的生产成本。本项目SiC涂层样品经中国科学院上海微系统技术研究所测试，各项指标均达到国际先进水平，测试结果如下：l 碳化硅（SiC）表面涂层为- SiC，属面心立方；l 碳化硅（SiC）表面晶格常数 a = 4.359 ；l 碳化硅（SiC）表面密度接近理论值：3.15-3.20g/cm3； l 碳化硅（SiC）表面具有很高的纯度与各向异性；l 碳化硅（SiC）X光测35、试见下图：第三章 项目建设方案3.1 项目总体方案本项目总投资5554.22万元，将建设*xx微光电陶材生产与研发基地。项目新增相关设备343台套，新增建筑面积11720m2。进一步提高大直径、全系列半导体材料用特种陶瓷基座生产、研发水平。项目建设新增大直径SiC涂层基座生产设备，设计、制造全新的化学气相沉积真空碳管炉和感应炉。同时建设或改造化学气相沉积（CVD）车间、机械加工车间、产品后处理车间、产品检验、包装车间、纯水处理及冷却设施等。项目建成后形成4条生产线，年可生产单晶硅外延用和GaN外延用SiC涂层石墨基座21000套，其中：3128产能9000套/年，41210产能6000套/年，36、36060产能1000套/年，1175产能5000套/年。按尺寸由小向大发展，三分之二的产品应用于GaN外延基座，三分之一的产品应用于Si单晶外延基座。3.2 建设地点项目拟建地点位于*省*市高新技术开发区xx*分公司内，厂区南靠富华街，东临东外环，向北2km是京福高速入口，向南3km是火车站，交通便利，企业占地120亩。本项目利用企业原有预留发展空地，不新增占地面积。项目建设区供水、供热、供电等配套工程设施完善。3.3 项目进度本项目建设期为20xx年1月2010年1月，从资金到位开始12个月内完工投产，进度安排如下： 项目进度项目内容123456789101112工程整体分项设计设备订货购37、置制造 土建施工设备安装及调试人员培训原、辅料购置试车投产3.4 拟达到的经济、技术目标及水平 项目建设完成后，*将成为我国最大的半导体用特种陶材研发与生产基地，将达到年产SiC涂层石墨基座21000套的生产能力，单晶硅外延基座产品生产与研发达到国际先进水平，为我国半导体用大尺寸硅单晶片生产提供坚实的设备支撑和充足的配套件供应。 预计项目完成后，产品年可实现销售收入8700万元，年工业增加值2750万元，年净利润1200万元，年交税金980万元。第四章 环保、节能及原材料供应情况4.1 环境保护4.1.1项目建设对环境的影响该工程项目附近无森林、草地以及文物古迹和风景名胜等。项目的建设，使该地38、区的地形、地物发生了变化，项目施工期间，主要污染因素是施工噪声、建筑垃圾和扬尘。施工期间要严格遵守建筑施工厂界噪声限值（GB1253-90）的规定，减轻施工噪声对周围居民生活的影响，同时建筑垃圾当及时清运，日产日清，施工工地周边应当设置高度1.8米以上的围挡，减少扬尘。4.1.2项目生产过程产生的污染物对环境的影响该项目的生产过程属低压气相沉积（2mmHg）接近真空，三废排放主要是氮气和水蒸气，另外有少量氯化氢气体排放，且加设淋水浴废气捕捉完全回收利用，用于后加工的清洗打磨工序使用。实现废气零排放，没有环境污染，符合环保要求。由信息产业部、国家发改委等部门联合制定的电子信息产品污染控制管理办法39、从电子信息产品的研发、设计、生产、销售、进口等环节抓起，对规范投放我国市场的电子信息产品使用有毒有害物质或元素进行了严格的规定，这对实现有毒有害物质在电子信息产品中的替代或减量化将起到重要作用。本项目是采用化学气相沉积技术进行生产的，所需原材料主要为甲基三氯硅烷、氩气、氢气和石墨，在生产和存储过程中都有严格的安全措施，不会对人身和周围环境造成损害。SiC涂层石墨基座产品成分主要为石墨和碳化硅，因此对环境、资源以及人类身体生命健康以及财产安全也不会造成任何破坏、损害、浪费等不良影响。4.2 能源节约本公司使用SiC涂层基座专用生产设备的专利“偏心进气化学气相沉积炉”，该炉突破了中心进气的传统模式40、，一炉只能做一只小件。而用偏心进气化学气相沉积炉可以生产多只小件，可降低电能消耗35%。由于本项目所使用的关键设备化学气相真空碳管炉和感应炉，在生产过程中的加热时间一般在1小时左右，其余20多个小时的时间为断电自然冷却时间，所以单台设备耗能时间并非是持续式用电。在生产中实行多台设备间歇式运行，即一台炉子通电加热完毕后，断电进行冷却时下一台炉子再通电运行，实现了多台设备低耗电功率的平稳运行，不会对电力供给带来压力。4.3 原材料供应4.3.1主要原辅材料供应本项目的主要原辅材料为甲基三氯硅烷、氩气、氢气和石墨等，项目所需辅料全部可以从周边地区及国内其他市场购买，能保证供应。4.3.2供电、用水表41、4.3-2项目水、电年需要表序号名称单位数量预测价格（元）供应来源1水吨57000.5自备井2电万度4600.56外购本项目生产、生活、消防用水源为自备井水，完全能够满足生产、生活和消防用水的需求。本项目用电由*市供电公司供应，装机容量能完全满足本项目的需要，所以电力供应是有保障的。第五章 项目法人基本情况5.1 企业概况5.1.1 企业名称：*xx实业有限公司5.1.2 法定代表人：xx5.1.3 公司性质：有限责任公司5.1.4企业地址：*省*市xx路北首5.1.5企业简介*xx实业有限公司是以特种陶瓷材料、化工、食品、医药为一体的集团公司，是国家级重点高新技术企业和中国专利明星企业。集团42、成立于1986年，所有制性质为民营，银行信用等级AAA级，下属7个工业企业、1个省级企业技术中心、1个研发中心、20多个驻外销售分公司、员工1500多人。公司拥有国家级新产品3个，国家发明专利11项，承担了2项国家火炬计划。公司现已通过ISO9001质量体系认证和ISO14001环境管理体系认证。集团下属xx*分公司，组建于2003年，拥有以原中科院研究员xx教授为首的研发队伍，长期从事碳化硅（SiC）涂层、热解氮化硼（PBN）、热解石墨合金涂层等特种陶瓷材料的研究与生产，是集化学气相沉积技术的研究、开发、生产为一体的高科技企业。公司主要产品为碳化硅（SiC）涂层材料和热解氮化硼（PBN）坩埚43、及其涂层，其中碳化硅（SiC）涂层石墨基座添补了国内空白，世界上只有美、德、日等极少数科学技术先进国家拥有此技术。近几年来，依托科技创新，企业得以迅速发展。公司拥有自主的知识产权与专利，有独特专业技术。目前公司的设备设计、工艺技术，在国内都处于前沿地位。5.2 人员情况5.2.1职工总数及构成公司现有员工1500多人，拥有博士及硕士学历员工16人，本科学历员工500余人，大专以上学历者占公司员工总数的60%。5.2.2技术人员及构成现有科研技术人员157人，其中博士6人，硕士7人，本科学历员工67人。5.2.3相关专业人数我公司在新材料领域，拥有特种陶瓷材料R&D人员13人，建设了一支老中青相44、结合的科研队伍：公司首席科学家是我国化学气相沉积PBN材料的创始人xx研究员；公司客座教授东北大学博士生导师杨宗坡教授；还有2名有十年工作经验、获硕士学位的高级工程师；有3名新毕业的工学硕士，形成了强劲的科技研发力量。这个团队善于学习、敢于创新、勇于实践，成为xx公司持续发展的强大动力。5.2.4企业法人公司法人代表 xx 第十、十一届全国人大代表 全国劳动模范 享受国务院政府特殊津贴 国家发明奖获得者 *省十大优秀民营科技企业家5.2.5项目负责人本项目的负责人是公司的科技带头人xx教授，是中国科学院研究员，国家级专家，享受国务院政府特殊津贴，是我国热解氮化硼材料的创始人，热解石墨材料的早期45、开拓者，获有国家、科学院、地方一、二、三等奖十余项及多项国家专利。2000年其研制的“热解石墨合金”新材料，荣获国家第二批科技型中小企业技术创新基金。 5.2.6管理班子为了提高公司管理的水平，高薪聘请了有着十余年管理工作经验的复旦大学经济管理系硕士毕业生周锋先生为总经理。公司常务副总经理xx，是新西兰藉华人，奥克兰大学硕士毕业生，主抓生产，拥有化学气相沉积PBN偏心进气专利，参与热解石墨合金的研制和12PBN坩埚的研制，有10余年专业技术经验与管理才能，并且有着丰富的营销经验，善于技术攻关与市场开拓，为新产品推向市场打下了良好的基础。5.3 企业资产信用状况5.3.1资产总额根据*德州xx有46、限责任会计师事务所出具的审计报告，截止20xx年12月31日，集团总资产121,732万元，固定资产原值46,898万元、固定资产净值30,691万元、流动资产77,011万元、负债总额67,232万元、流动负债50,478万元、所有者权益合计54,499万元。5.3.2收入总额公司2008年实现销售收入137,772万元，税后利润8,480万元，上交税金4,986万元。本项目具体实施单位*xx*分公司2007年度实现销售收入1292万元，利税437万元；2008年度实现销售收入1973万元，利税872万元。5.3.3银行信用等级我公司已连续10年被中国农业银行*省分行评定为银行信用AAA级。47、5.4 企业近三年生产经营情况公司近几年来生产经营状况一直良好，近三年经济效益指标如下表：(单位：万元)年份销售收入利润税金总资产资产负债率200685081562140729121557%20071249977740456311086858%20081377728480498612173255%第六章 项目投资及资金筹措6.1 投资估算6.1.1 编制说明本项目投资估算范围包括建筑工程费、设备购置费、设备安装费、其它费用、预备费用等。6.1.2 投资估算依据项目的编制是根据国家发展和改革委员会建设项目可行性研究报告编制内容深度规定进行编制。投资估算是根据国家发展和改革委员会工程设计概算编制办48、法进行编制。财务评价是根据建设项目经济评价方法与参数(第三版)进行编制。1、建设投资估算内容包括建筑工程、设备购置、安装工程及其它费用，见表6.1“项目总投资构成分析表”。2、建筑工程造价：该项目的工程造价是根据当地同类工程造价进行估算的。3、设备价格：设备根据设备厂家提供的样本报价进行估算。4、各项工程费用估算、工程建设其他费用估算方法、指标及费率，参照轻工业工程设计概算编制办法（QBJS102005）中的规定估算。6.1.3 建设投资估算1、工程费用估算（1）建筑工程费用估算:按工程量及有关定额或指标估算建筑工程费.见附表61“建(构)筑物工程费用估算表”。（2）设备及工器具购置费估算：根49、据项目主要设备表及价格、费用资料估算设备购置费。（3）安装工程费估算:按行业或专门机构发布的安装工程定额、取费标准和指标估算安装工程费用。2、工程建设其他费用估算工程建设其他费用的内容，包括建设管理费（建设单位管理费、工程建设监理费、工程项目管理费）、建设用地费（土地征用费及迁移补偿费，土地使用税、耕地占用税、新菜地开发基金，土地使用费）、工程地质勘察费、可行性研究费、工程设计费、环境影响咨询费、安全评价费、研究试验费、临时设施费、联合试运转费、城市基础设施配套费、工程保险费、生产准备及开办费（培训费及提前进厂费、办公及生活家具购置费）、工程量清单（或预算、标底）编制费、施工图审查费及其他费用50、等。工程建设其他费用估算表见附表62“设备投资估算表”3、预备费估算基本预备费估算：以工程费用及工程建设其他费用的10%计取。所有建设投资分类汇总,见附表6“设备投资估算表”。6.1.4 流动资金估算1、分项详细估算法流动资金估算方法可分为扩大指标估算法和分项详细估算法。项目流动资金估算，一般采用分项详细估算法。见附表63“流动资金估算表”。2、流动资金估算额经计算正常生产年份需要流动资金1151.32万元。项目第一年达运力负荷80%，需要流动资金911.06万元，铺底流动资金320.00万元；第二年达运力负荷100%，需要流动资金1151.32万元，铺底流动资金400.00万元。6.1.5 51、项目总投资估算1、项目所需投入的总投资5517 万元。其中建设投资5117 万元，铺底流动资金400 万元。2、 项目总投资构成分析按工程费用性质列出项目评价中投入的总投资(总资金)构成及其所列比例,见表6.1表6.1 项目总投资构成分析表6.1.6投资指标1.主产品的单位产品占用建设投资: 0.25 万元/套2.百元销售收入占用项目投入总资金: 64 元5.百元销售收入占用建设投资: 59元4.百元销售收入占用流动资金:1.61元6.1.7 分年资金投入计划根据项目评价中投入的总投资(总资金)和项目实施进度的安排，编制项目分年资金投入计划并形成相应的资金筹措计划。6.1.8 投资估算附表附152、： 61建(构)筑物工程费用估算表附2： 62设备投资估算表万元序号设备名称规格数量单位单价（元）总价（万元）备注一机加设备1布袋式除尘系统20KW1 套750007.50 2车床6300mm1 套3个2512.50.25 最大直径3数控车床61408 台9000072.00 4数控铣床6 台11250067.50 5多功能台钻5 台37501.88 6钻床5 台22501.13 7电锯10 套11251.13 8砂轮机6 套9000.54 9气泵5 台1687.50.84 10意丰电炉5 台15000.75 11海尔吸尘器5 台11250.56 12阀门与管件1 套37500037.50 153、3油式旋片真空泵150升/分30 套3075092.25 进口14油式旋片真空泵100升/分20 套2175043.50 设备小计0327.32 运输费019.64 安装材料费026.19 安装费022.91 安装工程小计068.74 小计0396.06 二一号生产线01变压器磁性调压63KW10 台6000060.00 2电动制柜10 台52505.25 3炉体10 套7500075.00 4过滤装置20 套13502.70 5真空机组10 套4500045.00 6气体控制柜10 套6750067.50 7自控系统1 套33750033.75 西门子设备小计0289.20 运输费017.354、5 安装材料费023.14 安装费020.24 安装工程小计060.73 小计0349.93 三二号生产线01变压器100KW10 台9000090.00 2电动制柜10 台52505.25 3炉体10 台112500112.50 4过滤装置20 套13502.70 5真空机组10 套4500045.00 6气体控制柜10 套6750067.50 7自控系统1 套33750033.75 西门子设备小计0356.70 运输费021.40 安装材料费028.54 安装费024.97 安装工程小计074.91 小计0431.61 四三号生产线01感应炉160KW20 套225000450.00 3过55、滤装置40 套21008.40 4真空机组20 套3412568.25 5气体控制柜20 套90000180.00 6自控系统1 套45000045.00 西门子设备小计0751.65 运输费045.10 安装材料费060.13 安装费052.62 安装工程小计0157.85 小计0909.50 五四号生产线01感应炉200KW10 台375000375.00 2过滤装置20 套21004.20 3真空机组10 套3412534.13 4气体控制柜10 套9000090.00 5自控系统1 套45000045.00 西门子设备小计0548.33 运输费032.90 安装材料费043.87 安装56、费038.38 安装工程小计0115.15 小计0663.47 六后加工设备01洁净水系统1 套337503.38 2清洗打磨系统1 套11250011.25 3酸处理池1 套30000.30 4 IGBT晶体管模块变频装置30 台2625078.75 5 光学高温计1 个7500.08 6 光导纤维侧温计4 个30001.20 7 水泵25 台26256.56 8 水冷塔1 套375003.75 9 气体汇流排10 套20252.03 10 机井1 眼675006.75 11 称重显示器10 台10501.05 设备小计0115.09 运输费06.91 安装材料费09.21 安装费08.0657、 安装工程小计024.17 小计0139.26 七研发与检验、办公、备件设备01研发设备1 套75000075.00 2精密秤1 套180001.80 3工业显微镜1 套225002.25 4其它测量尺10 套11251.13 5办公设备1 套37500037.50 6备件与备用设备1 套2700000270.00 设备小计387.68 运输费23.26 安装材料费31.01 安装费27.14 安装工程小计81.41 小计469.09 设备合计2775.96 安装工程合计582.95 总计3358.91 附3： 63流动资金估算表6.2 资金来源6.2.1 资金来源总投资5554 万元，项目建58、设投资5154 万元，申请银行贷款3000万元，申请国家扶持资金500.00万元，其余部分由企业自筹解决。项目流动资金年需要额1152.72万元，其中申请银行短期贷款752.72万元，自筹资金400.00万元。6.2.2 资本金筹措本项目企业自有资金1254.20万元。6.2.3 债务资金筹措本项目建设期拟定为1年，建设期投入5154.20万元，完成全部建设投资。项目流动资金在投产期和达产期投入。投产期达产负荷80%，投入320.00万元，投产期达产负荷100%，再投入80.00万元。具备融资方案见表6.2。表6.2 资金措施与使用计划表第七章 经济效益分析7.1 经济效益评价7.1.1 编制59、依据本项目的财务评价主要参照国家发改委、建设部颁发的建设项目经济评价方法与参数（第三版）规定的原则和要求进行。7.1.2 财务评价基础数据与参数选取及有关说明1、销售价格经测算，本项目新增销售收入约8700万元。考虑到项目的实际情况，投产期按设计能力的80%计算。2、税费本项目的增值税税率按17%计。同时按照有关规定，本项目缴纳城市维护建设税和教育附加，分别为增值税和消费税额的7%和3%。销售税金及附加为83.44万元。3、项目计算期本项目主要资产为各类建筑物、设备。计算期确定为10年。4、生产负荷一般按项目投产期和投产后正常生产年份分别设定。5、财务基准收益率设定轻工业建设项目的财务基准收益60、率以轻工行业发布的基准收益率作为项目的基准收益率。本项目设定基准收益率为i=12%7.1.3 成本费用估算1、各项成本费用选取（1）原材料及辅料按技术方案确定的消耗指标估算，价格按现实际均价的价格计取。（2）燃料、动力消耗费燃烧、动力的消耗定额由公用工程专业根据负荷平衡提供计算，正常年等燃料、动力费为2528.00万元。（3）人员工资及福利费本项目生产定员68人，按人均工资福利费1667 元/月计算，合计职工年工资福利费136.06 万元。（4）折旧费方法及费率固定资产原值4899.20万元（基本预备费、建设期利息及其它费用按建筑工程和工艺设备所占投资比例分摊到固定资产原值中提取折旧），根椐规61、定房屋及构筑物折旧年限按20年计算、机械设备折旧年限按10年计算，运输设备折旧年限按10年计算，预计残值率按5%计算，经计算年折旧额424.49万元。详见附7：35“固定资产折旧及无形及其他资产摊销表”。（5）摊销费年限该项目其他资产255.00万元，按5年摊销，年摊销费51.00万元。详见附7：35“固定资产折旧及无形及其他资产摊销表”。（6）修理费用的选取修理费按固定资产折旧费的30%计取，每年提取修理费127.35万元。（7）财务费用生产期发生的流动资金借款利息计入当年的财务费用。（8）其它费用销售费用、管理费用以及制造费用中的其它费用均参照企业的管理水平进行估算计入总成本。详见附7：362、6表“总成本费用估算表”。2、单位产品成本估算单位成本=直接材料费+直接燃料及动力费+直接工资+其他直接支出+配送费用，估算为341元/吨。详见附7：37表“单位产品成本估算表”。3、总成本费用估算见表76总成本费用=外购原材料、燃料及动力费+人员工资及福利费+修理费+折旧费+摊销费+财务费用+其他费用，年总成本费用为3936.84万元。详见附7：36表“总成本费用估算表”。详见附7：38表“燃料、动力费用估算表”。详见附7：35表“固定资产折旧及无形及其他资产摊销表” 7.1.4 利润估算1.所得税按利润总额25%计取，盈余公积金按税后利润10%计取，公益金按税后利润5%计取。2. 正常生产63、年份利润总额3999.12万元，利税总额5067.72万元（含增值税834.36万元）。详见附表7：39“损益表”。7.1.5 财务评价1、盈利能力分析（1）财务内部收益率（FIRR）（1）财务内部收益率（FIRR）a.财务内部收益率所得税前为79.37%，所得税后为63.04%。b.资本金收益率为239%c.财务净现值（FNPV）所得税前为14228.15万元，所得税后为10187.29万元。d.投资回收期（Pt）税前税后分别为2.38年和2.67年(均含建设期)。e.投资利润率72%f.投资利税率91%详见附表7：310“项目财务现金流量表（全部）”。详见附表7：311“资本金财务现金流量64、表（自有）”。详见附表7：312“项目资金来源与运用表”。详见附表7：313“项目资产负债表”。7.1.6不确定性分析1、敏感性分析该项目对所得税前全部投资作了敏感性分析，财务内部收益率为79.37%，投资回收期2.38年，考虑到项目在实施过程中的一些不利因素的变化分别对建设投资、经营成本、销售收入作了提高5%和降低5%的单因素变化，对财务内部收益率、投资回收期影响的敏感性分析，详见敏感性分析表7.1表7.1敏感性分析表从敏感性分析表和敏感性分析图可以看出，该项目对收入变化较为最敏感，其次为成本。因此，建议在本项目设计投产后的保证控制好产品质量并作好销售渠道，做好投资成本控制，提高使用人员素质65、，以利于取得更好的经济效益。2、盈亏平衡分析以生产能力利用率表示盈亏平衡点（BEP）其公式：年固定成本税后销售收入-可变成本-销售税金BEP = 100%=19.96%计算结果表明，该项目的产量达到设计能力的19.96%，企业可保本，该项目有一定的抗风险性。7.1.8 财务评价结论由以上财务评价可以看出，本项目投资利润率及投资利税率均大于行业利润率和平均利税率，说明单位投资对国家的贡献水平达到了本行业的平均水平。项目的投资回收期为2.38年（含建设期），低于行业基准投资回收期，这表明项目投资能按时收回，盈亏平衡点为19.96%，从上述财务分析看，项目建设具有一定的盈利能力，从敏感性分析看项目具有一定的抗风险能力，因此项目从财务上讲是可行的。7.2 财务评价附表附5： 35固定资产折旧及无形及其他资产摊销表附6： 36总成本费用估算表附表9： 39 损益表附表10： 310项目财务现金流量表（全部）附表11： 311资本金财务现金流量表（自有）附表12： 312项目资金来源与运用表附表13： 313项目资产负债表