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半导体太阳能级单晶硅棒硅片生产项目可行性报告85页
半导体太阳能级单晶硅棒硅片生产项目可行性报告85页.doc
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可再生能源
上传人:职z****i 编号:1180516 2024-09-13 82页 3.53MB
1、半导体、太阳能级单晶硅棒、硅片生产项目可行性报告XX工程咨询有限公司二零XX年XX月XX项目可行性研究报告建设单位:XX建筑工程有限公司建设地点:XX省XX市编制单位:XX工程咨询有限公司20XX年XX月75可行性研究报告编制单位及编制人员名单项目编制单位:XX工程咨询有限公司资格等级: 级证书编号:(发证机关:中华人民共和国住房和城乡建设部制)编制人员: XXX高级工程师XXX高级工程师XXX高级工程师XXXX有限公司二XX年XX月XX日 目 录第一章 总 论11.1 项目概要11.2 项目提出的背景31.3 项目实施的有利条件71.4 编制依据101.5 研究结果10第二章 项目承办企业基2、本情况132.1 公司基本情况简介132.2 xx香港有限公司与其它公司合作情况13第三章 市场需求和产品大纲143.1 市场现状及预测143.2 现有生产能力估计203.3 市场前景分析233.4 产品大纲23第四章 技术与装备244.1 产品简介244.2 工艺流程254.3 设备选型30第五章 物料供应和公用设施325.1 物料消耗325.2主要动力要求325.3 仓储及运输33第六章 建厂条件与园区布置346.1厂址条件346. 2 市政配套34第七章 项目建设方案367.1项目的构成和范围367.2生产环境要求367.3 总图367.4 土建377.5通风、空调387.6 气体动力43、07.7 给水排水417.8 电气447.9 通信、信息45第八章 组织机构、劳动定员和人员培训468.1 组织机构468.2 劳动定员478.3 人员培训47第九章 项目实施进度计划489.1项目建设工期489.2进度计划安排48第十章 项目投资估算与资金筹措5010.1 固定资产投资估算5010.2流动资金估算5110.3总投资5210.4资金筹措52第十一章 经济分析5311.1 基本数据5311.2 财务评价5411.3经济分析主要结果5611.4综合评价56第十二章 风险分析与对策5712.1经营风险5712.2管理风险5912.3财务、金融风险60第十三章 环境保护、职业卫生安全、4、消防、节约能源6113.1 环境保护6113.2职业安全卫生6613.3 消防6813.4节约能源70I 附表:表B1 总投资估算表表B2 流动资金估算表表B3 项目总投资使用计划与资金筹措表表B4 总成本费用估算表表B5 利润与利润分配表表B6 现金流量表(全部投资)表B7 财务计划现金流量表表B8 资产负债表表B9 固定资产折旧费估算表表B10 无形资产和其他资产摊销估算表表B11 营业收入、营业税金及附加和增值税估算表II 附 图: 1区域位置图2总平面图3. 原材料预处理车间一层工艺区划图3. 单晶硅棒生产厂房一层、二层工艺区划图4. 单晶硅片加工生产厂房一层工艺区划图第一章 总 论15、.1 项目概要 项目名称半导体、太阳能级单晶硅棒、硅片生产一期项目 内容提要二十年来,世界半导体工业生产及其技术水平迅速发展,市场规模平均增长率达到12%以上,2007年世界半导体规模达到2572.16亿美元左右。全球半导体市场包括集成电路、分离器件、光电器件等,主要地区分布包括亚太、北美、日本、欧洲等四大区域。WSTS资料,2007年集成电路市场增长4.7%,按地区增长最快为亚太地区7.0%。WSTS预计,2008年世界半导体增长9.1%,达到2805亿美元的市场。传统的燃料能源正在一天天减少,对环境造成的危害日益突出,这个时候,全世界都把目光投向了可再生能源,希望可再生能源能够改变人类的能6、源结构,维持长远的可持续发展。太阳能作为一种新能源被广泛应用于航天航空、并网发电、居发用电、汽车、游艇、高速公路等人们生产、生活的方方面面,其独特的优势已远远超过风能、水能、地热能、核能等各类能源,有望成为未来电力供应的主要支柱。我国太阳能资源非常丰富,理论储量达每年17000亿吨标准煤。太阳能资源开发利用的潜力非常广阔。我国地处北半球,南北距离和东西距离都在5000公里以上。在我国广阔的土地上,有着丰富的太阳能资源。大多数地区年平均日辐射量在每平方米千瓦时以上,西藏日辐射量最高达每平米千瓦时。年日照时数大于2000小时。与同纬度的其他国家相比,与美国相近,比欧洲、日本优越得多,因而有巨大的开7、发潜能。我国十分重视集成电路产业的发展,2000年国务院出台18号文鼓励发展软件和集成电路产业。至2006年,我国集成电路设计、制造取得明显进展,2006年集成电路产业共实现销售收入1006.3亿元,同比增长达到43.3%;集成电路总产量达到335.8亿块,同比增长28.6%。IC设计、芯片制造与封装测试行业都有较快的增长。IC设计业在前几年高速增长的基础上依旧保持了较快增长的势头。在IC卡、手机、MP3等市场快速成长的带动下,IC设计企业共实现销售收入186.2亿元,同比增长49.8%。封装测试业共实现销售收入496.6亿元,同比增长43.9%,是近几年增长最快的一年。芯片制造业方面,在全球8、芯片代工市场持续增长以及国内设计业规模不断扩大的带动下,芯片制造企业销售收入持续增长,2006年芯片制造企业共实现销售收入323.5亿元,增幅为38.9%。我国政府也先后出台了多项政策,鼓励发展太阳能产业。近期国家发改委已出台可再生能源发电有关管理规定,明确太阳能发电可向国家申报政策和资金支持。可再生能源法在2006年1月1日起正式实施。国家发改委还同时发布了可再生能源发电价格和费用分摊管理试行办法,明确了2006年及以后建设的可再生能源发电项目上网电价及费用分摊管理办法。国家的这些扶植政策和措施将大力促进我国太阳能光电产业的发展。xx香港有限公司紧跟国家发展政策,密切关注世界半导体及能源行业9、的形势,成立了全资子公司泰州xx硅能科技有限公司,在江苏省泰州经济开发区内建设年产1200万片8英寸半导体、太阳能级单晶硅棒、硅片生产项目,计划到2009年建成投产。 承办单位和法人代表承办单位:泰州xx硅能科技有限公司法人代表:xx1.2 项目提出的背景 半导体集成电路行业成为发展趋势现在,中国已经成为全球最大的单一半导体需求市场。根据市场研究公司iSuppli估计,中国2007年将消费半导体大约523亿美元,占全球的21%强,2008年将增长12%达到586亿美元。2007年中国生产集成电路制造达到1250亿人民币。目前,世界集成电路生产线共有1110条左右,主流工艺特征尺寸是8-12英寸10、0.13-0.25微米工艺技术,生产能力为每条线月投片3-5万片。集成电路产业的主要生产基地仍然集中在美国、日本、韩国和中国台湾地区。基于集成电路的重要地位,发达国家和许多发展中国家(地区)都十分重视集成电路产业的发展,发达国家和地区纷纷制定21世纪的集成电路中长期发展规划,抢占制高点,以掌握未来信息技术核心的主动权。1.2.2 可再生能源成为发展趋势能源是国民经济发展和人民生活水平提高的重要物质基础,而能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题,严重制约着经济和社会的可持续发展。无论从世界还是从中国来看,常规能源都是很有限的,中国的一次能源储量远远低于世界的平均水平,大约只有世界总储量的10。11、图表1-1给出了世界和中国主要常规能源储量预测:图表1-1 世界和中国主要常规能源储量预测 资料来源:中国可再生能源发展战略研讨论会论文集一百年来,全球能源消耗平均每年呈3指数增加。中国等大多数发展中国家工业化进程加快,因此全球未来能源消耗态势仍将以快速度增长。能耗平均呈指数增长趋势所带来的后果是十分严重,一方面伴随着化石燃料消耗的增加,大气中CO2的含量相应增加,地球不断变暖,生态环境恶化,自然灾害及其造成的损失逐年增加。另一方面将愈来愈快地消耗掉常规化石能源储量。有数据表明,世界化石燃料耗尽时间从现在开始只有几十年的时间。能源的潜在危机和生态环境的恶化迫使世界各国积极开发可再生能源。21世12、纪将是高新技术的时代。新能源技术将与生物技术、信息技术、新材料技术、空间技术、海洋技术等5大技术一道成为21世纪的现代高新技术,是21世纪现代高新技术的支柱之一。而在新能源技术中,太阳能发电是发展最快的,也是各国竞相发展的重点。太阳能发电无污染、安全、寿命长、维护简单、资源永不枯竭、不受资源分布地域的限制等独特的优势和巨大的开发利用潜力,使其自20世纪80年代以来得到了迅速发展,被认为是21世纪最重要的新能源,充分利用太阳能有利于保持人与自然的和谐相处及能源与环境的协调发展。当今世界各国特别是发达国家对于光伏发电技术十分重视,摆在可再生能源开发利用的首位。80年代以来,即使是在世界经济从总体上13、处于衰退和低谷的时期,光伏发电也一直保持着以10%15%的递增速度发展。与国际上蓬勃发展的光伏发电相比,我国落后于发达国家1015年,但近年来,我国的光伏产业在国外市场的拉动下发展迅速,涌现出了无锡尚德、南京中电光伏、宁波太阳能等多家具有20MW以上规模的太阳能电池生产企业。早在2004年,我国光伏产业规模就超过了印度。在今后的十几年中,太阳电池的市场走向将发生很大的改变,到2010年以前中国太阳电池多数是用于独立光伏发电系统,从2011年到2020年,中国光伏发电的市场主流将会由独立发电系统转向并网发电系统,包括沙漠电站和城市屋顶发电系统。在国家各部委立项支持下,目前我国实验室太阳能电池的效14、率已达21%,可商业化的光伏组件效率达1415%,一般商业化电池效率1013%。目前太我国阳能光伏电池生产成本已大幅下降,这对国内太阳能市场走向壮大与成熟起到了决定作用,对实现与国际光伏市场接轨具有重要意义。作为21世纪最有潜力的能源,太阳能产业的发展潜力巨大。太阳能产业是新兴的朝阳行业,再加上良好的政策环境、行业本身的特性,使得太阳能电池产业具有较高的投资价值和发展潜力。目前,太阳能电池及其相关产业成长性好,是非常好的投资机会,因此抓住太阳能电池市场发展的机遇,建设具有国际先进工艺技术水平的生产线,迅速提升公司在市场竞争中的有力地位,以有限的投资确保在竞争中取得最大的效益是本项目实施的根本。15、1.2.3 公司自身发展需要半导体集成电路和太阳能电池行业是世界增长速度较高的两大领域,预计今后10年全球将以每年20-30的递增速度发展,xx香港有限公司为了尽快占领半导体及光伏电池市场制高点,适时调整产业结构,通过建立全资子公司泰州xx硅能科技有限公司,建设具有国际先进工艺技术水平的生产线,打造一流的半导体、太阳能级单晶硅棒、硅片的生产企业。1.3 项目实施的有利条件 国家政策优势.1 半导体集成电路产业的国家政策优势我国十分重视集成电路产业的发展,国务院2000年以国发200018文鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策,共和国第一次以国务院的文件形式对单一产业规定政策措施。文件对集成16、电路项目立项审批、税收优惠、政策扶持、知识产权保护等方方面面进行了规定。国家为实现“十一五”规划目标,对于全面落实科学发展观,加强和改善宏观调控,进一步转变经济增长方式,推进产业结构调整和优化升级,保持国民经济平稳较快发展。于2005年颁布了产业结构调整指导目录(2005年本)。目录规定:优先发展信息产业,大力发展集成电路、软件等核心产业,重点培育数字化音视频、新一代移动通信、高性能计算机及网络设备等信息产业群,加强信息资源开发和共享,推进信息技术的普及和应用。1.3.1.2 太阳能电池的国家政策优势2006年1月1日实施的中华人民共和国可再生能源法,这意味着中国可再生能源的发展将获得更大助力17、。我国政府一直十分注意可再生能源的发展,在党的十四届五中全会上通过的中共中央关于制定国民经济和社会发展“十五”计划和2010年远景目标的建议中,要求“积极发展新能源,改善能源结构”;1998年1月1日起开始实施的中华人民共和国节约能源法明确提出,国家鼓励开发利用新能源和可再生能源。在建设部目前推行的国家康居示范工程中,对新能源的应用有一系列具体的要求。而2005年2月28日第十届全国人民代表大会常务委员会第十四次会议通过,2006年1月1日正式实施的中华人民共和国可再生能源法,更是以法律的形式明确指出,国家鼓励个人和单位使用太阳能光伏发电系统,这将加速这场以太阳能等可再生能源利用为核心的新能源18、革命,从而降低成本,扩大可再生能源应用规模,步入良性循环。对中国最终成为可再生能源发展大国有着非比寻常的意义。 我国太阳能资源充足我国国土面积广大,可再生能源资源品种多,分布广,数量丰富。太阳能年辐射量在3300兆焦/平方米年到8400 兆焦/平方米年之间。其中2/3的国土面积超过6000 兆焦/平方米年(200 瓦/平方米),年日照数大于2000小时,相当于每年2.4 万亿吨标准煤的储量。可以说只要技术可行、成本可接受,如此巨大的太阳能资源的开发利用量是没有上限的。图1-2是我国太阳能分布资源图,由此可见,我国的太阳能市场前景广阔,巨大的市场推动着太阳能电池的发展。黄黄深蓝橘红浅蓝深蓝黄黄深19、蓝浅蓝橘红黄红颜色辐射等级年辐射量(MJ/m2)日辐射量(KWh/ m2)红最好66805.1橘红好5850-6680黄一般5000-5850浅蓝较差4200-5000深蓝很差42003.2资料来源:中国光伏产业发展研究报告图表1-2 中国的太阳能资源分布1.3.3 良好的管理团队和强大的销售网络xx香港有限公司从90年代初期就创建于香港,跟世界多家单晶硅、多晶硅等半导体生产厂家保持着良好的合作关系,诸如,德国waker,美国MEMC,等等,公司近四年来,每年多晶硅销售总额均超过1亿美元。公司形成了有组织管理、综合行政管理、人力资源管理、质量管理、安全管理制度;已经建立强大的销售网络。企业在扩20、张的道路上,完善的管理制度与强大的销售网络,将成为项目建设的有利条件,推动企业快速发展。 1.4 编制依据 中共中央关于制定国民经济和社会发展十一五计划和2010年远景目标的建议国务院2000年以国发200018文鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策 2005年颁布了产业结构调整指导目录(2005年本)1.4.4 中华人民共和国节约能源法1.4.5 2005年2月28日中华人民共和国第十届全国人民代表大会常务委员会第十四次会议通过,自2006年1月1日起施行的中华人民共和国可再生能源法1.4.6 国家发展计划委员会、科学技术部、商务部2004年4月颁发的当前优先发展的高技术产业化重点领域指21、南第78条规定近期产业化的重点之一是高效率、低成本的太阳能光伏电池1.4.7 国家发展和改革委员会和国家经济贸易委员会当前国家重点鼓励发展的产业、产品和技术目录(2000年修订)第六项第4条列出太阳能发电是当前国家重点鼓励发展的产业。1.4.8 泰州xx硅能科技有限公司提供的基础资料及公司现状资料。1.5 研究结果 主要技术经济指标主要技术经济指标见表1-3。表1-3 主要技术经济指标序号名 称单 位 数 据备注18英寸单晶硅片万片1200达产年平均2总投资万元61072.41其中:固定资产投资万元27074.41 铺底流动资金万元339983营业收入万元201600达产年平均4购置土地亩1522、0 5新建建筑m2134046新增员工人2007购置生产设备、仪器数量台(套)161其中进口11台8用电设备装设容量KW120009自来水消耗量M3/h3010压缩空气(CDA)消耗量M3/h240平均使用量11纯水系统M3/h3平均使用量12利润总额万元25042达产年平均13销售利润率%12.42达产年平均14总投资利润率%41.00达产年平均15财务内部收益率%57.89税后16财务净现值(ic=12%)万元60486税后17投资回收期年3.17含建设期18盈亏平衡点%29.82产量表示 研究结论 本项目,产品属于国家加速发展的半导体及新能源可再生能源产业。是我国近期重点发展项目,产品方23、向符合国家产业导向,并且是国家高新技术产业目录指导发展产品。 21世纪将是高新技术的时代,半导体及新能源技术将是21世纪的现代高新技术之一。专家预测今后10年半导体及光伏组件的生产将以30甚至更高的递增速度发展,项目建设具有良好的市场前景。 项目定位在国际先进水平,国内领先水平,满足客户的高端产品,尽可能保持公司技术水平与国际水平同步,以争取先进产品的边际利润。项目引进先进技术与设备,市场以内销为主,出口为辅;既确保了公司国内市场的竞争能力,又为产品增加了利润。 根据测算项目投资回收期3.17年(含建设期),内部收益率57.89%,投资利润率41.00%,盈亏平衡点29.82%。项目具有良好的24、投资效益和抗风险能力。综上所述,项目建设是可行的。第二章 项目承办企业基本情况2.1 公司基本情况简介 泰州xx硅能科技有限公司是由xx香港有限公司出资成立,xx香港有限公司1991年7月16日在香港注册,专业从事硅材料,硅片等的进出口业务,跟世界多家多晶硅生产厂家保持着良好的合作关系,诸如,中美矽晶制品股份有限公司(台湾),绿能科技股份有限公司(台湾),镇江环太硅科技有限公司(扬中),德国Wacker Chemie AG、Siltronic AG,美国MEMC Electronic Materials Inc 等等,公司近四年来,每年多晶硅销售总额均超过1亿美元。2.2 xx香港有限公司与其25、它公司合作情况a、xx香港有限公司促进Suntech Power 有限公司和MEMC之间签订的60亿美元的硅原料供应协议。b、xx香港有限公司与Suntech Power 有限公司以及镇江环太硅科技有限公司签订了供应协议。向镇江环太硅科技有限公司提供硅材。公司每月为Suntech Power 有限公司加工和提供900000片太阳能晶圆。c、xx香港有限公司向中美矽晶制品股份有限公司和绿能科技股份有限公司(均为台湾公司)提供硅材。d、xx香港有限公司与Wacker Chemie AG (Germany)签订了长期的多晶硅购买合同。 第三章 市场需求和产品大纲3.1 市场现状及预测单晶硅具有金刚石26、晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属,且随着温度升高而增加,具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第A族元素,形成P型半导体,掺入微量的第VA族元素,形成N型半导体,N型和P型半导体结合在一起,单晶硅经过切片后,不仅可以做出小到线宽0.11m集成电路芯片,还可以做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。所以单晶硅是一种市场前景巨大的原材料。国际市场需求量预测 .1 半导体产业的国际市场需求量预测全球半导体市场包括集成电路、分离器件、光电器件等,主要地区分布包括亚太、北美、日本、欧洲等四大区域。WSTS资料,2007年集成电路市场增长4.7%,按地区增长最快27、为亚太地区7.0%。WSTS预计,2008年世界半导体增长9.1%,达到2805亿美元的市场。二十年来,世界半导体工业生产及其技术水平迅速发展,市场规模平均增长率达到12%以上,2007年世界半导体规模达到2572.16亿美元左右。图表3-1 全球半導體市場規模统计与預估 (2006-2009)Spring 2007Amounts in US$MYear on Year Growth in %20062007200820092006200720082009美国44,91242,81845,90348,70410.3-4.77.26.1欧洲39,90441,18443,75246,1291.6328、.26.25.4日本46,41848,61350,66252,5765.34.74.23.8亚太116,482124,620140,247150,50312.77.012.57.3地区合计247,716257,235280,564297,9138.93.89.16.2分离器件16,58716,80118,21418,6748.81.38.42.5光电器件16,28015,86617,51818,5489.3-2.510.45.9传感器5,3395,1555,5385,87417.6-3.57.46.1集成电路209,510219,414239,294254,8178.74.79.16.5Ana29、log36,93936,61240,99142,79215.7-0.912.04.4Micro53,93956,25462,22366,317-1.44.310.66.6Logic60,15866,70673,48176,4264.310.910.24.0Memory58,47359,84162,59869,28220.52.34.610.7Total Products - $M247,716257,235280,564297,9138.93.89.16.2资料来源:WSTS(13日 11月 2007年) 现在,中国已经成为全球最大的单一半导体需求市场。根据市场研究公司iSuppli估计,中国30、2007年将消费半导体大约523亿美元,占全球的21%强,2008年将增长12%达到586亿美元。2007年中国生产集成电路制造达到1250亿人民币。基于集成电路的重要地位,发达国家和许多发展中国家(地区)都十分重视集成电路产业的发展,发达国家和地区纷纷制定21世纪的集成电路中长期发展规划,抢占制高点,以掌握未来信息技术核心的主动权。.2 太阳能电池产业的国际市场需求量预测太阳能电池产业的发展速度之快,是现代工业中罕有的。全球太阳能电池产量1996-2006 年10 年间增长26 倍,年复合增长率38%,2001-2006 年5年间年复合增长率42%;太阳能电池年装机量1996-2006年1031、 年间增长22 倍,年复合增长率36%,2001-2006 年5 年间年复合增长率39%。但即便如此,目前太阳能发电占全球能源消耗总量之比仍是微不足道的。德国是全球最大的光伏市场,光伏电池的年发电量已在2TWh(20 亿千瓦时)之上,但光伏发电量占其总发电量仍不到0.5%。所以,太阳能电池的市场空间之大几乎是无限的。进入2006年以来,世界光伏市场和产业在政策法规和各种措施的强力推动下呈快速、增速发展。最近十年的整个产业的发展速度达到37%左右,最近五年的平均增长率为45%,欧洲光伏工业协会的预测为:2020年世界太阳能光伏组件年产量40GW,光伏发电总装机容量195GW,发电量274TWH,32、占全球发电量的1%,太阳能电池光伏组件成本1美圆/Wp;2040年光伏发电量7368TWh,占全球发电量的21%(renewable Energy World,2003),可以预测以后多年来光伏产业一直是世界增长速度最高和最稳定的领域之一,这个领域里太阳能级单晶硅将凭借它独特的优势稳步发展。太阳能单晶硅占太阳能市场的百分比如图3-2。CdTe2%非晶硅5%其他3%单晶硅38%多晶硅52%图3-2 2005 年太阳能电池市场各技术占比 国内市场需求量预测 .1 半导体产业的国内市场需求量预测目前,世界集成电路生产线共有1110条左右,主流工艺特征尺寸是8-12英寸0.13-0.25微米工艺技术,33、生产能力为每条线月投片3-5万片。集成电路产业的主要生产基地仍然集中在美国、日本、韩国和中国台湾地区。我国也十分重视集成电路产业的发展,2000年国务院出台18号文鼓励发展软件和集成电路产业。至2006年,我国集成电路设计、制造取得明显进展,2006年集成电路产业共实现销售收入1006.3亿元,同比增长达到43.3%;集成电路总产量达到335.8亿块,同比增长28.6%。IC设计、芯片制造与封装测试行业都有较快的增长。IC设计业在前几年高速增长的基础上依旧保持了较快增长的势头。在IC卡、手机、MP3等市场快速成长的带动下,IC设计企业共实现销售收入186.2亿元,同比增长49.8%。封装测试业34、共实现销售收入496.6亿元,同比增长43.9%,是近几年增长最快的一年。芯片制造业方面,在全球芯片代工市场持续增长以及国内设计业规模不断扩大的带动下,芯片制造企业销售收入持续增长,2006年芯片制造企业共实现销售收入323.5亿元,增幅为38.9%。随着世界集成电路技术及应用的发展,集成电路产业链分工不断细化,整个产业逐步分化为设计业、制造业、封装测试业以及为整个产业提供专用设备和材料为主体的支撑业等相对独立而又相互关联的业务。集成电路厂商也随之从最初的IDM单一形式,逐步分化出了设计(Fabless)和代工(Foundry)等企业形式。2006年,集成电路代工企业生产了约占全球15%的集成35、电路芯片。由于我国是电子终端产品生产大国,集成电路消费市场约占全球市场的1/4左右(中国半导体市场与全球半导体市场对比见下图),但我国集成电路自给率仍然很低,自给率水平在20%左右,国内设计、生产的集成电路产品技术水平仍然差世界水平1-2个世代,生产企业的规模小,一般在世界规模的1/30左右。10大半导体公司对比见下图,可见,国家仍然需要大力发展集成电路产业。图表3-3 中国占全球集成电路产业的市场.2 太阳能电池产业的国际市场需求量预测近年来,我国光伏产业得益于国外市场的增长,进入了快速发展期,新的太阳能电池、组件和材料市场纷纷建立,产能接近800MW,成了国际光伏产业的一支重要力量。根据我36、国光伏发展计划,到2010年,我国光伏发电总容量达到300MW,到2020年,我国光伏发电总容量达到1600MW,实现这一目标,将需要硅材料约2万多吨,硅方片为50000万片。直接拉动我国的硅材料市场,市场前景非常广阔。我国每年都从石英石中提取大量98纯度的工业硅,以较低的价格出口到德国、美国和日本等地,这些国家把工业硅加工成99.9999纯度的多晶硅,再以高出原料价数十倍甚至近百倍的市场价格,卖给我国太阳能企业。 国内单晶硅发展现状:(1) 生产能力与产量 根据不完全统计,全国硅单晶的生产能力为35000余吨,在此产量中多半是出口,其中太阳能用硅单晶近几年在2800吨以上。生产的单位主要有河37、北晶龙、上海硅材料厂、峨眉半导体厂、洛阳单晶硅厂、浙大半导体厂、开化601厂、明成电子材料厂等。 (2) 直拉与区熔单晶的比例 根据有关统计资料显示,我国国内直接与区熔单的比例(70:30)(80:20)的范围内。这就是表明我国分立器件仍占很大比例,在世界范围内区熔单晶仅占硅晶体材料总量的6%8%。 (3) 不同直径硅单晶的比例我国近几年来直拉硅单晶不同直径所占比例。我国硅单晶的直径以6(150mm)为主,在世界范围内,则以8(200mm)为主。国内太阳能产业受国家产业政策的支持,得到蓬勃的发展,对原材料的需求很大,作为太阳能电池的最重要原料,太阳能级单晶硅片的国内市场是非常巨大的。3.2 现38、有生产能力估计 半导体行业现状 目前国内集成电路芯片制造行业整体技术水平的继续提升,使我国集成电路制造工艺技术水平达到8-12英寸为主体的时代。随着海力士-意法在无锡的12英寸与8英寸生产线的建成投产,上海中芯国际8厂投产,国内12英寸芯片生产线已经有3条,8英寸芯片生产线已经达到10条。从数量上看,国内8-12英寸芯片生产线已经占国内芯片生产线总数的三分之一强。而从产能上看,8-12英寸芯片生产线产能在国内晶圆总产能中所占的比重则已经超过60%。2007年初intel公司宣布在大连兴建12英寸芯片生产线,以及2007年底建成投产的国内第一条45nm芯片成产线在上海量产,以及武汉12英寸生产线39、进入工艺设备的安装阶段;可以说,8英寸及以上的高端生产线已经开始成为国内芯片制造行业的主体,国内芯片制造行业开始迈向高端。2007年集成电路保持持续发展。据统计,2007年1-6月份国内集成电路总产量达到192.74亿块,与2006上半年相比增长15.2%,全行业实现销售收入总额607.22亿元,同比增长33.2%。我国集成电路近年销售收入及增长见下表:图表3-4 中国集成电路销售与增长情况 太阳能电池现状 我国在20012010年内的硅市场需求增长很快,近年来我国的硅材产业虽然发展较快,品种已经比较齐全,有多晶硅、直拉单晶硅、区熔单晶硅、外延片和非晶硅。单晶硅 从1995年开始,中国硅单晶的40、年均增长速度约为30%,在短短几年中,我国内地硅单晶的年产量增长了2030倍。受太阳能电池快速发展的拉动,我国的硅材料产品中相当大一部分是分立器件用硅片。但是我国硅工业所面临的形势是相当严重的,主要是: (1) 国际上的强大竞争对手,现有6家跨国公司占领着市场的近85%,他们在资金、技术上均有强大的优势; (2) 在我国周边国家和地区内,如韩国、台湾地区、马来西亚均设有硅材料生产基地,年生产能力总计已达9亿平方英寸; (3) 我国硅材料生产所需的设备,特别是先进的大直径设备几乎全部靠进口; (4) 我国硅单晶生产约占世界产量的2%左右,它在世界市场中只起到填补小直径产品的空缺和补充市场临时急需41、的作用。 目前大约有几十家企业正在抓紧太阳能电池生产线的建设,随着国内太阳能电池市场迅速打开,国内的太阳能电池的生产能力还会有较大幅度的提高。3.3 市场前景分析 产品竞争能力分析 本项目最终产品为单晶硅片,是整个产业链中的中间环节,根据产品大纲,项目满产后本项目能满足产业链的需求,有很好的规模效益及经济效益,具有很好的抗风险能力。 产品目标市场 本项目产品主要为国内销售,部分产品全部在国外销售。3.4 产品大纲 本项目生产线代表产品见图表3-2。表3-2 产品大纲序号产品产品型号单位产量1 8英寸单晶硅片156156万片1200第四章 技术与装备4.1 产品简介 产品关键技术单晶硅的制法通常42、是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。切片就是将单晶硅棒去头去尾后,用切割机切成所需要尺寸的单晶硅片。其主要生产技术xx香港有限公司自行提供,xx香港有限公司技术专家团队在单晶领域积累了丰富的生产经验和雄厚研发能力,培养了大批生产人员和研发人员,本项目产品关键技术为: 晶体硅生长技术:热场设计,磁场控制,连续加料,缺陷,氧含量控制。硅片加工技术:线切割,内圆切割,倒角,研磨,清冼。4.1.5.产品技术指标本项目产品为太阳能电池用硅单晶片。技术参数如表4-1:表4-1 8寸单硅单晶切磨片技术参数序号项目技术参数1直径 :156*1562厚度 :250 土2043、m3总厚度变化:0.03mm4导电参数:p 型5电阻率:0.53.0cm6少子寿命:大于 10 s7氧含量:1.0 1018atoms/cm38碳含量:5.0 1016atoms/cm39晶向 :111 1.5010位错密度 : 3000 个 /cm34.2 工艺流程4.2.1 主要生产工艺.1单晶生产工艺硅单晶按晶体生长方法的不同,分为直拉(CZ)和区熔(FZ)两种。由于成本和性能的原因,CZ材料应用最广。本项目采用的是直拉法生产单晶棒。单晶硅的生产是采用高纯度多晶硅为原料,在直拉单晶炉内将多晶硅熔化,熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,44、则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。本项目晶体生长采用直拉法(CZ)将多晶硅拉制成单晶硅锭,以满足得到不同的中间产品,主要生产工艺:原料碎料腐蚀、清洗干燥加料熔化缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长切断 送检 进入中转库。主要工序简介如下:1)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定,杂质种类有硼,磷,锑,砷。2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420)以上,将多晶硅原料熔化。3)缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时45、的热应力,会使籽晶产生位错,这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到一定大小(4-6mm)由于位错线与生长轴成一个交角,只要缩颈够长,位错便能长出晶体表面,产生零位错的晶体。4)放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。5)等径生长:长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径维持在正负2mm之间,这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。6)尾部生长:在长完等径部分之后,如果立刻将晶棒与液面分开,那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生,必须将晶棒的直径慢46、慢缩小,直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。.2切片生产工艺将单晶硅棒去头去尾后,用切割机切成所需要尺寸的单晶硅片,在经过倒角、腐蚀清洗、检测等工序后,包装入库。主要生产工艺程序为多晶硅棒切断外径滚磨平边或V型槽处理切片倒角-清洗包装。主要工序简介如下:1)切断:目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分,将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度,切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量2)外径磨削:由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大,通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。3)切片:指47、将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片4)倒角:指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形,防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生,增加磊晶层及光阻层的平坦度。5)清洗:在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗,本次清洗目的在于清除晶片表面所有的污染源。 工艺流程 单晶硅生产的工艺流程如图多晶原料清洗多晶料干燥加料熔化缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长生长完成送检中转库图表41 单晶硅生产工艺流程图切片生产工艺流程如图表4-2。切断晶中转库晶中转库外径滚磨平边 V型槽切片倒角清洗晶片检验、包装、入库单晶棒图表42 切片工艺流程图4.3 设备选型 设备选型原则本项目的工艺设备选型原则:在保证产品质量和生产能力以及48、研究发展的前提下,选择性能价格比高的工艺设备。工艺设备主要为国产,部分设备为进口,设备生产能力和技术指标能够保证生产要求。4.3.2 主要设备和仪器本项目共需购置主要工艺设备仪器155台(套),其中进口设备仪器13台(套)。新增设备仪器详见表4-2和4-3。表4-2 单晶生产线进口工艺设备清单序号设备名称型号规 格产地单位数量价格(万元)单价合计1多线切割机NTC-442日本台1030030002氧/碳测试仪美国台11301303剖方机NTC-MBS1000日本台26001200合 计134330表4-3 单晶生产线国内工艺设备清单序号设备名称型号规 格产地单位数量价格(万元)单价合计1单晶炉49、FT-CZ2008中国台4018072002主真空泵2H70中国台402803单晶棒带锯机GF1046中国台415604单晶棒滚圆机SYQX-300中国台68485单晶清洗系统十工位中国套13101306超声清洗机九工位中国台714987硅片甩干机中国台710708硅片厚度测试仪ADE6034中国台5201009硅片自动分选仪ADE7200中国台511055010X射线晶体定向仪YX-2中国台1151511电阻率测试仪中国台51.57.512砂浆搅拌中国套62012013硅片寿命仪WT-2000中国台110010014叉车中国台21020合 计1428598.5第五章 物料供应和公用设施5.150、 物料消耗本项目是使用多晶硅的边角料来做生长单晶硅的原材料,大幅度降低了成本。主要原材料消耗如表5-1表5-1 主要原材料消耗表序号名 称单位数量来源1单晶硅吨702国内2硝酸(65%)升5383国内3氢氧化钠吨11.2国内4石英坩埚只14584国内5金刚砂吨598国内6碳化硅吨42国内7线切削液吨73.5国内8切削液吨105国内9工作线千米114国内10石墨件只910国内11工作线轴400进口12切削滑轮片3540进口5.2主要动力要求本项目主要能源为电、水、天然气以及各种大宗气体。主要能源消耗见表5-2。表5-2 主要能源消耗表序号系统单位容量备注1自来水M3/h302纯水M3/h33装设51、功率KW120004循环冷却水M3/h4805压缩空气M3/h2405.3 仓储及运输 仓库本项目原材料库、成品库及包装材料库位于仓库内。运输本项目原材料及成品的厂外运输主要由汽车和铁路运输。运输力量主要委托社会运输部门承担,本项目不另购买运输车辆。生产过程中的厂内运输主要考虑手推车和电动叉车。第六章 建厂条件与园区布置6.1厂址条件 厂区位置本项目位于江苏泰州经济开发区内,西至328国道,南至凤凰西路,北至泰州宇宙鸿泰焊材有限公司,大约占地150亩。自然条件累年最冷月(1月)平均温度 2.5累年最热月(7月)平均温度 28.4冬季室外风速m/s 3.9夏季室外风速m/s 3.3冬季主导风向 52、西北夏季主导风向 东南年主导风向 东南Ye冬季大气压力kPa 102.77夏季大气压力kPa 100.376. 2 市政配套本项目位于江苏泰州经济开发区内,泰州市位于江苏省中部,(详见区域位置图)是长三角经济圈中的重要城市之一,历史悠久,人文荟萃。泰州经济开发区是1992年成立的省级经济开发区,处于泰州市主城区发展的主方向上,是泰州城区延伸和发展的核心区域,目前已形成机电、化工、纺织、食品、轻工、医药、建材等为主体的支柱行业,云集了德国、日本、韩国、港澳台地区以及国内的大量高端企业。泰州经济开发区已经成为泰州市乃至江苏省经济最活跃、发展速度最快的区域之一。江苏泰州经济开发区现有光纤网络,供电,53、水,蒸汽,天然气等配套动力设施,满足兴建高科技企业的要求。第七章 项目建设方案7.1项目的构成和范围项目设计内容本项目购置生产线的设备、仪器,形成年生1200万片半导体、太阳能级单晶硅片生产能力。主要内容如下:购置土地108亩;作为本项目的实施用地;建设生产、办公及辅助用房面积约27694.2m2。l 购置主要生产用进口及国产设备仪器155台(套)。 项目设计范围本项目为建设太阳能级单晶硅片生产建设项目。项目设计范围主要为单晶硅棒生产厂房、单晶硅片加工生产厂房、仓库、废水处理站等相关的总图、工艺、土建、给水排水、通风空调、气体动力、电气等内容。7.2生产环境要求太阳能级单晶硅片生产环境对产品的54、良品率有一定影响,故在充分保证工艺生产环境需要的基础上,并结合职业安全和卫生的需要,尽量降低环境的要求,以减少工程投资和运行成本。7.3 总图本项目用地108亩,整个场地呈直角梯形。建筑规划建筑占地面积约10104m2,总建筑面积13404m2。规划建筑及数据见表7-1。表7-1 本项目规划主要建筑数据表建筑名称楼层建筑面积()占地面积()1办公楼(一期)318006002办公楼(一期)318006003单晶车间(一期)2559027904车间(一期)24522.82252切割车间(一期)212352.46110腐蚀车间(一期)21629815合计27694.213167按功能分区大致可分为厂55、前区、生产区部分。根据太阳能级多晶硅片生产的工艺特点,并考虑环保以及消防和厂内管网敷设等方面的要求,生产厂房布置在厂区的南面。厂区主干道为8m,次道路为6m,各建筑物之间的间距均符合消防防火规范要求。建筑四周均有加宽环行道路相连。总平面图详见附图。7.4 土建本项目主要建筑共计5栋,分别为预处理车间、单晶硅棒生产厂房、单晶硅片加工生产厂房、仓库、废水处理站。l 预处理车间该建筑为单晶硅预处理车间,单层。该建筑生产类别为丙类,耐火等级二级。整个建筑长宽约为110m25.2m,建筑占地面积2772m2 ,建筑面积为2772 m2。采用钢筋混凝土框架结构。l 单晶硅棒生产厂房该建筑为单晶硅棒生产厂房56、,分为二层。该建筑生产类别为丙类,耐火等级二级。整个建筑长宽约为110m30m,建筑占地面积3300m2 ,建筑面积为6600m2。采用钢筋混凝土框架结构。l 单晶硅片加工生产厂房该建筑为单晶硅片加工生产厂房,单层。该建筑生产类别为丙类,耐火等级二级。整个建筑长宽约为110m25.2m,建筑占地面积2772m2 ,建筑面积为2772 m2。采用钢筋混凝土框架结构。l 仓库该建筑为钢筋混凝土结构,长宽约为36m27m,单层,采用69m的柱网,建筑耐火等级二级,建筑占地面积972m2 ,建筑面积为972 m2。l 废水处理站该建筑为钢筋混凝土结构,长宽约为24m12m,单层,采用86m的柱网,建筑57、耐火等级二级,建筑占地面积288m2 ,建筑面积为288 m2。7.5通风、空调 通风.1 局部排风生产区排风主要分为酸性排风、热废气排风和排烟。l 酸性废气排风系统酸性排风系统由酸性气体洗涤塔、排风机、喷淋装置、碱液供给装置和排风管等组成,该系统主要用于工艺设备的酸性废气、化学品和气柜废气排风, 排风量为36720 m3/h。酸性废气在洗涤塔内经碱液喷淋吸收处理后,达到国家排放标准,再排入大气中,排风管为玻璃钢风管。废水处理站排风属腐蚀性排风,但腐蚀性气体含量非常稀薄,故不经处理直接排入室外大气中,风管材质为防腐的玻璃钢材质。l 粉尘废气排风系统粉尘废气排风系统主要用于设备产生的少量粉尘废气58、,排风量为4320 m3/h,不含有其他有毒或腐蚀性物质,通过吸附粉尘排入大气中,风管材质为镀锌钢板。l 一般废气(热废气)排风系统一般废气(热废气)排风系统主要用于排除工艺设备散发的一般废气和热废气,不含有其他有毒或腐蚀性物质,故直接排入大气中,排风量为18000 m3/h,风管材质为镀锌钢板。.2 全室通风试剂暂存间、大宗气体管道入口等房间均采用全室通风。动力站房、备品备件库、维修间等采用轴流风机进行全室通风。 空调.1 生产厂房内的空调系统主厂房拉单晶生产区、切片、清洗等为有工艺要求温湿度的空调房间;其余生产房间为舒适性空调区域。有工艺要求温湿度的房间采用新风机组加小循环机组的形式;其余59、舒适性空调设置全空气系统。办公区采用VRV空调系统。主厂房内有工艺要求温湿度房间气流组织采用上送下回。空调系统送风经初、中效两级过滤,旋流风口送风,百叶回风。小循环机组放置在厂房上部,接管至风口送风回风。其余房间采用散流器送风,百叶回风。.2 舒适性空调系统办公区采用新风+风机盘管空调系统,非净化车间舒适性空调系统由组合式空调系统组成。为满足车间温度、湿度要求设置组合式空调系统。新风与回风混合,经处理后,由风机送到末端散流器送入生产区;回风经回风管回到空调机组。组合式空调机组由以下部分组成:新风回风混合段、初效过滤段、冷盘管、热盘管、蒸汽加湿段、送风机段、中效过滤段等。 冷、热源空调冷源为动力60、厂房提供的7/12冷冻水。空调热源为动力厂房提供的52/60热水。7.6 气体动力 气体动力用量图表7-4 气体动力用量序号气体动力名称参数要求单位用量备注1压缩空气(CDA)露点-40,终点过滤0.01mm3/h2407.6.2 空压站空压站设在动力生产区,除满足厂房内工艺生产用气外,还向纯水站提供干燥压缩空气。本项目拟选用2台无油水冷螺杆空压机,在1.0Mpa压力下排气量3N m3/min,通过微热再生分子筛干燥装置,使压缩空气露点温度-40,以满足工艺用气的要求。7.7 给水排水 给水系统给水水源为城市自来水,厂区引入两根DN300mm的给水管,并在厂区内部形成环网。生活用水标准:50L61、/人班,K=1.5;生产用水标准:以工艺设备使用量为准。室外消火栓用水量:40L/S,144 m3/h,288 m3/次;室内消火栓用水量:15L/S,54 m3/h,108 m3/次;自来水最大用量30 m3/h, 720 m3/d。本项目与其他项目设消防共用水池,容积300 m3。 纯水系统本项目工艺中需要电阻率10.1Mcm(25时)的纯水,最大用量3 m3/h。纯水系统制备过程包括自来水经机械过滤、活性碳过滤、RO保安过滤器过滤,循环回水再回至终端纯水箱。 循环冷却水系统循环冷却水系统包括工艺设备用低温冷却水系统和动力设备用常温冷却水系统。工艺设备用循环冷却水用量480 m3/h,供水62、温度2429,回水温差5,水压0.56Mpa。冷却水系统经板式换热器降温后由循环冷却泵加压供给工艺设备,回水流入循环水箱作下一次循环使用。动力设备用常温冷却水采用自来水,供水温度3237,回水温差5,水压0.35Mpa。常温冷却水系统为开式循环系统,自来水经冷却塔降温后由循环冷却水泵加压供给动力设备,回水再流入冷却塔作下一次循环使用。 消防本项目主要消防设施有:室外消火栓给水设施、室内消火栓给水设施、室内自动喷洒灭火给水设施、手提式灭火器等。.1 室外消火栓系统室外消火栓给水系统与室外生产生活给水管道系统合用,在厂区内形成环状管网,室外每隔100m左右设置地下式室外消火栓。.2 室内消火栓系统63、在厂区内各主要建筑均设有室内消火栓消防系统。在动力厂房的消防泵房内设有消火栓加压泵,消防泵从生产消防联合水池吸水,加压后以两路DN100出口与厂区室内消火栓管网相连接,并两路送至厂区内各主要建筑物。室内消火栓箱内设有电动报警控制按钮。.3 灭火器配置为扑灭初期火灾,各建筑内配置手提式二氧化碳灭火器,防于灭火器箱内,并作明显标志。在变电站还配置推车式二氧化碳灭火器。 排水系统排水系统采用分流制,分为生活污水、生产废水和雨水。.1 生活污水生活污水中的含油污水先经隔油池除油后,排入室外生活污水管网,与粪便污水和一般盥洗污水一起进入生活污水处理装置,处理达标后再排放市政污水管网。.2 生产废水根据生64、产废水的性质分类如下:酸碱废水类:生产厂房工艺酸碱废水,酸碱废水排放量约6 m3/h。其中酸碱废水经中和反应池,调节PH值,达标后排放。含硅粉废水主要是切片过程中产生的冲洗废水,废水成分是硅粉悬浮物。该废水处理流程图如下:含硅粉废水调节池沉淀池絮凝剂沉清池达标排放板框压滤机泥饼外运调节PH污泥以上处理流程均为暂定,待有关部门环境影响报告书评审通过后再做进一步完善、调整。.3 雨水室外雨水经管网汇集后排入市政雨水系统。7.8 电气 供电本项目用电负荷性质为一、二级负荷,其中消防负荷、应急照明等为一级负荷。本项目用电设备装设功率12000KW,变压器总装设功率10000KVA。 电照低压配电系统(65、380/220V)带电导体采用三相四线制,接地采用TN-S系统。配电方式采用树干、放射式混合配电系统。生产厂房内设置保护接地、抗电磁干扰接地、防静电接地、共用接地装置等。厂房内基本采用荧光灯照明(照度可分区控制),各区域照度如下:空调生产区 400Lx走道及更衣室 250Lx办公区 300Lx动力区 150Lx除一般荧光灯照明外,在消防值班室及生产区内设置应急照明灯,在主要出入口、疏散走廊设置应急标志灯。 控制系统全厂动力设施监控系统(FMS)包括:中央监控工作站、现场控制器、过程仪表及执行机构、控制电缆及附属设备。7.9 通信、信息 火灾报警、联动控制系统生产厂房、动力厂房设置火灾报警、联动66、控制系统。报警监控中心设在总厂的消防值班室内,由专人24小时值班。各报警区域设智能离子感烟探测器及相应的模块等设备,适当的地方设置手动报警按钮及声光报警器。配套消防联动控制系统在火灾时自动(或手动)启动各干、湿灭火系统,切断空调系统及火灾影响区所有非消防电源。 广播系统广播系统由普通广播及应急广播两部分组成。普通广播设备设在广播站,应急广播设备设在消防值班室内,平时进行普通广播,火灾时自动切换到应急广播,疏散人群和组织救火。 安全系统在办公、生产及其它一些重要部门、重要房间的入口处设置门禁控制系统。 CCTV系统在主厂房及其它一些重要部门设置安全监控电视系统,控制中心设在报警监控中心。第八章 67、组织机构、劳动定员和人员培训8.1 组织机构 组织机构见图8-1。图8-1 公司组织机构图:总经理销售部外贸部技术部质检部研发中心生产供应部副 总常 务 副 总市 场 部企 管 部办 公 室副总财务部配套部董 事 会8.2 劳动定员本项目共需人员200人,其中:管理人员:5人;技术人员:25人;生产人员:170人。为使设备充分使用才能达到经济效益,公司将以24小时运作,采用四班三运转制。人员严格遵守工厂的文件规范纪律,以减少操作上的疏失。项目所需管理和技术骨干主要由投资人派遣,其余大部分由招聘解决;一般技术人员和技术操作工人由公司招聘和定向培训解决。8.3 人员培训泰州xx硅能科技有限公司长期68、注重企业自身的技术发展,公司内部成立有专门的研发部门和技术中心,定期对人员进行培训。生产一线工人从大专、技校或职高毕业生中择优录取,要求通过培训,熟悉单项工序,保证安全生产。第九章 项目实施进度计划 9.1项目建设工期本项目建设包括工程前期、工程设计、引进设备考查、签约、国内设备采购、设备安装、设备调试、试生产等过程。从工程设计到工程竣工验收预计为12个月,为了加快生产厂房的建设,集中财力和人力,组建生产线,尽快产生经济效益,本项目先期实施与生产有直接关系的厂房,将科研办公楼置于建设的后期实施。其中工程设计和厂房施工约10个月,设备安装调试2个月,试生产1个月。9.2进度计划安排项目进度计划根69、据总建设工期编制,影响本项目进度计划的主要因素是引进设备的落实。泰州xx硅能科技有限公司抓紧设备的考察、技术/商务谈判,并抓紧进行国内设备的选型采购工作,以便确保项目进度计划实施,缩短建设周期,尽早发挥项目效益。详细实施计划见图表9-1。图表9-1 项目实施进度计划序号时 间工作内容进 度(月 序)12345678910111213141编制并上报可行性研究报告2可行性研究报告批复3引进设备技术谈判4引进设备商务谈判与签约5工程设计6人员培训7土建施工8设备采购10设备安装与调试11试生产12竣工验收第十章 项目投资估算与资金筹措10.1 固定资产投资估算10.1.1建设投资估算范围本项目建设70、投资估算范围包括工艺设备仪器购置安装费、动力设施购置安装费、建安工程费、其他费、预备费等。项目建设投资按8英寸单晶硅切磨片1200万片/年的生产量进行估算。建设投资估算为27074.41万元。10.1.2建设投资估算办法及说明进口设备价格参考厂商报价计算,进口设备价为(FOB)价,另按有关规定计算海运费4.4%、海运保险费0.2924%、公司手续费1.5%、银行手续费0.4、进口设备检验鉴定费0.30。设备运杂费按1.0%,设备安装费按1.5%计算。本项目按免征关税及进口环节增值税计。外汇汇率按1美元=7元人民币。国内设备按设备清单价逐台计算。设备运杂费设备按5%,设备安装费按2%计算。动力设71、备费:(包括变配电设备、冷冻设备、空压设备、纯水设备、废水设备)根据动力配置,按现行市场价格计算,并同时计算了5%的设备运杂费及10%的安装费。建筑工程费:根据当地造价水平及项目建设内容进行估算。其它工程和费用:其它费用的估算主要包括建设单位管理费、可研报告编制费、环境评价费、勘探设计费、工程监理费、安全评价费、征地费、培训费、城市配套费、试车费、办公及生活用具购置费等。预备费:按工程费和工程建设其他费用(扣除征地费)的6%计算。10.1.3建设投资估算结果本项目建设投资估算为27074.41万元。投资估算结果见表10-1及附表1。表10-1 建设投资估算表序号名 称单位(万元)其中:万美元比72、例%1建筑工程费3890.3314.372工艺设备及安装工程17313.22429.8063.953动力设备及安装工程2414.438.924工具器具费163.070.605其它工程和费用1834.5420.236.776预备费1458.8227.005.39 投资合计27074.41477.0310010.2流动资金估算流动资金根据企业生产情况估算,流动资金33998万元。10.3总投资总投资为61072.41万元,其中: 建设投资27074.41万元 流动资金33998万元10.4资金筹措10.4.1建设投资筹措项目建设投资27074.41万元,由企业自有资金解决。10.4.2流动资金筹措73、流动资金33998万元,申请银行贷款解决。银行贷款利率为7.47%。第十一章 经济分析11.1 基本数据11.1.1生产规模项目计算期6年,包括建设期1年,投产期1年,满负荷生产期4年。各年产能见表11-1。表11-1 生产规划表 单位:万片序号产品名称投产1年达产年18英寸单晶硅切磨片9601200合 计960120011.1.2产品总成本(达产年)外购原材料费:按2030元/片计算。燃料及动力费:达产年21938万元/年。工资及附加:达产年生产及管理人员200人,根据公司现有工资及附加平均水平,适当考虑未来工资的增涨,达产年生产人员工资408万元/年。折旧与待摊费用:固定资产折旧按直线折旧74、法,残值率10%。设备按5年折旧,厂房按20年折旧,动力设备按10年折旧,递延资产按5年摊销、土地按50摊销。生产设备折旧及摊销达产年3814万元/年。其他制造费用:包括一般材料消耗、低值易耗品消耗、劳动保护费、运输费、保险费、试验检验费等。修理费及备件:根据同类企业生产情况,按设备折旧值的30%进行计算。营业费用:取营业收入的1%进行财务分析。其他管理费用:综合考虑了公司经费、工会经费、劳动保险费、房产税、车船使用牌照税、招待费、顾问费、管理费、管理人员的工资等。估算项目管理费用达产年为1613万元。11.1.3营业收入本项目销售价格是综合预测今后市场的发展趋势确定的,产品售价详见营业收入、75、营业税金及附加和增值税估算表(详见表11)。达产年平均营业收入为201600万元。11.1.4产品营业税金及附加根据财政部、国家税务总局财税20081号“关于企业所得税若干优惠政策的通知”,本项目享受优惠政策增值税即征即退政策所退还的税款,按免征计算。11.1.5所得税自获利年度起,第一年和第二年免征企业所得税,第三年至第五年减半征收企业所得税,税率按12.5%计算。11.2 财务评价11.2.1 财务盈利能力分析财务内部收益率: 57.89%(税后)财务净现值:60486万元(税后i = 12%)投资回收期: 3.17年(含建设期)11.2.2 不确定性分析盈亏平衡分析(以达产年为例)CFB76、EF = 100 % = 29.82% SCVT当产量达到设计生产能力的29.82%时,项目即可不亏不盈。敏感性分析项目实施过程中有很多因素可能发生变化,现就建设投资、经营成本、销售价格发生10%变化时,对财务内部收益率的影响进行分析表明销售收入对项目影响较大,销售收入减少10%时,内部收益率为11.41%。分析结果见表11-2。表11-2 敏感性分析表序号项目 变化内部收益率财务净现值总投资回收期基本方案57.89604863.171建设投资+10%53.60580693.272-10%62.82629033.093销售收入+10%108.321221582.304-10%11.14-11877、65.515经营成本+10%18.1583946.256-10%100.301125782.4311.3经济分析主要结果表11-3 经济分析主要结果序号项 目 单位数据和指标备 注1项目总投资万元61072.411.1建设投资万元27074.411.2流动资金万元339982营业收入万元201600达产年平均3利润总额万元25042达产年平均4投资回收期 年3.17含建设期5内部收益率 %57.89所得税后6财务净现值(i=12%)万元60486所得税后7销售利润率%12.42达产年平均8投资利润率%41.00达产年平均9盈亏平衡点%29.82生产能力表示11.4综合评价经济分析主要结果表明该78、项目财务内部收益率为57.89%,3.17年(含建设期)可收回全部投资,不盈不亏时的最低产量为设计生产能力的29.82%,本项目在财务分析上各项指标均满足基本要求,经济效益上是好的。第十二章 风险分析与对策12.1经营风险 市场风险半导体集成电路及太阳能光伏电池产业是市场前景广阔的“朝阳产业”,已经被国际经济界定义为人类历史上第四次产业革命,除了符合国家高科技及能源发展战略外,其产业的关联度非常大,辐射带动作用强,市场应用广泛,作为国家级的发展经济建设的巨大切入点,将促进整体产业升级。大力发展半导体集成电路及太阳能光伏电池产业既是高新技术市场的需要,也是国家能源战略安全的需要,半导体集成电路及79、太阳能产业技术发展,是对实现经济可持续发展目标的强力推动。由于我国是电子终端产品生产大国,集成电路消费市场约占全球市场的1/4左右,但我国集成电路自给率仍然很低,自给率水平在20%左右,国内设计、生产的集成电路产品技术水平仍然差世界水平1-2个世代,生产企业的规模小,一般在世界规模的1/30左右。所以半导体行业的前景看好,市场风险不大。我国有着丰富的太阳能资源,太阳能年辐照总量每平方米超过5000兆焦耳、年日照时数超过2200小时以上的地区约占我国国土面积的三分之二以上;若将全国太阳能年辐照总量的百分之一转化为可利用能源,就能满足我国全部的能源需求。近两年,全国光伏产业以年均60%以上速度高速80、增长。自1999年以来,世界光伏电池的产量就以3040的高速递增,近年来我国的光伏产业在国外市场的拉动下发展迅速,涌现出了无锡尚德、南京中电光伏、宁波太阳能等多家具有20MW以上规模的太阳能电池生产企业,但仍不能满足市场的需求。 由于光伏产业是非资源限制产业,故太阳能电池行业的前景看好,市场风险不大。 原材料供应风险在整个半导体及光伏产业链中,硅料是进入壁垒最高的环节,目前最上游提供太阳能电池级硅材料(纯度为99.99999.9999%)的专业生产厂商只有一家美国企业Solar Grade SiliconLLC ,另外还有3家生产半导体级多晶硅(纯度为99.999999%99.9999999%81、)的厂商也生产太阳能电池级硅材料:日本的Tokuyama、美国的Hemlock 及德国的Wacker,以及新进入的JSSI、ELKEM。国际市场预计,太阳能多晶硅将会在0810 年持续紧张,多晶硅将成为制约光伏产业发展的最终瓶颈。受制于硅料瓶颈,未来几年,半导体、太阳能电池组件厂商的开工率将逐年下滑,实际产量仍难以满足需求30以上的增长。但在硅片生产方面,国内拉单晶的技术比较成熟,在生产装备上已经完全实现国产化。同时本项目主要原材料基本上从xx香港有限公司拥有的购销网络采购。因此,原材料的供货及库存周期较短、运输成本低,对本项目运行风险降低。 产品技术、质量风险此外,产品技术质量也是本项目所存82、在的主要经营风险之一。由于半导体集成电路及光伏发电是新型产业,相关技术人才缺乏,导致流动频繁。人才的流失是企业必须面临的问题。大多数企业本身并没有自己的研究团队,基本上通过与相关研究所与研究机构进行技术上的合作,有较强研发力量的半导体拉单晶硅、多晶硅企,如中美矽晶制品股份有限公司(台湾)、绿能科技股份有限公司(台湾)、镇江环太硅科技有限公司(扬中)、德国Wacker Chemie AG、Siltronic AG,美国MEMC Electronic Materials Inc等。中国将成为国际上最大的芯片代工及电池片的生产国。泰州xx硅能科技有限公司必须加大技术投入,加快技术进步,不断推出符合市83、场需求的新产品,适应市场对高质量的要求。同时加快技改步伐,加快建设速度,扩大生产规模,降低生产成本,迅速占领国内外市场份额,以增强市场竞争的抗风险能力。12.2管理风险泰州xx硅能科技有限公司的管理体系除沿用xx香港有限公司已建立的管理体系外,还将引入新的管理体系。公司已经建立起了一整套法人运行机制,但随着企业规模的不断扩大,企业机制和管理模式可能会制约企业决策的及时性。面对日益严峻的竞争形势,公司在企业机制和运作模式上进行了改革,并建立了符合产业化生产的内部控制制度、内部稽核与管理制度、会计制度。通过经营管理制度创新以及组织化运作,强化了各部门的执行功能与作业效率,降低人为的失误和错误,以增84、强公司对市场变化的快速反应能力。随着公司生产规模的不断扩大,其原材料等供给必须采取多家、多国供货渠道进行全球采购,以避免因政治、经济、外交及市场波动等因素带来的影响,这样不仅保证了公司产品质量,还将为降低产品成本,提高竞争力打下基础。在用人方面应贯彻以人为本的理念。生产能力的发展决定着经济的发展,而人又是生产力中最活跃的因素。人有感情、有创新、有激情、有积极性,也有惰性,可塑性强。因此,公司应始终坚持“以人为本”的管理思想,坚持尊重人,理解人,关心人的原则,强调管人、管事、管思想相结合。以做好员工思想政治工作为手段,通过多种形式的活动为载体,做好人的工作。并为各种层次的人才搭建施展才能的平台,85、从而充分调动广大员工的积极性和创造性,不断增强公司的内聚力,为公司发展提供有力的保证。12.3财务、金融风险本项目设备、仪器大部分为国内购买,部分为进口,设备、仪器的采购拟通过招标多家询价,综合比较。泰州xx硅能科技有限公司必须进一步创造出体制创新、机制创新、管理创新、技术创新的最佳效果,形成最佳的资源组合优势,充分利用我国丰富而又有竞争力的劳动力优势,以降低产品成本,规避汇率变化的风险。第十三章 环境保护、职业卫生安全、消防、节约能源13.1 环境保护 编制依据a、b、建设项目环境保护管理条例1998年11月18日国务院令第253号。c、工业企业厂界噪声标准GB1234890。d、大气污染物86、综合排放标准GB16297-1996。e、污水综合排放标准GB8978-1996。f、城市区域环境噪声标准GB3096-93。g、中华人民共和国水污染防治法1996.05.15修订h 、i、中华人民共和国大气污染防治法2000.04.29修订j、中华人民共和国固体废物污染环境防治法2004.12.29修订,2005.4.1实施k、中华人民共和国清洁生产促进法 环境现状及环境污染本项目位于江苏泰州经济开发区内,江苏泰州经济开发区以高起点、高效益、高新技术、无污染或少污染物排放作为项目进驻前提,目前进驻企业均为高新技术产业,且各企业均按照环境保护要求,认真贯彻落实环境保护“三同时”方针。因此,本项87、目建设地周边地区基本上无严重污染企业,周围环境条件较好,不会影响本项目建设。 污染物的种类和排放量单晶硅及硅片的生产,工艺复杂,同时使用多种化学试剂和特殊气体。其主要生产工艺为:单晶硅棒主要生产工艺:原料碎料腐蚀、清洗干燥加料熔化缩颈生长放肩生长等径生长尾部生长切断 送检 进入中转库。切片主要生产工艺:单晶硅棒切断外径滚磨平边或V型槽处理切片倒角清洗包装主要所需原材料包括多晶硅原料、大宗气体、化学试剂等几大类,生产产生的污染物包括酸碱废水、含尘废水、酸碱废气等。大宗气体包括压缩空气、氩气等。工艺生产使用主要原辅料消耗如下表:表13-1 主要物料供应表序号名 称单位数量来源1单晶硅吨702国内288、硝酸(65%)升5383国内3氢氧化钠吨11.2国内4石英坩埚只14584国内5金刚砂吨598国内6碳化硅吨42国内7线切削液吨73.5国内8切削液吨105国内9工作线千米114国内10石墨件只910国内11工作线轴400进口12切削滑轮片3540进口13.1.4 污染物及其治理措施生产过程中产生的污染物包括酸碱废水、硅微粒废水、酸碱废气、热废气、粉尘废气,以及生产过程中产生的废弃固体原材料等。表13-2 废弃物种类和预计排放量名称单位用量备注生产废水排放量m3/Hour23.1其中:硅微粒废水m3/Hour14.1 一般废水m3/Hour6 含酸废水m3/Hour3生活污水排放量m3/h2.89、4废气排放量m3/Hour其中:酸碱废气m3/Hour36720 粉尘废气m3/Hour4320 一般废气m3/Hour18000.1 生产废水处理本项目水污染源主要包括生产废水和生活污水。根据本项目的生产工艺和废水水质特征,在生产过程中产生的废水主要可分为酸碱废水和含硅粉废水。根据生产废水的性质分类如下:酸碱废水类:包括生产厂房工艺酸碱废水,酸碱废水排放量约5 m3/h。其中酸碱废水经中和反应池,调节PH值,达标后排放。含硅粉废水主要是切片过程中产生的冲洗废水,废水成分是硅粉悬浮物。该废水处理流程图如下:含硅粉废水调节池沉淀池絮凝剂沉清池达标排放板框压滤机泥饼外运调节PH污泥以上处理流程均为90、暂定,待有关部门环境影响报告书评审通过后再做进一步完善、调整。.2 生活污水生活污水是工作人员在工作时间使用卫生间排出的粪便污水及盥洗污水。按每班每人用水量按50L计,每日用新鲜水量为96 m3/d,排放量按用水量的70%计,即日排水量67 m3/d。 生活污水经处理后排往市政下水管线。.3 废气本项目酸碱废气排放总量为36720 m3/h。一般废气 本项目一般热废气排放总量为18000 m3/h。本项目含尘废气排放总量为4320 m3/h。l 一般废气(废热)排放工艺设备生产过程中产生的一般废气和高温废气,不需经过处理,直接排放。l 酸碱废气排放系统工艺生产设备产生的含酸碱性废气,由排风管道91、排至废气洗涤塔进行处理,达到国家排放标准后排放,排气筒高出屋面。l 粉尘废气排放系统对于生产过程中产生的粉尘废气,由排风管道排至处理装置进行处理,达到国家排放标准后排放,排气筒高出屋面。.4 废弃物本项目固体废物主要包括生产废物和生活垃圾。本项目固体废物处置方式可归纳以下3种:1)固态的如含硅污泥等年总产生量为50t/a。2)委外回收,即可回收利用的,液态如硝酸废液等,年总产生量为10t/a; 3)生活垃圾,年产生量为100t/a。.5 噪音工厂噪声主要是动力设备运行的噪声,动力设备包括空压机、空调风机等,动力间的噪声约在85dB(A)。动力区的降声措施是:选择低噪声动力设备,降低噪声源;对振92、动大的设备设有减振台座,减少噪声的产生及传递;对噪声较高的设备,对其所在厂房或工作间的墙、门窗采取隔音措施,以减少噪声外传;动力值班间和动力设备间隔开,减少动力噪声对值班人员的影响;采取上述措施后使传至厂界处噪声值低于60 dB。1 绿化园区的绿化不但是环境保护及城市规划部门的要求,而且对生产质量也起着十分重要的作用。绿化设计采取普遍绿化、重点绿化和美化相结合的措施。 环境保护管理与监测公司在组织机构上设有专人负责督促、检查各种环保设施的运行处理结果,在发生非正常情况时,及时提出有效措施,满足各项环保要求。本项目环保费用包括在各相应工程费用中,本次不另单独列出。13.2职业安全卫生编制依据a、93、关于生产性建设工程项目职业安全卫生监察的暂行规定及附件“职业安全卫生专篇编写提要”。b、工业企业噪声控制设计规范GBJ8785。c、工业企业设计卫生标准TJ3679。d、电子工业职业安全卫生设计规定SJ3000292。e、工作场所有害因素职业接触限值GBZ2-2002。工程概况本项目购置生产线设备、仪器,购置土地、建造生产厂房,形成年产1200万片8英寸半导体、太阳能级单晶硅棒、硅片的生产能力。主要内容如下:l 购置土地150亩;作为本项目的实施用地;l 建设生产、办公及辅助用房面积约13404m2。职业安全.1防自然灾害本项目所建建筑均按建筑防雷设计规范规定,设置三类防雷设计;抗震按7度设防94、。抗震、防雷等符合相关规范要求。.2电气安全所有用电设备供电线路采取三相四线制加专用安全接地线(PE线)组成三相五线制,用电设备及配电设备的金属外壳及管线金属支架等,均采取可靠的接地或接零保护措施;移动式用电设备及插座供电设备设置漏电保护,以确保用电安全。.3安全疏散工艺区划充分考虑建筑平面,满足消防安全规范要求,按消防安全规范设置安全疏散通道,并在建筑物出入口设置应急照明和安全疏散标志。.4安全防护与通道按文明生产组织生产,车间生产设备布置时按要求留出间距和人流物流通道。车间内主要通道均设安全通道标志线,并根据人流和物流分别情况设置通道宽度,主要通道为3.0m,确保安全疏散。所有机械设备活动95、部位有碍安全而未带安全防护罩(网)的,均应设安全防护罩(网)或标注安全提示,防止不应发生的伤害。职业卫生.1防尘防毒本项目厂房内生产过程中不使用有毒有害及爆炸性气体等。生产过程中基本无产尘工序。.2防暑降温本项目单晶炉、多晶炉是发热量较大的设备,除采取局部排风措施外,在生产房间内还按工艺要求已设置空调的。.3生产厂房空调房间的新风量确保在每人每小时20 m3以上。.4振动防治动力站房内的水泵、空压机、风机等产生振动较大的设备,根据设备振动情况,已分别采取了设备单独隔间、吸声墙以及设备做防振基础、加隔振垫或减振垫等措施,对减少振动的产生和传递起到了较好的效果。新增工艺设备基本不产生较大振动。.596、辅助卫生室各建筑内设有男女卫生间、盥洗室等。本项目将根据各生产线工艺布置,在厂房内设更衣室、休息室等辅助用室。.6其它本项目设计将根据使用场地及工艺区划、人员情况,设置饮用水供应点。 职业安全卫生管理机构和投资泰州xx硅能科技有限公司将设有专职职业安全卫生管理人员,负责公司职业安全卫生工作的实施、检查、监督等。本项目职业安全卫生全部投资包括在相关建筑内。13.3 消防编制依据a、建筑设计防火规范GBJ1687(2006年版);b、建筑灭火器配置设计规范GBJ14090(1997年版)。 总图布置本项目场地总平面布置按消防规范设计,厂区设有足够的消防通道,厂区主干道路面宽8.0m,次要道路宽6.97、0m。建筑物四周设有环形通道。厂区两面均有出口与城市道路相连。消防车可方便地经该道路畅通进入厂区执行任务。建筑物防火本项目主要建筑共计5栋,分别为预处理车间、单晶硅棒生产厂房、单晶硅片加工生产厂房、仓库、废水处理站。各建筑技术指标见图表13-3。图表13-3 各建筑技术指标一览表建筑名称楼层建筑面积()占地面积()生产类别及耐火等级结构形式预处理车间127722772丙类,耐火二级钢筋砼框架单晶硅棒生产厂房1,266003300丙类,耐火二级钢筋砼框架单晶硅片加工生产厂房127722772丙类,耐火二级钢筋砼框架仓库1972972丙类,耐火二级钢筋砼框架废水处理站1288288丁类,耐火二级钢98、筋砼框架合计1340410104消防给水本项目拟从开发区给水管网分别接入两条DN300的给水管引入厂区,在厂区形成环状室外消防管网,并送至生产、消防合用水池(水池总容积300 m3,内存200 m3的室内消防用水,设有消防用水不作它用的技术措施)。合用水池内储存2小时室内消火栓用水量。各建筑室内、室外消防给水系统以及手提式灭火器等消防设施均按规范要求设置。厂区室外设有地面式消火栓,室内设有消火栓箱。电气防火a 、建筑的电气设计已按消防规范要求设计,各部门设置有消防和紧急事故应急照明,并在各通道疏散口设置有安全疏散标志。在贵重设备、仪器部门设置有火灾自动报警,科研办公综合楼设有消防值班室,并由专99、人24小时值守。b 、本项目所有电缆电线,均采用阻燃型铜芯电缆,并沿桥架敷设,出桥架穿钢管敷设。 采暖通风防火厂房内长度超过40米的疏散走道均设置排烟系统。排烟量按每平米60m3/h设计。风机采用消防高温排烟专用混流风机。排烟风机入口风管上设排烟防火阀,排烟防火阀280关断。排烟防火阀与排烟风机联锁。送回风管道采用难燃型材料进行保温,符合防火规范要求。13.4节约能源编制依据a、固定资产投资工程项目可行研究报告“节能篇(章)编制及评估的规定”。b、中华人民共和国节约能源法c、国家其它有关节约能源及合理利用能源的现行政策、有关规范、规定主要能源和含能工质的品种及用量.1主要耗能设备本项目为太阳能100、单晶硅片生产线建设项目,主要耗能设备为拉单晶炉、切片线锯等。.2主要能源及含能工质品种、用量本项目主要能源及含能工质品种、用量详见图表13-3。图表13-3 能源及含能工质品种、用量序号主要能源及含能工质名称计量单位折标煤(kg/实物单位)年需要量实物折标煤实 物折标煤1电kwhkg0.404234661039481032新鲜水Tkg0.25798103251033循环水Tkg0.14378510311.21034压缩空气M3kg0.0405861032.34103合 计T986540节约能源的主要措施.1生产设备节能引进设备和国内设备选型时,在满足工艺要求和技术先进实用的前提下,进一步比较,101、选择节能效果好的设备。优先选择国家推荐的节能型产品,杜绝采用已公布淘汰的产品。.2节电措施在厂房的总体布局设计中,将动力站房设置在生产负荷中心,管线距离短、输送损失小。变压器进行高压无功功率补偿,减少无功损失。各建筑所采用的照明灯具选择高效节能灯具。.3节水措施工艺设备、动力站空压机等所需设备冷却水均采用循环使用方式,各种水泵均采用IS系列节能型水泵。.4能源计量检测为减少或杜绝能源浪费以及便于各独立核算部门进行成本核算,在水、电、气入口设表计量。能源管理提高科学管理和加强考核是节能的有效措施之一,在公司管理机构设置能源管理部门,经常性地进行动力设备运行管理及维修,对生产设备、动力设备及管线按规程进行定期检查,保证设备在最佳状态下运行。
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