新材料有限公司新型材料科技应用创新项目可行性研究报告（135页）.docx

1、新材料股份有限公司 科技创新项目项目编号：2015-10D新材料股份有限公司科技创新项目可行性研究报告二一五年十二月第 3 页目录1、总论11.1 项目概况11.2 项目计划目标162、申请单位情况292.1 基本情况292.2 人员及开发能力302.3 上年度单位财务状况452.4 质量管理情况463、技术可行性和成熟性分析483.1 技术创新性483.2 成熟性和可靠性804、市场调查与竞争能力分析894.1 产品的主要用途，主要应用领域的需求、未来市场预测。894.2 国内同类产品主要研发机构和生产厂家开发、生产情况934.3 产品的国内外市场竞争力，替代进口或出口的可能性975、实施方

2、案995.1 开发计划995.2 技术方案1035.3 生产方案1085.4 营销方案1155.5 其它问题的解决方案1156、投资估算与资金筹措1226.1 投资估算1226.2 资金筹措方案1246.3 资金使用计划1247、经济、社会效益初步分析1268、风险分析1298.1 风险因素1298.2 规避风险的主要措施129附件：新材料股份有限公司 2014 年度新材料科技创新项目专家组论证意见。1、总论1.1 项目概况1.1.1 项目名称本项目是新材料股份公司（以下简称“新材”）所属的全资子公司：xx（以下简称“稀土”）三家公司联合申报的科技创新项目。项目名称为新材料股份有限公司科技创新

3、项目，各子项目名称分别如下所述：光电 2 个项目：大直径蓝宝石衬底材料和垂直梯度凝固砷化镓。稀土 5 个项目：白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术、低碳低盐无氨氮萃取分离稀土全循环新技术、各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备、离子型稀土矿高效清洁提取技术开发和热挤压磁环用片状磁粉的研发。亿金 3 个项目：铂族金属电子信息功能材料产业化技术、集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材和圆片级先进封装用超高纯铜靶材项目。1.1.2 可研报告编制依据（1） 项目立项建议书，分别为：新材料股份有限公司科技创新项目建议书-大直径蓝宝石衬底材料新材料股份有限公司科技创新项目建议书-垂直梯度凝

4、固砷化镓新材料股份有限公司科技创新项目建议书-白光 LED 用新第 115 页型高性能荧光粉及其产业化制备技术新材料股份有限公司科技创新项目建议书-低碳低盐无氨氮萃取分离稀土全循环新技术新材料股份有限公司科技创新项目建议书-各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备新材料股份有限公司科技创新项目建议书-离子型稀土矿高效清洁提取技术开发新材料股份有限公司科技创新项目建议书-热挤压磁环用片状磁粉的研发新材料股份有限公司科技创新项目建议书-铂族金属电子信息功能材料产业化技术新材料股份有限公司科技创新项目建议书-集成电路65 纳米制程用高纯铂合金靶材新材料股份有限公司科技创新项目建议书-圆片级先进封装用超

5、高纯铜靶材（2） 新材料股份有限公司 2014 年度新材料科技创新项目专家组论证意见。（3） 新材与签订的编制可研报告的合同。1.1.3 项目提出的理由与过程1.1.3.1 大直径蓝宝石衬底材料蓝宝石材料作为 LED 外延片和芯片产品最重要基础材料的，是高端 LED 芯片产业上游技术产品。LED 具有亮度高、体积小、耗电量低、使用寿命长、响应速度快等特点而广泛应用于显示屏、背光源、汽车车灯、室内装饰灯、交通灯、景观照明、通用照明等。随着能源紧缺问题越来越突出，LED 重要性和市场空间更加显著。半导体照明产品 LED 节能环保，是下一代光源的发展方向，有着巨大的发展空间。据保守估计，全球蓝宝石衬

6、底的需求（以 2 英寸计）2012 年12000 万片,近五年内全球蓝宝石基片用量正以每年 30%的速度增长, 具有广阔的市场前景。蓝宝石单晶的制备方法包括泡生法、导模法、热交换法、坩埚下降法、提拉法和温梯法。泡生法是生长蓝宝石晶体的主要方法，该方法生长的 LED 蓝宝石衬底市场份额超过 50，同时也被国内外客户证明是质量最优性价比最高的 LED 蓝宝石生长方法。泡生法的优点是：蓝宝石固/液界面位于坩埚内，没有提拉等一些动作，不易受到外界干扰；晶体不从坩埚中提出，避免了如提拉法由于将晶体提拉出坩埚，引起温度梯度的巨大变化而形成较大的残余应力及界面翻转等缺陷；因此，能生长出大尺寸、高质量的蓝宝石

7、晶体。在军口需求牵引下，光电从 2002 年开始进行蓝宝石晶体的研发工作，采用热交换法和泡生法进行晶体生长，结合热交换法和泡生法的特点，研发出改进的热交换法，已经掌握了蓝宝石晶体制备的核心技术，并有小量出售，但生长的晶体尺寸小，即使引进的美国TT 公司蓝宝石炉生长出 90kg 单晶，但晶体完整性差，与国外相比， 特别是与Rubicon、Monocrystal 相比，光电蓝宝石制备技术没有成熟，生产成本高、晶体性能指标还有差距，存在开裂和气泡问题， 需要进一步进行研究。目前，完成项目中试线基础设施建设。2014 年前，光电在廊坊开发区建成了蓝宝石生长、加工、测试厂房，同时对蓝宝石晶体生长厂房进行

8、二次改造，建成满足蓝宝石晶体生长要求的洁净车间。改进蓝宝石单晶炉冷却水循环系统，添置冷水机组，备用发电机安装到位并供电和试运行。本项目拟在现有制备技术的基础上，提高控制泡生法生长蓝宝石晶体开裂和气泡控制技术，通过数值模拟，结合实验研究的方法，研究当前条件下蓝宝石生长的各部件结构、形状设计、晶体生长过程控制参数及多加热器联动关系，实现晶体生长过程中固液界面形状和推进速度的控制，生长出大直径、高质量、高完整性，重量大于 80kg 蓝宝石晶体；将蓝宝石单晶成晶率由现在 60%提高到 90%以上，晶体可掏棒晶体长度由现在 50%提高到 80%以上，并使蓝宝石材料制备技术和产品性能达到国外先进水平。1.

9、1.3.2 垂直梯度凝固砷化镓垂直梯度凝固砷化镓（VGF-GaAs）单晶产品既可用于微电子领 域，又可用于光电高亮 LED，是市场主流产品。VGF-GaAs 单晶既可作为光电用高亮度红、橙、黄色 LED 的衬底材料，又可制作微电用超高频、微波器件和电路，例如手机中的两个核心器件功率放大器和 开关电路等。近十几年，随着科技进步以及半导体行业的发展，GaAs 材料在微电子和光电子领域持续快速增长。VGF-GaAs 单晶占据GaAs 单晶材料的大半江山，在微电子领域，主要用4 英寸、6 英寸VGF-GaAs， 而在高亮 LED 领域，VGF-GaAs 单晶的用量也是最大的。GaAs 的主要制备方法有

10、 VB、VGF 和 HB 法。目前建设单位所使用 HB 法具有成本低，晶片的电阻率和位错密度（EPD）均匀，被广泛应用到红外和 650nm 的 LED，但由于制备方法的局限性，无法生长 4 英寸以上的单晶，而微波通讯用 GaAs 主要是 4 英寸和 6 英寸晶片，可见光 GaAs 基的 LED，4 英寸晶片也已占 50%以上。因而， 进行 4 英寸 VGF GaAs 单晶生长设备及工艺研究，将填补在大直径GaAs 单晶生长方面的空白，为进一步研究 LED 和微波通讯用大直径GaAs 单晶奠定基础。高亮度 LED 或白光 LED 作为照明光源，已开始逐步代替现行的白炽灯和荧光灯，这是高亮度 LE

11、D 最有发展前景、用量最大的一项应用。目前，中国、美国、加拿大和日本等国都制订了国家半导体照明工程。目前的白光 LED 虽以 GaN 基 LED 的磷光体转换为主，但最新的研究成果表明在白光 LED 中加入以 GaAs 为衬底的红黄色LED 将使白光 LED 的光色更接近于太阳光，使人感觉更温和。同时以三基色合成的白光已广泛应用到液晶背光照明。这样 GaInAlP/ GaAs 基高亮度 LED 也会大量用于白光光源，至于彩色照明、景观装饰照明等更离不开 GaAs 衬底。因此，仅在半导体照明方面的应用， 其市场前景就不可限量。目前，光电建成并改造了 VGF 砷化镓晶体生长、加工、测试厂房，用于垂

12、直法 GaAs 单晶炉设备的科研生产运行，同时，配备3 台垂直法 GaAs 单晶炉、设计并改进单晶炉设备、建造 3 套适合生长 VGF 砷化镓单晶的生长设备和热场系统，进行单晶生长工艺调试， 确定了基本技术方案和工艺参数，但是引晶关键技术尚未取得突破， 引晶和放肩成功率较低。如前所述，4 英寸 GaAs 单晶片已占到可见光 LED 晶片的 50% 以上，如果 4 英寸 VGF GaAs 研究成功并批量生产，将带来巨大的社会效益和经济效益，就可以直接销售晶棒，也可以通过外协加工成晶片直接销售给外延厂家。同时这也为微波用 GaAs 研制打下基础。如果微波用 4 英寸单晶也研制成功，光电将成为继日本

13、住友电工后唯一提供各种用途 GaAs 的厂家。1.1.3.3 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术白光 LED 作为一种高效节能、长寿命的半导体照明产品，被科技部列为国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020 年）优先发展的重要内容。节能是 LED 照明最大的优势，目前 LED 的光效大约是白炽灯的 8 倍。按照各国淘汰白炽灯的计划，白炽灯泡即将于2020 年全部禁用，因此白炽灯泡后的照明市场给了 LED 照明厂商极大的商机。LED inside 估计 LED 灯泡产值占传统灯泡市场的渗透率， 将于 2014 年达到三成以上。Philips 预计在 2010-2020

14、年半导体照明市场将以平均 6%的速度增长。目前 LED 照明对通用照明领域的渗透率约 3，预计 LED 照明占通用照明领域的比例在 2015 年将达到50，2020 年将达到 80，LED 照明产品将全面进入传统照明领域，成为全球主要的照明方式。在背光源方面，由于尺寸、成本等因素， 白光 LED 成为大尺寸液晶显示的首选背光源。荧光粉作为白光 LED 的关键组成部分，直接影响白光 LED 器件的光效和显色等性能，而我国系统开展白光 LED 高端荧光粉的研究起步较晚、突破性进展不大，绝大部分关键制备技术被国外企业和研发机构所掌握，因此开发白光 LED 封装用高性能荧光粉及其产业化制备技术迫在眉睫

15、。1.1.3.4 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土全循环新技术稀土化合物是制备稀土磁性材料、发光材料、储氢材料、晶体材料、催化材料等高新材料的关键原材料。稀土元素化学性质相近，相邻元素分离系数小，分离提纯难度大，是化学元素周期表中为数不多的难分离元素组之一，国内外稀土工作者围绕着稀土分离、提纯做了大量的研究开发工作，包括分步结晶、氧化还原、离子交换、液液萃取到萃取色层技术，其中有机溶剂萃取技术已成为主流技术。我国稀土工作者针对稀土资源的特点，开发了一系列具有原创性的稀土分离提纯技术，其中 P507、P204、环烷酸等酸性萃取剂萃取分离提纯稀土工艺广泛应用于稀土工业，可生产纯度为 2N5N 的各种稀土

16、产品，使我国稀土萃取分离水平居世界领先地位，被国际同行称为“中国冲击”。目前，我国稀土冶炼分离产品年产量约 1315 万吨，占全球供应量的 90%以上。但由于稀土资源品位低、成分复杂， 而且共生在一起的 10 多个稀土元素性质非常相近，冶炼分离很困难， 因此，在我国稀土产业快速发展的同时，冶炼分离过程仍存在化工材料消耗高、资源综合利用率低、三废污染严重等问题，尤其表现在以下三个方面：氨氮废水排放问题有待彻底解决。在稀土生产过程中，因采用氨水（或液氨）皂化有机相进行稀土萃取分离提纯和碳铵沉淀稀土等工艺过程均产生氨氮废水，每分离提纯 1 吨稀土氧化物，要消耗 1 吨液氨和 1.6 吨碳铵，则每年产

17、生氨氮 10 万吨以上，废水排放量达 1500 万吨/年以上。“十一五”以来，部分企业采用碳酸钠、草酸沉淀代替碳铵沉淀技术，采用液碱皂化和新开发的钙皂化、非皂化萃取，以及部分高浓度氨氮废水回收利用，使行业氨氮产排量大幅减少。高盐度废水排放问题日益突出。由于稀土提取过程中需消耗大量的酸、碱和盐类，造成大量 Cl -、SO42-、Ca2+、Na+、Mg2+或 NH4+ 直接排入环境中。每处理 1 吨稀土氧化物，排入环境中的盐约 5 吨（以氯化物计等）。高盐度废水污染江河湖泊等水体，还造成土壤盐碱化加重，因此从“十二五”开始，我国稀土工业的总盐排放控制将是主要环境治理问题。CO2 温室气体排放问题未

18、得到解决。稀土氧化物制备过程中， 采用碳铵或草酸沉淀、煅烧，将会排放大量的 CO2 气体，每制备 1 吨稀土氧化物，直接产生 1 吨 CO2，间接产生 4 吨多 CO2。目前， 本行业对CO2 温室气体减排尚未提出有效的解决方案。“十二五”期间，随着高新技术的快速发展和稀土应用量逐年大幅度的增加，稀土生产过程中存在的高污染和高排放将是我国科研工作者需重点解决的问题。专家预测，到 2015 年，国内稀土分离量将达到 20 万吨左右，氨氮盐排放量将达 80 万吨左右，CO2 气体排放量将达 100 万吨左右。世界首部稀土工业污染物排放标准已颁布实施， 对稀土生产企业也提出了更高要求，因此亟需开发低

19、碳低盐无氨氮萃取分离稀土的绿色清洁冶炼新工艺。1.1.3.5 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备粘结永磁是将具有一定永磁性能材料的粉末与粘结剂和其他添加剂按照比例混合，然后用压制、挤出或注射成型等方法制备出复合永磁材料，其磁性能主要取决于磁粉的种类与含量，力学性能取决于粘结剂的性能特点。与烧结磁体相比，粘结磁体具有如下优点：（1） 能制成复杂形状的磁体；（2） 能制成薄壁和不规则形状的磁体；（3） 可与其它器件一体成形，做成复合元器件；（4） 可制成内外圆多极磁体；（5） 尺寸精度高，无需后加工；（6） 成品合格率高，材料利用率高；（7） 生产效率高等。由于其特点符合短小轻薄的市场需求和近

20、净尺寸（near-net-sharp） 的研究方向，特别适合现代电子信息器件短小轻薄的市场需求，近些 年工艺的不断完善，应用领域的不断开拓，其前景日益广阔，如在汽 车工业方面包括启动电机、升降电机、风扇电机、制动器、天线自动 收放电机、天窗自动开合电机、各种自动传感器等 30 种以上器件，在办公自动化方面包括计算机音圈电机、主轴电机、盘式驱动电机、步进电机等；家电类包括空调、音响、摄像机、照像机、洗衣机、吸尘器、VCD、DVD、石英钟等；此外还在体育产品保健品、通讯类（BP 机、手机）等方面得到广泛的应用，我国近年来粘结永磁平均年增长率超过了 35%，2010 年产量达到了 4000 吨，产量

21、超过全球的60%磁粉是制备粘结永磁体的关键材料，分为各向同性磁粉和各向异性磁粉两种。各向异性磁粉受制于磁场成型技术，一直未实现规模生产，目前商业化规模应用的粘结稀土永磁粉绝大多数为各向同性NdFeB 粘结磁粉。由于受各向同性钕铁硼粘结磁粉专利拥有者-美国MQ 公司专利限制，粘结稀土永磁体生产企业不得不购买 MQ 钕铁硼粘结磁粉，MQ 独霸国际稀土粘结磁粉市场的 90%以上，实施垄断性高价，磁体厂家利润率极低，运行困难，严重阻碍了我国粘结磁体产业的大规模发展。因此，研制开发出具有我国自主知识产权的粘结稀土永磁粉是我国稀土粘结磁体行业亟待解决的技术瓶颈。高性能各向同性钐铁氮SmFeN 快淬磁粉与

22、MQ 粘结磁粉相比较，不仅磁性能高（目前，最高水平SmFeN 磁粉的磁能积可达 17MGOe，比 MQ 磁粉高 20%以上），耐热性能好、成本低等优点，而且可以消耗过剩的稀土金属钐，有助于我国稀土资源的平衡利用。本项目针对我国粘结磁体行业发展的瓶颈，重点研制开发具有自主知识产权性能优异、成本低廉的各向同性 SmFeN 快淬粘结磁粉， 旨在打破美国在相关领域的技术垄断，逐步替代 MQ 粘结磁粉。此外， 本项目开发的钐铁氮（SmFeN）快淬磁粉不消耗稀土金属钕（Nd），主要稀土原料为大量过剩的金属钐。因此，本项目不仅对我国稀土粘结磁体产业未来可持续发展和提升我国粘结磁体行业国际竞争力具有重要意义，

23、而且对平衡利用过剩的稀土钐资源具有非常重要的意义。1.1.3.6 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发稀土（Rare Earth，简称 RE）是 17 种元素的总称，它包括了化学元素周期表中原子序数从 57 至 71 的 15 个镧系元素以及与其同处于第三副族、电子结构和化学性质相近的钪(Sc)和钇(Y)两种元素。从1794 年第一个稀土元素钇的发现，到 20 世纪 40 年代从核反应堆的铀燃料中分离获得最后一个元素钷，期间经历了 153 年的时间。稀土元素因其独特的电子层结构、使其形成的稀土化合物在磁学、光学、电学等各个领域都有广泛的应用，被称为是“现代工业的维生素”以及 “新材料宝库”。近 2

24、0 年来，随着稀土在高新技术领域的开发应用， 稀土元素的国家战略地位与日俱增，美国和日本等国家将除 Pm 以外的稀土元素列为“21 世纪的战略元素”；我国也把稀土材料列入了制造业领域中基础原材料的优先主题和重点支持方向。通常根据稀土元素间物理化学性质和地球化学性质的差异，将稀土元素分为轻、中、重稀土三组。其中中重稀土因其储量少，缺口大， 价值大，可替代性小，是名副其实的稀土中的稀缺品，它被广泛应用于高科技、高尖端、新材料产业等密切相关的领域。如磁性材料、荧光材料、激光器等应用领域必须使用钆、铽、镝、钬、铥、镱、镥、钇等；磁泡存储器件的晶体薄膜需要高纯的钇、镥；磁光存储装置上的磁光薄膜溅射靶材料

25、需要金属钆、铽、镝、钕等；在光传输上应用的光导纤维、光开关中要求用高纯度的铒，用量虽小但效率高。目前，中重稀土主要来源于我国离子型稀土矿，其中稀土和重稀土储量之和占世界的 80%以上，是我国宝贵的且独有的战略资源，它的开发和利用解决了主要内生稀土矿，诸如独居石、氟碳铈矿、混合型稀土矿等几乎只产轻稀土而中重稀土缺乏的问题。针对离子吸附型稀土矿的开采，目前工业上通常采用硫酸铵原地浸出工艺，而该工艺浸取周期长、浸取剂耗量相对较大，尾矿中残留大量的硫酸铵浸取剂， 对水环境带来严重的氨氮污染问题。此外，离子型稀土矿中的铝、硅、 钙、铅、铁等杂质元素不同程度地有离子相态存在，随稀土浸取时进 入到浸取液中，

26、其中铝、铁等杂质含量有时可高达 250mg/L，给后续富集带来问题。在稀土沉淀剂选择方面，最初选用草酸，但沉淀收率 较低，沉淀剂草酸价格高，导致生产成本高；此外，草酸母液有毒， 易造成环境污染，对人体和环境有不良影响，不符合绿色化学冶金发 展趋势；后来开发的碳酸氢铵沉淀替代工艺，虽然可以彻底解决有毒 的草酸沉淀剂问题，但是亦带来严重的氨氮污染。因此，离子型稀土 矿的提取亟待开发绿色清洁化学工艺，以保护环境和实现可持续发展。离子吸附型稀土矿的绿色清洁浸取技术的开发对于充分合理地 利用我国离子吸附型稀土矿资源，保护生态环境有着非常重要的意义。通过对其浸取机理及矿物土壤特性的研究，开发选择性强、适应

27、性广、浸取能力强、绿色无污染的新型无氨混合协同浸取剂，是离子吸附型 稀土矿回收稀土的主要趋势。1.1.3.7 热挤压磁环用片状磁粉的研发稀土永磁材料由于具有磁性能高的优势，广泛应用于各种稀土永磁电机，带动了各种设备的小型化与高性能化。由于稀土永磁制备工艺所限，电机中普遍采用拼接的方式形成电机磁场，难以满足具有稳定输出特性的高端电机需求。而高端永磁电机中大量采用多极或者辐射整体稀土永磁环，整体磁环具有结构紧凑，安全性高，具有良好的正弦波波形，可改善电机输出特性，显著降低电机损耗和重量，提高电机运行的稳定性和可靠性，特别适合新能源和尖端科技等领域的应用。整体磁环根据制备工艺不同可分为烧结磁环和热挤

28、出磁环两种，烧结磁环采用粉末冶金工艺制备，需要同极对斥产生辐向磁场使磁粉取向，由于工艺所限，该方法得到的产品沿圆周的性能差异较大，另外由于烧结变形较难控制，通常需要留出相当大的余量给加工工序， 对于小尺寸、高性能、高壁和薄壁的烧结磁环难以制备，目前价格较高。热挤出磁环的制造流程为：快淬磁粉冷压热压热挤出加工。热压阶段是将快淬钕铁硼粉末加热、加压，压制成高密度、各向同性的坯块；热挤出阶段将钕铁硼细小的等轴晶转变为片状晶，片状晶粒发生偏转，易磁化轴沿加压方向定向排列，完成取向过程，形成热挤出磁环。由于在快淬阶段制备的磁粉晶粒只有几十个纳米，同时热挤出温度相对烧结温度而言较低，使得热挤出磁环晶粒可以

29、得到较细的片状晶粒，根据相关磁学理论，晶粒越小，矫顽力越高，细小的晶粒使热挤出磁环可以在较少添加甚至不添加重稀土的情况下获得较高的矫顽力，节省了价格昂贵的 Dy、Tb 使用，降低了原料成本，使得热压钕铁硼磁环相对烧结钕铁硼磁环具有一定的竞争优势，特别是在重稀土价格较高的情况下，该优势越发明显，从而大大有利于重稀土的减量化。热挤出磁环的特殊工艺对快淬磁粉提出更高要求，需要其具有高的饱和磁化强度以及高的矫顽力，以保证在热挤出之后能够进行热流变产生辐射取向及纳米晶微观组织。由于热挤出磁环技术最早来源于美国麦格昆磁前身 GM 实验室，其在热挤出磁环用磁粉方面一直是唯一的提供商。国内装备落后，只能生产用

30、于压缩成型的中低端磁粉， 在高性能热挤出磁环用磁粉方面仍然空白。稀土近年来通过装备改进，在高端稀土磁粉方面进行了大量工作，具备稳定生产高性能快淬磁粉能力，但在热挤出磁环用磁粉方面还需要进行更多的适应性研究。2014 年以后，热挤出磁环用磁粉唯一供应商麦格昆磁在热挤出磁体晶粒取向工艺专利以及所用磁粉晶型结构方面的专利全部过期，这对我国发展热挤出稀土磁环的生产应用，突破国外在相关领域的技术垄断提供了难得的机遇；同时该磁粉与磁体的研发对降低重稀土的使用，促进稀土资源的平衡利用，推动稀土永磁产业升级有十分重要的意义。1.1.3.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术汽车作为当今世界能源消耗与污染物排放

31、的重要因素之一，其燃油效率与尾气净化效率成为世界各国政府及科研单位加强研发投入的重点。汽车氧传感器是汽车电子燃油喷射系统(ECU)的核心器件， 作为氧传感器感应电极的铂电极，其催化活性、氧敏性能、电导率、附着力、抗毒化能力等将直接影响氧传感器的工作性能和使用寿命， 从而直接影响汽车发动机的燃油效率和尾气排放。用于汽车燃油喷射控制的氧传感器目前已由传统的“管式”汽车氧传感器发展为“片式” 汽车氧传感器，目前最新型的为“宽域”片式汽车氧传感器，其使用效能和控制精度更加精确。在宽域氧传感器中分别作为催化电极、加热元件、导电引线和触点的铂电极，其性能也将极大地影响氧传感器的整体性能。目前我国中高档汽车

32、厂商所用的宽域汽车氧传感器全部依赖于进口，国内汽车氧传感器的研制和生产尚处于起步阶段，而其中起关键作用的铂电极浆料全部依靠进口，而国产铂电极浆料在产品的系列化、催化活性和使用寿命方面与国外产品有较大的差距，这导致该产品长期为国外厂商所垄断。本项目的目的旨在研制用于宽域汽车氧传感器的高性能催化铂电极浆料、加热铂电极浆料、引线铂电极浆料和触点铂电极浆料，实现高性能铂电极浆料的国产化，打破国外公司在该领域的技术垄断， 促进我国汽车氧传感器实现国产化。此外，由于铂电极具有特殊电性能和催化活性，是传感技术中必不可少的敏感材料，铂电极浆料的市场前景不只限于汽车用氧传感器，它的应用领域广泛，是环境控制、污染

33、物防治、清洁能源领域的重要组件之一。1.1.3.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材随着半导体集成电路集成度的提高和电路规模的增大，电路中单元器件尺寸不断缩小，图形特征尺寸成为每一代集成电路技术的特有表征。这一发展过程一直遵循著名的“摩尔定律”，每 23 年集成度提高两倍，器件特征尺寸按比例缩小，工艺技术更新一代。目前，国际主流生产工艺技术已经由 90 纳米工艺技术过渡到 65 纳米技术，而特征尺寸的减小促使用于晶体管形成和加工的半导体材料得到发展。随着特征尺寸的减小，广泛用于特征尺寸为 130nm 和 90nm 的钴基、钛基硅化物的触头已经不再适用，应用在 65nm 及以下特征尺寸的

34、硅化物主要为 Pt-硅化物触头。在 65nm 特征尺寸，主要采用应用应变硅（Strained Silicon）技术制作晶体管器件（如，CMOS 器件），其运转速度要远远大于用常规 Si 制作的等同器件。利用 Pt 合金在应变晶格半导体衬底上形成 65nm 间隙的晶体管，这样制成的金属-半导体器件具有低功耗、大电流、超高速等特点。Pt 合金靶材成为制造高性能的 65nm 甚至更小特征尺寸的 IC 器件的必需材料。高纯 Pt 合金靶材项目的实施和产业化，主要是通过开展真空熔炼、锻造轧制及热处理、精确成型、复合以及精密加工等技术，利用具有自主知识产权的高性能靶材制备技术实现靶材国产化，形成批量供货能

35、力，满足国内高端市场的需求，为其提供重要的新材料，降低生产成本，形成完整产业链。亿金新材料有限公司具有超高纯金属靶材生产加工的雄厚实力，同时具有长期研制开发稀贵金属材料的基础，将能形成新的高技术产业，具有良好的经济效益和社会效益。本项目通过开展技术研发，攻克靶材制造加工难关，形成高纯Pt 合金靶材产业，以满足 65nm 高端半导体集成电路制造的需求，降低国内半导体市场的成本，促进国内电子信息产业的技术进步与产业升级。1.1.3.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材针对集成电路圆片级先进封装工艺需求，研究开发和完善高纯靶材制备技术和品质控制技术，解决封装技术领域用高纯铜靶材的国产化供应问题，实现大

36、尺寸、微观组织可控、高强度、高稳定性和长寿命的高效能溅射靶材生产。开发圆片级先进封装用高纯铜靶材产品， 靶材性能达到国内领先、国际先进水平，满足电子行业客户需求，并通过考核认证，实现批量稳定供货。集成电路作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，在推动经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保障国家安全等方面发挥着重要作用，已成为当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。随着集成电路制造技术发展，芯片 I/O 数量增加对封装技术提出了不断提高封装密度和封装效率的要求；同时，现代电子产品越来越复杂的功能、体积的轻、薄、短、小，也对封装技术提出了不断

37、减小体积和重量的要求。封装业呈现出向着高密度、多 I/O 数系统封装（SiP）、高频、大功率、薄型化、微型化、不对称化和低成本化、多芯片封装、三维立体封装和绿色环保化等方向发展。封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥。其中主要的配套材料之一为用于PVD 镀膜的金属溅射靶材。由于全球电子产品趋于小型化、轻巧化， 从而对封装金属薄膜中的夹杂物及缺陷的要求也越来越高。由于溅射靶材的性能直接决定了金属薄膜的质量水平，金属薄膜的高品质需求则对靶材的化学纯度及其微观组织提出了极高的要求。目前，高纯金属及其合金靶材作为封装的配套材料，要求向高纯度、大面积、细晶粒的方向发展。目前主要使用 Cu、Ti、Au

38、、WTi 高纯金属靶材进行镀膜。其中超高纯 Cu 靶材是一种技术难度大、附加值高的高技术产品，但由于国内研究及生产水平的限制，该类材料目前多依赖于进口， 价格十分昂贵。因此，开展本课题的研究具有极其重要的意义。通过开展技术攻关、形成具有我国自主知识产权的集成电路封装用高纯 Cu 靶材制造技术、并建立相关产业。能够使国内集成电路封装制造企业摆脱长期依赖进口靶材的局面，形成新的高技术产业，有利于降低国产集成电路的制造成本、增强国产集成电路产品的国际竞争力。1.2 项目计划目标1.2.1 光电1.2.1.1 总体目标通过大直径蓝宝石衬底材料科技创新项目的实施，光电将研制出超 75 公斤级大直径、高质

39、量蓝宝石晶体，单晶成晶率达到 90%。要求晶体无开裂，无散射颗粒，没有气泡，能用来加工 LED 衬底片， 该项目计划投资 500 万元。通过垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目的实施，光电将研制出 VGF 单晶炉，在此单晶炉上进行 4 英寸垂直法 GaAs 单晶生长工艺的研究，研制出 4 英寸 VGF-GaAs 单晶，单晶样片满足外延制造商要求，该项目计划投资 500 万元。1.2.1.2 经济目标大直径蓝宝石科技创新项目完成后，可加工 LED 衬底片，并配备掏棒设备，能将生长的晶体加工成晶棒产品。随着后续建设蓝宝石单晶生产线，预计年产蓝宝石晶体 5 吨，可加工蓝宝石晶片 15 万片，每片晶片按 8

40、 美元计算，年经济效益预测如下：销售额 120 万美元（约合人民币 756 万元）；利润 18.6 万美元（约合人民币 117.18 万元）； 利润率 15.5%。垂直梯度凝固砷化镓科技创新项目完成后，预计后续再新增VGF 砷化镓单晶炉 30 台进行产业化升级，预计年产 4 英寸GaAs 单晶片8 万片。按每片晶片 240 元计算，年经济效益预测如下：销售额 1920 万元；利润 200 万元；利润率 10.4%。1.2.1.3 技术、质量指标 蓝宝石衬底材料（1） 技术指标完整蓝宝石晶体重量75kg激光检查无气泡晶体在200-5000nm波长范围光透过率超过85%位错密度EPD1000cm-

41、2成晶率达到 90%，可掏棒部分达到 80%（2） 专利申请专利2项。 垂直梯度凝固砷化镓（1） 技术指标4 英寸 VGF GaAs 单晶载流子浓度、迁移率、位错密度等参数满足国内外主要 LED 外延制造商的要求，实现稳定批量生产能力。N 型掺 Si，主要技术与性能指标： n(cm-3)：(440)10 17； n(cm2/v.s)：1000；晶片直径（mm）：100.01.0 ；EPD(cm-2)：4000。（2） 专利申请专利 3 项。1.2.1.4 阶段目标 蓝宝石衬底材料序号时间进度安排12014.12014.6完成TT 蓝宝石单晶生长方法的消化吸收工作，确定单晶生长关键运行参数和技术

42、方案。22014.72014.12采用TT 的生长工艺进行晶体生长，得到 75 公斤以上蓝宝石晶体单晶成晶率达到 70%。申请专利 1 项。32015.12015.6完成TT 蓝宝石单晶炉和国产单晶炉生长工艺的改进，使晶体中气泡进一步减少，消除晶体的开裂现象，使单晶成晶率提高到 90%晶体可掏棒部分达到 80%。42015.72015.12使蓝宝石晶体生长工艺进一步成熟，掌握蓝宝石晶体产业化技术可稳定生长 75 公斤以上 LED 级蓝宝石晶体。申请专利 1 项。 垂直梯度凝固砷化镓序号时间进度安排12014.12014.6设计建造VGF-GaAs 单晶炉设备，设计 VGF-GaAs 单晶生长设

43、备的关键运行参数和单晶生长的技术方案。22014.72014.12根据单晶研制工艺需要，改进单晶炉机械和加热部件的设计，进行设备定型，并确定试验的初步工艺参数。申请专利 2 项。32015.12015.6进行接籽晶、放肩、等径收尾等工艺研究，确定基本的研究方法和工艺参数。拉制出一根 4 英寸 VGF-GaAs 合格单晶。42015.72015.124 英寸掺硅VGF-GaAs 单晶关键技术获得突破，单晶技术指标满足要求，向外延厂商提供样片。序号时间进度安排进行单晶工艺稳定性研究，并提供小批量样品。进行晶片加工工艺研究，小批量提供晶片。申请专利 1 项。1.2.2 稀土1.2.2.1 总体目标通

44、过大白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术科技创新项目的实施，稀土将开发具有自主知识产权的白光 LED 用新型高性能荧光粉，具体产品涉及铝酸盐系列荧光粉、新型氮氧化物绿粉、氮化物红粉和封装器件方面，该项目计划投资 1000 千万元。通过低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术科技创新项目的实施， 稀土将获得具有全套自主知识产权的低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术，实现化工材料和绿色清洁生产，该项目计划投资 665 万元。通过各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备科技创新项目的实施，稀土将开发出 3 个以上高性能钐铁氮磁粉牌号，建成600 吨生产线，并建立钐铁氮磁粉耐热性、耐腐蚀性等关键服役性

45、能指标的测试与控制技术，该项目计划投资 2800 万元。通过离子型稀土矿高效清洁提取技术科技创新项目的实施，稀土将解决资源回收率低、产生大量氨氮废水、低品位稀土资源难回收等关键技术问题，针对性提高广西地区稀土的高效与绿色开采，以达到提高资源利用率并保护矿区生态环境的目的，该项目计划投资380 万元。通过热挤压磁环用片状磁粉技术科技创新项目的实施，稀土将制备出高性能快淬磁粉，该项目计划投资 1200 万元。1.2.2.2 经济目标白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术科技创新项目完成后，形成年产 20 吨上述高性能荧光粉的工程化技术开发和测试平台，年销售 5 吨以上白光 LED 荧光

46、粉，年产值超过 1000 万元。低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术科技创新项目完成后，将大大降低生产成本，预测每制备 1 吨稀土氧化物，可降低化工原材料消耗 3000 元以上，在行业推广后，按年产 10 万吨稀土氧化物计，可节约运行成本 3 亿元，经济优势显著。各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备科技创新项目完成后，可形成年产 600 吨高性能钐铁氮粘结磁粉生产线，届时可实现销售收入 10000 万元。低离子型稀土矿高效清洁提取技术开发科技创新项目完成后，可使南方离子型稀土资源的综合利用率提高 10%以上，按今后广西地区规模化开采每年生产 2 万吨离子型稀土精矿计算，可减少离子型稀土资源储量消

47、耗 2000 吨左右，增加企业销售收入 4 亿元、利润超过 1.2亿元/年，增加税收 1.3 亿元左右。热挤压磁环用片状磁粉科技创新项目完成后，使得原料成本比烧结钕铁硼磁体原料成本可望低 30-40%左右。1.2.2.3 技术、质量指标 白光LED用新型高性能荧光粉（1） 开发 1-2 种高光效、近球形、小粒度铝酸黄/盐绿色荧光粉，亮度达到国内同期先进水平，实现铝酸盐荧光粉粒度在 3-20 微米范围可调可控。开发 3 款以上高光效、高结晶度含镓铝酸盐绿粉，满足显色指数 70 和 80 应用需求。（2） 开发 2-3 种一次粒径 D50 为 10-15m 氮氧化物绿粉，蓝光（440-460nm）

48、激发下绿粉发射峰 5255nm 、光谱半高宽 702nm 、外量子效率0.60。（3） 开发出 2-3 款高耐候性氮化物红粉产品，其在温度 121， 压力 2atm，湿度 100%的加速条件下，48 小时后的色漂移 x4N，粒度在 2-3m 之间，形貌短棒状。（3） 镁回收利用率大于 95%，钙盐转化率大于 90%，水资源循环利用率大于 85%，萃取过程中 CO2 回收利用率大于 90%，单品盐排放量小于 0.01（折NaCl）t/t-REO。（4） 建成 1 条 3000 吨/年规模低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术示范线，材料成本较传统工艺降低 30%以上，废水中氨氮小于10ppm，氯离子小

49、于 500ppm，低于国家环保部颁布的稀土工业污染物排放标准限值。 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备（1） 制备的磁粉性能：剩磁达到 9.5kGs 及以上，矫顽力达到9.2 kOe 及以上，磁能积达到 16.5 MGOe 及以上。（2） 建立钐铁氮磁粉耐热性（剩磁及矫顽力温度系数表征）、耐腐蚀性（85、85%湿度条件下退磁率表征）等关键服役性能指标控制技术。（3） 通过磁体厂家样品评价，并完成产业化过程中快淬、晶化、氮化工艺的标准化制定 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发（1） 开发出一种或数种新型高效的无氨氮、环保、高选择性的稀土浸取剂及沉淀剂。（2） 离子态稀土浸取收率达到 80%以上

50、，水循环利用率大于95%，稀土精矿TREO 大于 92%，生产成本较硫酸铵法下降 20%以上。（3） 申请国家发明专利 12 项，发表学术论文 35 篇，培养硕士及博士研究生 23 名。 热挤压磁环用片状磁粉的研发（1） 磁粉的 Ms8.5kGs，矫顽力 Hcj20kOe；（2） 磁粉的厚度均匀一致，保持在 2025m 之间；（3） 完成年产 300 吨规模磁粉生产线建设。1.2.2.4 阶段目标 白光LED用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术序号时间进度安排12014.12014.6获得了小粒度近球形白光LED 用铝酸盐系列黄色荧光粉制备技术；确立了氮化物红色荧光粉的老化过程中的衰减机理，获

51、得了荧光粉抗氧化、抗潮解关键技术。已获得 3 款适宜白光 LED 用新型荧光粉，申请发明专利 2 项。22014.72014.12获得了小粒度近球形铝酸盐系列黄粉、高耐候性大粒径氮化物红粉产业化制备技术。铝酸盐和氮化物荧光粉粒度（D50序号时间进度安排分别为 5-15m 和 8-10m 可调可控，蓝光激发下的初始亮度达到同期国外进口粉水平；已申请发明专利 2 项，发表SCI 论文 2 篇。32015.12015.6优选出了黄色、红色和绿色荧光粉适宜的匹配性能参数。获得的高耐候性氮化物红粉产品在温度 121，压力 2atm，湿度 100%条件下，加速老化 48 小时，色漂移x98%的同时又保证焊

52、接靶材平整性、消除焊接过程中产生的应力变形。对焊接工艺进行优化，在实现大尺寸靶材的可靠焊接同时，避免焊接区域的晶粒的异常长大。同时采用超声无损探伤技术快速检测焊接质量，保证焊接可靠性。（3） 大尺寸高纯铜靶材清洗技术针对高纯铜靶材的特性建立特定的清洗包装工艺，避免靶材变质。3.1.10.4 项目的技术来源、合作单位情况；说明项目知识产权的归属情况。本项目技术来源为亿金自主研发，无合作单位，项目知识产权由亿金完全所有。3.1.10.5 简述国内外发展现状、存在的主要问题及近期发展趋势。目前，全世界集成电路制造用溅射靶材的生产企业主要集中在美国、日本等国家，这些国家的靶材生产企业从金属材料的高纯化

53、制备到靶材制造生产具备了完备的技术垂直整合能力。国内优势企业在国家政策支持下，进行半导体溅射系列靶材开发与产业化攻关，已经初步实现了我国在中低端产业高纯铝、铜、钛、钽、镍等高纯金属及溅射靶材的国产化，在高端集成电路用靶材方面已经具备了一定的技术开发能力和产业基础。亿金是我国唯一、全世界第三家能够全面掌握集成电路制造用全系列高纯金属靶材制备的公司，形成了全国领先的技术和产业优势。由于建设投资投入不足、管理和资源配置的不到位，我国还没有出现能达到国际一流靶材制造业水平的综合性电子材料公司，高端靶材市场主要被国外公司占领。自 2014 年以来，国家对于集成电路产业扶植规划力度空前，整个产业将迎来最快

54、的发展阶段。我国以及全球集成电路产业对高端材料和产品的持续、巨大需求为材料企业自主创新提供了宽广的舞台。随着集成电路制造技术的发展，芯片 I/O 数量的增加对封装技术提出了不断提高封装密度和封装效率的要求，同时，现代电子产品越来越复杂的功能、体积的轻、薄、短、小，也对封装技术提出了不断减小体积和重量的要求。封装行业呈现出向着高密度、多 I/O 数系统封装（SiP）、高频、大功率、薄型化、微型化、不对称化和低成本化、多芯片封装、三维立体封装和绿色环保化等方向发展。目前，由于高纯金属及其合金靶材作为封装的配套材料，要求向高纯度、大面积、细晶粒的方向发展，其中超高纯 Cu 靶材是一种技术难度大、附加

55、值高的高技术产品，但由于国内研究及生产水平的限制，该类材料目前多依赖于进口，且价格十分昂贵。因此，针对集成电路圆片级先进封装工艺需求，研究开发和完善高纯靶材制备技术和品质控制技术，解决封装技术领域用高纯铜靶材的国产化供应问题， 实现大尺寸、微观组织可控、高强度、高稳定性和长寿命的高效能溅射靶材生产。3.2 成熟性和可靠性3.2.1 光电光电在产品的研发、生产环节具有突出的技术优势：光 电是从总院半导体锗和红外材料材料研究室、化合物半导体研究 实的基础上发展而来，承担多项国家重大课题和科技专项，在单晶生 产技术、超纯制备技术、气相沉积技术、光学加工技术等关键领域拥 有深厚的积累和突出的成就，主导

56、和参与了多项行业标准，拥有百余 项技术专利。经过多年的产业化和企业发展，光电已成为国内相 关领域的技术领军企业和主要厂商，在各主要产品领域拥有世界先进 和国内领先的技术水平，是部分产品的全球主要厂商和国内独家厂商， 拥有突出的技术和规模优势。项目均采用具有自主知识产权的技术。其中：3.2.1.1 大直径蓝宝石衬底材料目前已经完成中试线基础设施建设，通过改进蓝宝石单晶炉冷却水循环系统，并安装备用发电机以确保供电和试运行。通过前期提升蓝宝石晶体质量的研究，对TT蓝宝石单晶生长方法进行消化吸收， 生长得到75公斤以上完整的高质量蓝宝石晶体。进行10炉次单晶生长持续性改进实验，通过数值模拟技术，研究大

57、尺寸、高质量蓝宝石晶体生长合理热场；掌握了大尺寸高质量蓝宝石晶体生长技术；节省实验次数和时间提升蓝宝石晶体的优良率，晶体可用长度（无气泡和裂纹）占整晶体长度的比例由原来约40%提升到约75%；研究蓝宝石晶体中气泡尺度、密度形成的机理，掌握控制蓝宝石晶体生长全过程的气泡尺度、密度控制方法；气泡的尺度由原来50%晶体长度以上有肉眼可见气泡到用激光照射不到20%的区域观察有气泡。目前技术成熟度达到5级，授权专利2项，申请专利1项。3.2.1.2 垂直梯度凝固砷化镓目前建成了 VGF 砷化镓晶体生长、加工、测试厂房，用于垂直法GaAs 单晶炉设备的科研生产运行。设计并改进单晶炉设备，通过设备调试，设计

58、出 4 英寸 VGF-GaAs 单晶生长设备的关键运行参数和单晶生长的技术方案，并确定试验的初步工艺参数；同时，配备配电柜、排风设备，用于垂直法 GaAs 单晶炉的运转；建造 3 台适合生长VGF 砷化镓单晶的生长设备和热场系统，进行单晶生长工艺调试， 确定基本技术方案和工艺参数。目前技术成熟度达到 4-5 级，授权专利 1 项，申请专利 2 项。3.2.2 稀土稀土在产品的研发、生产环节具有突出的技术优势：稀土具备了国内领先的荧光材料工程化研究的硬件条件；在试验及检测硬件方面：稀土拥有许多一流的实验设备和分析检测设备为本项目实施奠定了坚实基础；研发力量方面：稀土中心在发光材料领域拥有一支老中

59、青相结合、业务基础扎实、实践经验丰富的研究开发队伍， 为本项目顺利实施提供智力支持。项目均采用具有自主知识产权的技术。其中：3.2.2.1 白光LED用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术目前已完成了高光效、近球形、小粒径铝酸盐系列黄粉及其产业化制备技术，含镓铝酸盐绿粉低氢高效、洁净产业化制备技术和铝酸盐系列荧光粉柔性解聚先进后处理技术开发，开发出 2 种高光效、近球形、小粒度铝酸盐黄绿色荧光粉，亮度达到国内同期先进水平，实现铝酸盐荧光粉粒度在 3-20 微米范围可调可控。开发出 5 款高光效、高结晶度含镓铝酸盐绿粉，满足显色指数 70 和 80 应用需求。开发出 具有核心知识产权的新型氮氧化物

60、绿色荧光粉，荧光粉发射 5255nm ， 光谱半高宽 702nm ，外量子效率0.60。开发出高耐候性氮化物红粉制备技术，获得了 5 款高耐候性氮化物红粉产品，全面提升了 LED 荧光粉及其制备的 LED 器件的稳定性。通过铝酸盐绿粉和氮化物红粉的有效匹配，获得了多款高效 LED 荧光粉产品组合，与蓝光芯片匹配实现了 LED 器件的色温范围为 2500-8000K 可调可控，当显色指数为 70 时，光效达到 160 lm/W。目前已形成年产 20 吨上述高性能 荧光粉的工程化技术开发和测试平台。上述研究成果已申请国内发明 专利 10 项， PCT 发明专利 1 项，发表 SCI 论文 6 篇。

61、该技术成果成熟度高，2014 年中国有色金属工业协会组织对相关技术进行了鉴定， 鉴定意见认为：该项目提升了我国 LED 荧光粉的整体技术水平，满足了 LED 器件产业的应用需求，推动了半导体照明产业化的国产化进程，提高了稀土资源的高附加值利用。项目的整体技术水平达到国际先进水平3.2.2.2 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术目前本项目开发成功具有原创性的低碳低盐无氨氮萃取分离提 纯稀土新技术，突破了稀土分离提纯过程中酸、盐和 CO2 等物料低成本回收利用关键技术，大幅度减少盐和温室气体排放，萃取分离过 程稀土回收率达到 99.5%以上，镁循环利用率大于 95%，CO2 回收利用率大于 90%，

62、水资源循环利用率大于 85%，材料成本降低 35% 以上，稀土平均回收率大于 94.5%。开发成功特殊物理性能高纯稀土制备技术，稀土化合物产品相对纯度达到 3N5N，并规模化制备出大比表面（氢）氧化镧、超微细 YSZ 粉体、高性能抛光粉、大比表面氧化钇等特殊组成和形貌的稀土氧化物，中值粒径D50 为0.55m， 粒度分布(D90-D10)/(2D50)为 0.51，比表面、形貌等物性指标实现可控，达到用户要求。该技术成熟度高，2014 年入选国家工信部稀土行业清洁生产技术推行方案加快推广技术；2015 年入选国家发展改革委国家重点推广的低碳技术目录（第二批）；2015 年入选国家科技部节能减排

63、与低碳技术成果转化推广清单（第二批）。3.2.2.3 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备技术目前项目按计划进行，截止目前为止已经建成年产 400 吨规模生产，本项目采用具有自主知识产权的超急冷连续快淬技术及装备，稳定实现各向同性钐铁氮粘结磁粉的稳定成相、均匀氮化等关键技术。种类氮化后氧含量/ppm氮化后氮含量/ppmHc/OeBr/Gs（BH）自产样品1200302008.58.612.541115305448.48.612.71302296828.38.612.34商业粉1005302518.38.812.63SmFeN 粘结稀土永磁粉属于高新技术产品、附加值高，用该产品制备磁体，不仅可

64、以提高磁体磁性能，而且能够大幅度提高磁体的热稳定性，拓宽磁体的应用领域。此外，本项目的实施对稀土资源平衡利用，消耗过剩的金属钐，节约金属钕及宝贵的重稀土元素镝，提升我国粘结稀土永磁行业技术水平及国际竞争力，促进我国稀土行业可持续发展具有重要的现实意义，具有较好的社会及经济效益，风险可控。3.2.2.4 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发就技术目前，本项目已在广西崇左进行浸取-沉淀富集回收稀土扩大试验。扩大试验结果表明循环过程对稀土的浸出率基本没有影响，不算顶水的稀土在内时，硫酸镁浸出，稀土浸出率能够达到 95%，镁铁复合达到 98%，采用氧化镁和氧化钙，稀土损失都能控制在 5%以内。分段沉淀试验

65、中，稀土纯度可达 85%以上，稀土沉淀率均在 99%以上，影响纯度的主要因素是硫酸根的夹带造成的，而采用分步离心萃取，轻稀土和中重稀土分别富集到 240g/L 以上。因此，本项目具有较高的技术成熟度。稀土对包头混合型稀土矿、氟碳铈矿和离子吸型稀土矿、磷钇矿和独居石等各类稀土资源采选开展了大量的基础研究，申请了多项原创性专利。近期又提出了离子型稀土矿无氨氮浸取新工艺和稀土元素无氨氮沉淀新工艺，并开展了大量前期研究工作，目前已申请发明专利一种从离子型稀土原矿回收稀土的新方法和一种金属离子的沉淀方法。同时，针对低浓度稀土浸取液的其他处理方法亦展开了研究工作，提出非皂化离心萃取分离技术，实现了轻中重稀

66、土元素初步分组效果，并正在申请发明专利；此外，开展磷矿微量稀土元素富集技术已申请发明专利一种采用离心萃取设备从磷酸中富集微量稀土的工艺。近年来，针对稀土生产的环保问题，国家出台了若干政策法规进行严格整治。国务院鼓励企业利用原地浸矿、无氨氮冶炼分离、联动萃取分离等先进技术进行技术改造。通过对离子型稀土矿的高效绿色开采和环境保护研究项目，所形成的成果的应用与推广，可使南方离子型稀土资源的综合利用率提高 10%以上，按今后广西地区规模化开采每年生产 2 万吨离子型稀土精矿计算，可减少离子型稀土资源储量消耗 2000 吨左右，增加企业销售收入 4 亿元、利润超过 1.2 亿元/年，增加税收 1.3 亿

67、元左右。研究和实施的技术成果还可同时推广到我国南方离子型稀土的主产地进行实施，经济社会效益非常巨大。我国离子型稀土资源丰富，广泛分布在江西、广东、广西等南方七省。本项目开发的离子型稀土资源高清清洁技术对离子型中重稀土资源的冶炼分离具有普适性，因此市场空间广阔。3.2.2.5 热挤压磁环用片状磁粉技术目前，稀土已经具备粘结磁粉产业化能力，在装备及产品开发方面取得了优异的成绩，具体如下：开发出的 100kg 级智能连续快淬装备，具备连续加料、在线取样等功能，设备具有高自动化水平，实际运行过程中最高快淬轮速达55 m/s，已用于生产高性能 NdFeB 快淬磁粉，最高磁能积达 16MGOe；自主开发

68、SmFe 合金控压熔炼技术及装备，有效解决由于 Sm 蒸汽压高、易挥发导致 SmFe 合金成相不稳定的难题，有效抑制非磁性或其它软磁性杂相生成。开发出适合于热压磁体用的无中重稀土快淬永磁粉末，初步实现磁粉在高性能伺服电机中的使用，在粉末与磁体的匹配性等方面展开了探索。上述取得的成绩为热压磁环用磁粉的开发奠定了基础，目前该项目在市场需求分析、技术方案、人员队伍、设备等方面已较为成熟， 按九级技术成熟度标准划分，该项目的技术成熟度可达四级。鉴于稀土已经基于连续快淬技术建立了一条高性能快淬磁粉中试生产线，装备水平、产品磁性能、耐温性等各项指标均达国际先进水平，在真空感应熔炼、连续快淬、连续晶化氮化等

69、环节积累了丰富的经验，为热压磁环用磁粉的大规模产业化奠定了较为坚实的基础，该项目的实施具有较大的技术优势，风险可控。3.2.3 亿金亿金拥有多年专业从事稀有和贵金属材料研究、开发、生产和销售的经验。稀贵金属产业及高端电子信息用薄膜材料研发一直是公司的重点发展方向，目前靶材领域已申请专利 86 项，获得授权 44项，主持和参与制定标准共计 31 项，其中国家标准 10 项，行业标准21 项。金属浆料领域已申请专利 7 项，获得授权 1 项。3.2.3.1 铂族金属电子信息功能材料产业化技术亿金在电子浆料的研究开发方面有着丰富的工作经验，实力雄厚，自主研制了微电子技术用系列超细贵金属粉体（Au、A

70、g、Pt、Pd）、银系导体浆料、银钯系列浆料、粘接型低温固化银导电胶、传感器用贵金属电极浆料等，具有开发高性能厚膜电子浆料、先进贵金属超细粉体的工艺和技术。亿金拥有较齐全的用于贵金属超细粉体及电子浆料研制的设备和检测仪器，包括化学成分检测（ICP-MS、ICP-OES）、物相检测（XRD）、微观形貌检测（SEM）、热力学检测（DSC）、力学性能检测、电性能检测等手段，为新产品的开发提供了技术保障。公司拥有一支以教授级高级工程师带领、以中高级技术人员组成的贵金属电子浆料和超细粉体研发生产队伍，有丰富的微电子用高性能电子浆料及超细粉体研制和开发经验。亿金长期从事贵金属电子浆料的研究开发，在电极浆料

71、的研究开发和生产方面有丰富的经验，并形成多项具有自主知识产权的产品。通过十二五期间科技支撑计划的支持，已对普通四线制片式汽车氧传感器用铂电极浆料制备工艺进行了初步试制，可以从技术上对本项目研究内容的实现形成支撑。3.2.3.2 集成电路65纳米制程用高纯铂合金靶材亿金在金属提纯及加工技术方面的实力雄厚，已形成以高纯金属靶材为特色的国内系列高端靶材的技术和产业优势。在高纯铂合金材料的研制方面已经积累了丰富的理论和实践经验，通过十二五期间科技支撑计划的支持，已建立了纯度大于 5N 的高纯铂提纯的中试线，完成 5N 超高纯铂电解工艺的研究，目前具有稳定年产 0.5 吨 5N 超高纯铂的生产能力。已具

72、有靶材锻压加工中试装备、靶材热处理中试装备、靶材精密切削加工生产设备、靶材内部缺陷C 扫描探伤设备等在内的近 50 台关键实验设备及相应的化学超净间。通过科技支撑计划项目的支持，亿金已实现了 4-10 寸铂合金靶材的中试线建立，在铂合金靶材的加工制备及性能检验方面积累了较丰富经验。同时，在课题期间对 65nm 制程用高纯铂合金靶材进行了初步试制，可以从技术上顺利实施此项目内容。本项目将在已究的基础上，集中力量针对 65nm 高端半导体集成电路制造的需求展开工作，攻克靶材制造加工难关，形成高纯Pt 合金靶材产业，以满足降低国内半导体市场的成本，同时促进国内电子信息产业的技术进步与产业升级。3.2

73、.3.3 圆片级先进封装用超高纯铜靶材亿金在金属提纯及加工技术方面已形成以高纯金属靶材为特色的系列高端靶材的技术和产业优势。在高纯铜材料的研制方面积累了丰富的理论和实践经验，通过 2009 年的 02 专项的支持，已建立了纯度大于 5N 高纯电解铜的中试线，完成 5N 超高纯铜电解工艺的研究，目前具有月产 1.5 吨 5N 超高纯电解铜的生产能力。通过前期试验表明，强塑性变形方式结合正确的热处理工艺，能够显著细化高纯铜的晶粒尺寸和改善孪晶，可实现靶材晶粒细小均匀、取向可控。利用高精度大型数控机加工设备加工靶材，通过三坐标测量仪测量靶材尺寸，表面粗糙度仪测量粗糙度，可确保靶材尺寸精度、表面粗糙度

74、达标。通过设计开发新型的焊接技术可以实现高纯铜靶材与背板的可靠连接。已具有靶材锻压加工中试装备、靶材热处理中试装备、靶材精密切削加工生产设备、靶材内部缺陷 C 扫描探伤设备等在内的近 50 台关键实验设备及相应的化学超净间，从技术上为本项目奠定基础。4、市场调查与竞争能力分析4.1 产品的主要用途，主要应用领域的需求、未来市场预测。4.1.1 大直径蓝宝石衬底材料蓝宝石晶体具有优良的光学、机械、化学和电学性能，被广泛用作红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料，同时也是目前大多数光电子器件外延衬底的首选材料之一，其最大的应用是作为 GaN 基 LED 外延片的衬底材料，是高端 LED

75、芯片产业上游技术产品。LED 具有亮度高、体积小、耗电量低、使用寿命长、响应速度快等特点而广泛应用于显示屏、背光源、汽车车灯、室内装饰灯、交通灯、景观照明、通用照明等。LED 照明用蓝宝石衬底占蓝宝石衬底应用比例达 90%以上。因此，LED 对蓝宝石衬底需求影响最为直接，也最为重要。随着能源紧缺问题越来越突出，LED 重要性和市场空间更加显著。半导体照明产品 LED 节能环保，是下一代光源的发展方向，有着巨大的发展空间。保守估计，全球蓝宝石衬底的需求（以 2 英寸计）2012 年 12000 万片，近五年内全球蓝宝石基片用量正以每年 20%的速度增长,具有广阔的市场前景。4.1.2 垂直梯度凝

76、固砷化镓砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的 5.7 倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做 IC 器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。除在I C 产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。垂直梯度凝固砷化镓产品既可用于微电又可用于光电高亮 LED， 是市场主流产品。VGF-GaAs 单晶既可作为光电用高亮度红、橙、黄色 LED 的衬底材料，又可制作

77、微电用超高频、微波器件和电路。随着科技进步，半导体行业的发展，GaAs 材料在微电子和光电子领域近十几年持续快速增长。VGF-GaAs 单晶占据 GaAs 单晶材料的大半江山，在微电子领域，主要用 4 英寸、6 英寸 VGF-GaAs ，而在高亮 LED 领域，VGF-GaAs 单晶的用量也是最大的。目前，高亮度 LED 用 4 英寸 VGF-GaAs 单晶全球需求 15-20 万片/每月，占光电用 GaAs 单晶用量 1/2（按面积换算）。微电子用 4 英寸 VGF-GaAs 单晶每月全球需求 20 万片，占微电用 GaAs 单晶用量 1/2 以上。客户主要集中在美国、日本、欧洲、中国大陆及

78、台湾。砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。4.1.3 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术本项目产品主要应用于白光 LED 照明和显示。在照明领域，2014 年，我国半导体照明产业整体规模达到 3507 亿元人民币，较 2013 年的 2576 亿元增长 36%，继续保持高速增长态势，我

79、国稀土发光材料年用量超过 100 吨。在显示领域，2014 年智能手机、平板电脑及大尺寸电视的出货量持续扩大，LED 背光应用增幅趋缓，年增长率约20%，产值达到 468 亿元。预计未来几年 LED 照明和显示市场仍将保持高速增长态势。本项目铝酸盐、氮化物系列荧光粉产品在光色性能方面与国外产品差异不明显，有一定的市场竞争力。目前 LED 荧光粉国外市场售价相对较高，售价约为国内市场的 2-3 倍。4.1.4 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术在经济效益方面，低碳低盐无氨氮分离提纯稀土化合物新技术推向工业化生产，可将稀土回收率提高 12 个百分点，达到 99.5%以上，化工材料消耗成本降低 35%

80、以上，从而实现稀土氧化物高效清洁生产。每制备 1 吨稀土氧化物，可降低化工原材料消耗 2000 元以上，按照目前 15 万吨/年分离能力计算，在行业推广后，可节约运行成本3 亿元，经济优势显著。在社会效益方面，低碳低盐无氨氮分离提纯稀土化合物新技术将稀土萃取分离、低盐排放、低碳排放、材料制备等技术有机结合，革除了氨氮废水污染，大幅度降低了高盐度废水和 CO2 温室气体排放量，减少环境污染，不但对稀土清洁生产发展机制具有宝贵的借鉴意义，而且为稀土行业全面达到国家稀土工业污染物排放标准提供有力的技术支撑。4.1.5 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备粘结磁体特别适合现代电子信息器件短小轻薄的市

81、场需求，近些年工艺的不断完善，应用领域的不断开拓，其前景日益广阔，如在汽车工业方面包括启动电机、升降电机、风扇电机、制动器、天线自动收放电机、天窗自动开合电机、各种自动传感器等器件，我国近年来粘结永磁平均年增长率超过了 35%，2010 年产量达到了 4000 吨，产量超过全球的 60%，SmFeN 比 NdFeB 具有很好的优势，不仅打破了MQ 粘结磁粉的垄断，同时可以消耗过剩的稀土金属钐，有助于我国稀土资源的平衡利用。4.1.6 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发本项目是针对南方离子型稀土矿原地浸矿开采过程中存在的资 源回收率低、产生大量氨氮废水、低品位稀土资源难回收等关键技术 问题，开发离

82、子型稀土矿高效清洁提取技术。近年来，针对稀土生产 的环保问题，国家出台了若干政策法规进行严格整治。中国制造2025和国民经济和社会发展第十三个五年规划均将绿色制造作为主要 发展方向，支持绿色清洁生产，推进传统制造业绿色改造。目前，该 技术为本企业首创，且已经开始实施扩大试验。因此，该项目具有较 强的市场竞争力。4.1.7 热挤压磁环用片状磁粉的研发热压磁环主要应用于 EPS 电机、伺服电机等。热压钕铁硼不使用重稀土,但可实现与烧结媲美的磁性能。据测算，随着汽车 EPS 市场爆发，热压钕铁硼市场规模有望由 2012 年的 1500 吨快速增至 2017年的 5000 吨，相当于近半个粘结钕铁硼市

83、场规模。4.1.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术铂电极浆料主要用于汽车氧传感器中各种功能电极的制造。预测我国每年对汽车氧传感器的需求量至少在 2-2.5 亿只，用于生产氧传感器的铂浆年用量达到 10000kg，价值约 40 亿元。4.1.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材高纯铂合金靶材是制造高性能的 65nm 甚至更小特征尺寸的 IC 器件的必需材料。随着半导体集成电路集成度的提高和电路规模的增大，电路中单元器件尺寸不断缩小，图形特征尺寸成为每一代集成电路技术的特有表征。而特征尺寸的减小，原广泛用于特征尺寸为130nm 和 90nm 的钴基、钛基硅化物的触头已经不再适用，而应用

84、在65nm 及以下特征尺寸的硅化物主要为 Pt-硅化物触头。利用铂合金在应变晶格半导体衬底上形成 65nm 间隙的晶体管，这样制成的金属- 半导体器件具有低功耗、大电流、超高速等特点。目前，国际主流生产工艺技术已经由 90 纳米工艺技术过渡到 65 纳米技术，而特征尺寸的减小促使用于晶体管形成和加工的半导体材料得到发展。4.1.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材圆片级超高纯铜靶材主要用于电子封装技术。作为封装的配套材料，是一种技术难度大、附加值高的高技术产品，但由于国内研究及生产水平的限制，该类材料目前多依赖于进口，且价格十分昂贵。目前，该产品向着高纯度、大面积、细晶粒的方向发展。随着集成电路

85、制造技术的发展，芯片 I/O 数量的增加对封装技术提出了不断提高封装密度和封装效率的要求，同时，现代电子产品越来越复杂的功能、体积的轻、薄、短、小，也对封装技术提出了不断减小体积和重量的要求。封装行业呈现出向着高密度、多 I/O 数系统封装（SiP）、高频、大功率、薄型化、微型化、不对称化和低成本化、多芯片封装、三维立体封装和绿色环保化等方向发展。4.2 国内同类产品主要研发机构和生产厂家开发、生产情况4.2.1 大直径蓝宝石衬底材料国内蓝宝石晶体生长的企业还处于初期建设阶段，以云南蓝晶科技股份有限公司哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司公司为代表。云南蓝晶科技股份有限公司成立于 2002 年，是

86、专门从事晶体生长设备制造、晶体生长工艺研究、开发、生产，以及 LED 衬底片生产的现代高新技术企业。云南蓝晶科技股份有限公司已成为国内规模最大的光电子 LED 半导体照明衬底片生产及研发企业。但采用“坩埚下降法”，晶体的质量不高，只能用于低端客户，前景不乐观；哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司拥有两条蓝宝石晶体生产线，晶体生长 设备约 80 台，能够生长直径 200-250mm 的蓝宝石晶体，最大晶体尺寸 325260mm、重 68.58 公斤，因晶体质量也未批量用作 LED 衬底；光电新材料公司从 2012 年开始进行蓝宝石晶体的研发工作， 采用热交换法和泡生法进行晶体生长，结合热交换法和泡生

87、法的特点， 研发出改进的热交换法，生长晶体尺寸能够达到直径 150mm，长度280mm，重量 20kg。2011 年光电在蓝宝石发展势头迅猛时期瞄准蓝宝石发展的大尺寸，目标是建立大直径蓝宝石的晶体生长平台。大量调研后，在当时条件下，最终引进美国 TT 公司蓝宝石炉，TT 公司只承诺提供设备，没有成熟的蓝宝石晶体生长技术。虽然引进TT 蓝宝石炉目前生长出蓝宝石晶体重量达 90 公斤，但生长的蓝宝石晶体与Rubicon、Monocrystal 相比，晶体完整性差，有气泡、开裂等， 还存在较大的差距，因此，蓝宝石晶体生长技术需要进一步的研究和 提升。4.2.2 垂直梯度凝固砷化镓国内外生产 GaAs

88、 的规模企业一共十家左右，基本集中在日本和中国。现在日本依然是 GaAs 材料最大的生产国，然而中国在材料、人员成本占优的情况下，竞争优势将越来越大。目前， 微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric）、费里伯格（Freiberger Compound Materials ）、日立电线（Hitachi Cable）和美国 AXT 等四家大公司手中，主要以生产 4 英寸和 6 英寸砷化镓材料为主。目前，中国的砷化镓材料生产企业主要以 LED 用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用 46 英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。中国大陆从事砷化镓

89、材料研发与生产的公司主要有：中科晶电信息材料（北京）有限公司、北京通美晶体技术有限公司（AXT）、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团 46 研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营 542 厂）等九家。国内最主要的竞争来自于在一家合资公司中科晶电。这家公司采用 VGF 技术，技术较成熟，规模较大，产品种类也较多，且整个切、磨、抛生产链完备。国内其它几个公司规模较小，且技术水平较低，跟国外还有较大差距。因此，光电的VGF GaAs 产业必将有广阔的前途。4.

90、2.3 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术国内同类产品主要生产企业有：烟台希尔德新材料有限公司（重点生产氮化物系列红色荧光粉）、北京中村宇极科技有限公司（重点生产氮化物、氮氧化物系列荧光粉）、江苏博睿光电有限公司（重点生产铝酸盐系列、氮化物系列荧光粉）。4.2.4 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术国内同类产品主要生产企业有：江苏国盛稀土公司、保定稀土资 料查验厂、广东珠江稀土公司等。江苏国盛主要从事稀土分离提纯， 生产各种稀土氧化物及盐类；公司现有北方稀土矿分离生产线两条， 南方稀土矿分离生产线一条，生产规模按处理稀土矿计算：南方离子 矿 3000 吨年，北方矿 6000 吨/

91、年。公司是通过国家环保部核查合格和国家工信部稀土生产准入通过的企业，通过质量、环境、健康三 大体系认证，拥有“国盛稀土”注册商标及自营进出口权；河北省保定 市稀土材料试验厂主要生产销售稀土抛光粉、玻璃澄清脱色用氧化铈、各种粒径稀土氧化物、稀土精矿、碳酸铈等；广东珠江稀土公司主要 生产和经营各种稀土氧化物。4.2.5 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备目前国内没有同类产品的开发和生产。国外的同类产品主要是日本大同电子等，其中大同电子的与本项目的产品比较接近，其年产量不大，因此本项目的产品在国内外竞争压力小，可以销售到国内外。4.2.6 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发国内同类产品主要生产企业

92、有：呼和浩特市科元胜力稀土有限公司、包钢稀土高科股份有限公司、甘肃稀土公司、包头华美稀土高科公司、中国稀土控股公司、溧阳方正罗地亚稀土有限公司和江阴加华公司等。4.2.7 热挤压磁环用片状磁粉的研发目前，只有日本大同（Daido)一家公司能够批量生产热压钕铁硼磁体，国内成都银河筹建了 300 吨热压磁体生产线，在前期产品的市场开发中与上述两单位建立了良好的关系，若能稳定开发出该磁粉， 有望形成批量供应。4.2.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术目前，国内主要有两家专业从事汽车氧传感器用铂浆的研发和生产企业，亿金新材料有限公司和贵研铂业公司。亿金的铂电极浆料的国内市场占有率达到 80%以上，

93、产品性能已达到国外同类产品水平，在国产汽车氧传感器领域已全面替代国外产品。目前亿金的铂电极浆料产品市场售价比进口产品平均低 20%，具有较强的市场竞争力。4.2.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材产品主要应用于 65nm 高端半导体集成电路制造工艺，亿金现究领先于国内同行业其它厂商，是国内唯一通过验证的生产厂家。价格低于国外同类产品，具有相当的市场竞争力，对于国内半导体制造企业摆脱长期依赖进口靶材的局面有着重要意义。4.2.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材产品主要应用于集成电路圆片级先进封装，亿金现究领先于国内同行业其它厂商，是国内唯一通过验证的生产厂家。价格低于国外同类产品，具有

94、相当的市场竞争力，对于国内集成电路封装制造企业摆脱长期依赖进口靶材的局面有着重要意义。4.3 产品的国内外市场竞争力，替代进口或出口的可能性光电的产品由于其技术含量高、生产难度大、单位价值高， 下游客户一般对光电材料厂商的认证要求较高，形成一定的市场进入门槛。光电作为国内最早进行光电材料研发和生产的厂商之一， 在国内市场深耕多年，已经取得许多国内优质客户的认证，并与其建立了长期合作关系，同时，光电作为光学级锗晶体等产品在国际市场的主要供应商，与国外大客户建立了较稳定的供货关系，占据较大的国际市场份额。由于光电的产品具有良好的发展前景，其在产品的研发、生产和销售领域具有突出的优势。在产品技术得到

95、突破后，质量和成品率将达到国内先进水平，成本将低于国外产品，届时产品将具有很大的市场竞争力，可以大量进入国内外市场，完全有可能替代进口产品。目前，蓝宝石以 2 英寸单晶片为例，每片约 10 美元；4 英寸 VGF-砷化镓抛光片价格为 240 元/片。稀土是我国最早从事稀土研究的单位之一，随着近几年地快速发展，在产品质量以及技术的成熟度上都得到了国外市场的认可， 与台湾亿光、台湾隆达、美国 FULIGHT、国星光电、鸿利光电、瑞丰光电等 200 余家国内外知名企业取得了长期的稳定供货关系。通过这次白光 LED 用新型高性能荧光粉、低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术、各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术

96、及装备、离子型稀土矿高效清洁提取技术开发以及热挤压磁环用片状磁粉等五大科技创新技术的研发，通过重点突破产品技术使得质量和成品率将达到国内先进水平，成本将低于国外产品，届时产品将具有很大的市场竞争力， 可以大量进入国内外市场，完全有可能替代进口产品。亿金本项目涉及的铂族金属电子信息功能材料、集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材和圆片级先进封装用超高纯铜靶材技术含量高，市场准入门槛高。铂电极浆料产品已获得国产汽车氧传感 器领域制造商的广泛认可和接受，产品性能已达到国外同类产品水平， 在国产汽车氧传感器领域已全面替代国外产品，产品市场售价比进口 产品平均低 20%，具有较强的市场竞争力；高纯铂合

97、金靶材要求高， 制备难度大。同类产品只有日本的日矿和美国的霍尼韦尔可以制备， 市场竞争对手较少。亿金在材料纯度、靶材微观组织控制、焊接 及加工方面都有着丰富的经验。国内半导体集成电路厂商和台湾厂商 为主要潜在的客户。未来可以实现替代进口，并可以出口海外集成电 路厂商；圆片级先进封装用超高纯铜靶材只有日本的日矿、东曹、爱 发科，美国的霍尼韦尔、普莱克斯等厂家可以提供。国内江丰电子靶 材通过引进国外生产线，可制备部分生产圆片封装类铜靶材，由于是 外购国外高纯铜原料产品成本比较高，无价格优势。亿金掌握了 高纯铜的电解提纯，铸锭熔炼和高纯铜靶材的制备等一系列核心技术， 高纯铜靶材的成本较国外同类产品价

98、格低 30-50%，具有明显的竞争优势，产品通过认证后，能够完全替代国外同类产品。5、实施方案5.1 开发计划针对本项目各子项目需要开展的研发工作，初步确定项目执行期为 2 年，针对研发内容，分别制定各子项目工作计划如下：5.1.1 大直径蓝宝石衬底材料第一阶段，完成 TT 蓝宝石单晶生长方法的消化吸收工作，确定单晶生长关键运行参数和技术方案。第二阶段，采用 TT 的生长工艺进行晶体生长，得到 75 公斤以上蓝宝石晶体，单晶成晶率达到 70%。申请专利 1 项。第三阶段，完成 TT 蓝宝石单晶炉和国产单晶炉生长工艺的改进， 使晶体中气泡进一步减少，消除晶体的开裂现象，使单晶成晶率提高到 90%

99、，晶体可掏棒部分达到 80%。第四阶段，使蓝宝石晶体生长工艺进一步成熟，掌握蓝宝石晶体产业化技术，可稳定生长 75 公斤以上 LED 级蓝宝石晶体。申请专利1 项。5.1.2 垂直梯度凝固砷化镓第一阶段，设计建造 VGF-GaAs 单晶炉设备，设计 VGF-GaAs单晶生长设备的关键运行参数和单晶生长的技术方案。第二阶段，根据单晶研制工艺需要，改进单晶炉机械和加热部件的设计，进行设备定型，并确定试验的初步工艺参数。申请专利 2 项。第三阶段，进行接籽晶、放肩、等径收尾等工艺研究，确定基本的研究方法和工艺参数。拉制出一根4 英寸 VGF-GaAs 合格单晶。第四阶段，4 英寸掺硅 VGF-GaA

100、s 单晶关键技术获得突破，单晶技术指标满足要求，向外延厂商提供样片。进行单晶工艺稳定性研究， 并提供小批量样品；进行晶片加工工艺研究，小批量提供晶片。申请专利 1 项。5.1.3 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术第一阶段，深入考察该系列荧光粉的晶粒生长动力学及热力学过程，探索小粒度近球形白光 LED 用铝酸盐系列黄色荧光粉制备技术； 探索荧光粉抗氧化、抗潮解关键技术。申请专利 1-2 项。第二阶段，开发小粒度近球形白光 LED 用铝酸盐系列黄色荧光粉以及大粒径氮化物红色荧光粉的关键规模化制备技术，以及具有自主知识产权的新型氮化物/氮氧化物荧光粉，探索提升白光 LED 荧光粉老

101、化能力的关键技术，实现高耐候性白光 LED 荧光粉小规模制备。申请专利 1-2 项，发表 SCI 论文 1-2 篇。第三阶段，设计及开发氮化物系列红粉的连续化动态氮化技术， 以及黄色、红色和绿色荧光粉光色匹配及应用物性匹配的 LED 封装试验，优选适宜的匹配性能参数及其条件，为高性能白光 LED 器件制作提供材料和理论基础。申请专利 2-3 项。第四阶段，突破小粒度、近球形远程激发用铝酸盐系列黄粉及常压低成本制备氮化物荧光粉的产业化关键技术和装备，形成年产 20 吨生产上述荧光粉的工程化技术开发平台。申请专利2-3 项，其中PCT 专利 1 项，发表 SCI 论文 2-3 篇。5.1.4 低碳

102、低盐无氨氮萃取分离稀土新技术第一阶段，研究开发低碳低盐无氨氮萃取分离提纯稀土新技术。第二阶段，研究开发特殊物理性能高纯稀土制备技术。第三阶段，设研究开发酸、盐及二氧化碳循环利用技术。第四阶段，技术集成、工艺优化、工业装备及自动控制系统的开发。第五阶段，建设完成 1 条 3000 吨/年规模低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术示范线。5.1.5 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备第一阶段，完成产业化过程中快淬、晶化、氮化工艺的标准化制定。第二阶段，对磁性能开展服役性能研究；通过磁体厂家 10kg 级样品评价。第三阶段，通过磁体厂家 100kg 级评价，并实现单炉 100kg 级快淬。第四阶段，建

103、成年产 600 吨规模的生产线。5.1.6 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发第一阶段，离子型稀土矿高效绿色协同浸取技术研究。第二阶段，浸取剂无毒无害化处理技术研究。第三阶段，离子型稀土矿分段沉淀富集技术研究。第四阶段，离子型稀土矿萃取富集技术研究。5.1.7 热挤压磁环用片状磁粉的研发第一阶段，研究连续快淬过程中的冷却速度、浇铸温度等工艺参数对磁粉的微结构、晶粒大小等的影响。第二阶段，研究各工艺参数对快淬薄带厚度均匀性的影响。第三阶段，研究不同硼含量及中重稀土含量对磁粉的磁性能、微观结构的影响。第四阶段，各指标完全达到项目要求，完成年产 300 吨规模磁粉生产线建设。针对铂族金属电子信息功能材

104、料产业化技术、集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材和圆片级先进封装用超高纯铜靶材项目需要开展的各项研发工作，亿金初步确定项目执行期为 2 年，并分别制定工作计划如下：5.1.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术第一阶段：制定总体技术方案；完成设备购置和安装调试；高致密度超细球形铂粉和片状铂粉制备工艺研究，确定片状铂粉的分级方法和工艺。第二阶段：完成催化铂电极浆料、加热铂电极浆料、引线铂电极浆料、触点铂电极浆料的制备工艺和配方研究；完成各型号铂电极浆料物理性能、印刷性能、烧结性能、电化学性能的测试研究。第三阶段：完成宽域汽车氧传感器相关配件的设计和制作，完成宽域氧传感器的制备；开展发动机台

105、架测试和老化试验。第四阶段：开展铂电极浆料加工工艺研究，形成系列铂电极浆料的批量生产技术规范。5.1.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材第一阶段：靶材的真空熔炼，变形加工，控制高纯金属及合金的显微组织。第二阶段：选择合适机加工方式，实现靶材与背板的焊接。第三阶段：完成靶材的精密成形加工、性能检测；靶材的镀膜性能评价。第四阶段：建立贵金属靶材的产品规范和分析标准，实现靶材的批量化生产。5.1.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材第一阶段：完成纯度大于 5N 超高纯铜真空熔铸制备工艺。第二阶段：完成靶材微观组织及织构控制。第三阶段：完成靶材与靶托的可靠焊接及靶材精密加工。第四阶段：完成圆片

106、级先进封装用高纯铜靶材清洗及包装。5.2 技术方案5.2.1 大直径蓝宝石衬底材料（1） 大直径蓝宝石晶体生长热场的设计温度梯度是从熔体中生长单晶最重要的因素，温度梯度大，则热应力大，晶格易发生畸变，形成大量位错，甚至产生裂纹破裂，严重影响晶体质量；温度梯度小，则不容易控制，合适的温度梯度是大直径蓝宝石晶体生长的前提。蓝宝石晶体生长的热系统包括：三组钨丝加热器、钨钼隔热屏、坩埚。通过数值模拟，结合实验研究，给出目前条件下适合 90kg 级蓝宝石生长的各部件结构、形状设计要求、晶体生长过程控制参数及多加热器联动关系，通过调整影响热场各部件结构和晶体生长过程工艺控制参数，严格控制晶体引晶、结晶、降

107、温全过程中加热器的功率变化及联动规律，实现晶体生长过程中固液界面形状和推进速度的控制，生长出大直径、高质量、高完整性蓝宝石晶体。（2） 消除晶体开裂的研究蓝宝石晶体是脆性晶体。晶体生长过程中脆性晶体的应变与其热膨胀系数、晶体的直径、轴向温度梯度有密切关系，其中最大轴向温度梯度与热膨胀系数反比。在晶体生长过程中，不论是结晶过程还是晶体生长完成后冷却过程，晶体内均存在温度梯度，研究晶体生长过程中固液界面形状及温度梯度随加热器的功率变化规律，通过三加热器联动控制就能达到抑制晶体生长过程晶体的开裂。（3） 气泡等散射中心浓度的控制研究由于液态蓝宝石的比重比固态小，固化过程中收缩剧烈，如果固 液界面的移

108、动速度与界面返料以补偿收缩过程不对等，空位容易形成， 因此，必须严格控制晶体的生长速率。同时，晶体生长过程中，环境中的气体（蓝宝石蒸气、亚氧化物、加热区的碳化物、钼氧化物等） 都能在凝固过程中结合到蓝宝石中，表现出散射中心的性质，且气体的种类和数量随温度的升高而增加，因此有必要研究散射中心浓度随温度、真空度变化关系，降低散射中心浓度。研究晶体生长过程中固液界面形状的稳定性及推进速率对气泡等缺陷尺度和浓度的影响规律，从而找到相对应的三加热器联动变化参数，最终实现对蓝宝石晶体中气泡尺度和浓度的控制，提高蓝宝石晶体的光学、力学性能。（4） 降低热应力研究晶体生长过程中，结晶过程和晶体生长完成后冷却过

109、程，晶体内均存在温度梯度（包括径向和轴向温度梯度）和热应力。在结晶生长中，晶体中存在温度梯度是能够生长的必要条件，实验表明，晶体中的固液界面形状在晶体生长过程中不可能总保持平面，只要等温面不是平面，就存在温度梯度，晶体内存在热应力。在冷却过程中，晶体中的热应力是不可忽视的，不适当的降温速率会损坏晶体。优化设计适合大尺寸蓝宝石单晶生长热场和拉晶工艺条件，和晶体生长后的蓝宝石晶体进行原位退火研究，消除晶体中的残余应力同等重要。5.2.2 垂直梯度凝固砷化镓本项目主要进行 VGF 单晶炉和单晶生长工艺的研究。研究步骤如下所示：（1） 设备研究：研制并改进既能用于 VGF 法，也能用于 VB 法的单晶

110、生长设备单晶炉。（2） 工艺研究：进行接籽晶、放肩、等径收尾等工艺研究。（3） 单晶研制：在上述基础上研制4 英寸 GaAs 单晶。（4） 研究立式长晶法 4 英寸 GaAs 单晶批量化生产关键技术， 稳定单晶生长工艺，单晶成品率最终达到 30%以上。5.2.3 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术（1） 采用高温固相还原法制备高光效、近球形、小粒径铝酸盐荧光粉，通过引入助剂改的技术手段善荧光粉晶粒的结晶性能；通过使用特性添加剂和对晶化温度、保温时间、还原气氛等条件的精细化调控，确定最佳制备工艺。最后借助柔性解聚技术，对焙烧产物实施无破损解聚。（2） 通过差热热重分析、量热分析、

111、比热测定等，确定未知的氮化物材料的化学键和热力学数据；对(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+制备过程中涉及的氮化合成还原反应的多元多相平衡进行热力学分析； 采用 O/N 分析仪等分析粉体中的氧/氮含量，研究反应过程中氧与氮的竞争以及氧分压对反应的影响；用常压高温氮化还原法和高压高温氮化还原法制备氮化物红粉和氮氧化物绿粉样品，改变焙烧气氛、温度和时间等参数，探索最佳制备工艺条件。（3） 采用 X 射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）及能谱分析仪（EDS ）等对各系列、各阶段反应产物进行结构、形貌及元素分析；利用分光光度计、光谱分析系统以及光电测试系统测试上述荧光粉的激发/发射光谱、量子效率、荧

112、光寿命、发光强度、发光亮度、色坐标、半峰宽、发射峰位等光色性能。5.2.4 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术（1） 运用 X 射线衍射、X 射线荧光光谱分析、差热和热重分析等确定轻烧白云石的 矿物工艺学性质、理化性能和热分解行为。（2） 依据化学热力学和动力学，研究轻烧白云石制备碳酸氢镁溶液的反应机理，并通过气液固或水有气等多相反应动力学模型 的构建，为产业化技术开发提供指导，从而强化制备反应过程和控制过程走向，提高轻烧白云石的有效利用水平。（3） 结合 ICP-MS 分析、分光光度计、二氧化碳气体分析仪以及 EDTA 容量法等化学分析手段，研究萃取机理，以及钙镁等碱土金属离子、CO2 气体在

113、整个体系中的循环传递过程。（4） 运用沉淀和结晶技术，研究新型廉价、纯净的碱土金属沉淀剂纯化技术和稀土结晶沉淀工艺，通过溶解积差异对非稀土杂质的沉淀结晶行为进行控制。（5） 借助粒度分析、比表面分析、扫描电镜分析等物理性能手段来表征稀土氧化物的粒度、比表面、形貌等物性指标，建立这些指标同沉淀合成工艺之间关联性，优化沉淀工艺。5.2.5 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备本项目采用具有自主知识产权的超急冷连续快淬技术及装备，实 现各向同性钐铁氮粘结磁粉的稳定成相、均匀氮化等关键技术的突破， 从而实现相关产品的规模化生产。目前需要继续完善的内容是稳定快淬工艺和产能提升，保证连续快淬稳定生产，解

114、决此问题需要严格监控整个快淬过程，完善在线取样与性能控制方式。制备工艺如下：配料合金熔炼连续快淬晶化、氮化性能检测ICP、XRD、TEM、SEM 等分析表征VSM 等测量5.2.6 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发（1） 用 X 射线衍射、X 射线荧光光谱分析、差热和热重分析等确定离子型稀土矿的矿物工艺学性质、理化性能和热分解行为。（2） 用 ICP-MS 分析、分光光度计、原子吸收仪以及 EDTA 容量法等化学分析手段，研究稀土和非稀土杂质浸出规律，以及钙镁等碱土金属离子整个体系中的循环传递过程。（3） 依据化学动力学和热力学，采用红外光谱仪、拉曼光谱仪等研究非皂化萃取富集机理，从而强化反应

115、过程和控制过程走向。5.2.7 热挤压磁环用片状磁粉的研发（1） 热挤出磁环用磁粉的成分设计研究不同稀土含量，不同硼含量对磁粉的磁性能、微观结构的影响；研究过渡族元素 Ga、Al 等对界面相结构的影响，研究界面相的成分对热挤出磁环的热流变过程影响。（2） 热挤出磁环用磁粉的稳定制备工艺研究研究连续快淬过程中的冷却速度、浇铸温度等工艺参数对磁粉的微结构、晶粒大小等的影响，实现批量化稳定制备。（3） 高性能无中重稀土热挤出磁粉的研究研究无中重稀土磁粉的成分设计，研究快淬工艺对磁粉性能的影响规律以及热挤出磁粉矫顽力提高机制。5.2.8 铂族金属电子信息功能材料产业化技术针对宽域汽车氧传感器用的系列高

116、性能铂电极浆料的研究和开发，采取的技术路线为：球形铂粉制备-机械球磨及热处理-铂电极浆料制备-印刷、烧结-氧传感器装配-使用性能评价。通过化学还原法制备具有不同粒度、形貌的铂粉；通过机械球磨法和粉体分级方法获得具有较高结晶度、粒度分布窄的状铂粉的制备工艺；研究不同性质铂粉搭配及添加烧结收缩抑制剂的影响，从而提高铂电极浆料的高温烧结性能，改善铂浆与氧化锆流延片在复杂结构下的烧结匹配性；采用不同性质铂粉搭配、添加造孔剂、添加剂等方法，获得不同规格电极浆料。5.2.9 集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材针对集成电路 65 纳米制程工艺需求，研究开发和完善高纯靶材制备技术和品质控制技术，采取的技

117、术路线为：熔炼铸造-锻造轧制及热处理-靶坯薄板加工-靶材与背板的焊接-精密加工。通过控制靶材的微观组织，获取细小等轴的晶粒，在保证靶材溅射性能的同时，提高靶材的韧塑性，在此基础上，进行靶材机加工方式选择，保证靶材薄板坯的加工过程中变形小，回收率高。本技术方案能够严格控制靶材的微观组织和形状尺寸，其优势是铸件和旋压件无法比拟的；对于靶材与背板的焊接，采用钎焊焊接，严格控制焊接工艺，避免焊接过程中的变形，本技术方案简单、可靠、成本低。5.2.10 圆片级先进封装用超高纯铜靶材针对高纯铜靶材产品的技术开发与生产线建设，采取的技术路线为：熔炼铸造-强塑性变形及热处理-靶材与背板的焊接-靶材精密加工-清

118、洗包装。通过真空铸造获得高纯（5N 以上）大尺寸 Cu 锭坯，采用 GDMS、LECO 分析金属杂质元素及气体元素、超声扫描检查锭坯缺陷率；对铸锭进行强塑性变形及热处理，实现材料的大尺寸细晶均匀成形，对高纯铜的晶界进行优化，防止晶粒的异常长大；对焊接工艺进行优化， 在实现大尺寸靶材的可靠焊接同时，避免焊接区域的靶材微观组织发生变化；对靶材进行结构优化设计，进一步提高靶材的使用寿命；对靶材进行精密加工，满足靶材表面高光洁度要求，同时避免产生应力层，缩短溅射烧靶时间；针对高纯铜靶材的特性建立特定的清洗包装工艺，避免靶材变质。5.3 生产方案5.3.1 光电5.3.1.1 原材料供应光电项目所需的原

119、辅材料主要为三氧化二铝、镓、砷、石墨、石英等主辅材料，均可在国内采购，供应渠道畅通，供货质量稳定。根据科研生产工作的实际需要确定用量。根据科研生产工作的实际需要确定用量。5.3.1.2 配套条件落实光电所在的廊坊开发区已建有锗晶体楼、半导体楼、高纯化学楼、综合楼、附属用房等 8 处房屋，总建筑面积 23,680.97 平方米，及账面净值 3,813.37 万元的生产设备。园区内全部实现通路、通讯、通暖、给水、排水、工业蒸汽、燃气、宽带网和土地平整的“九通一平”工业配套标准。并建有标准化污水处理厂、垃圾处理厂等先进设施，享有双回路供电保障。园区水源为市政给水管网直接供给， 进厂水管干管直径DN1

120、50mm、厂内支管直径分别为 DN150mm、DN90mm、DN75mm、DN63mm、DN40mm，供水压力为 0.25MPa，布置方式为枝状。园区现有循环水池 200m3，兼具消防水池功能，设室内消火栓。项目不新增人员，生活用水维持不变。工艺用水利用原有：蓝宝石晶体和砷化镓制备中，清洗、加工、高纯区均需要用工艺超纯水，其电阻率达到 18M，纯水需求量约为 2t/d。现有生产线纯水系统能够满足要求；单晶炉有冷却循环水要求，园区内现有循环水系统，供水能力为 500 吨/小时，能够满足项目要求。园区进厂电源为 10 千伏双回路供给，园区内变电所设有变压器， 型号为SCD 10-1000/10。园

121、区用电总容量为 3500 千瓦，目前用电负荷为 30%，本项目新增设备用电量有限，用电有保障。5.3.1.3 生产设备来源光电本次承担的蓝宝石和砷化镓项目将利用廊坊开发区现有的半导体楼、高纯化学楼，以及现有的生产设备，同时新增少量研发设备进行项目的实施，新增设备用途及选型说明如下：（1） 大直径蓝宝石衬底材料大直径蓝宝石衬底材料项目在原有生产线的基础上，新增 3 套晶体生长控制系统、3 台小型球面铣磨机、1 台立式铣磨机，为蓝宝石晶片加工技术研究提供支撑，新增设备如下表所示。序号新增设备技术参数数量（台）备注1晶体生长控制系统加热功率控制：0.01kw/min 信号采集：6 秒 1 个节点屏幕

122、：15 寸触摸屏， WINDOWS 视窗形式扫描系统：CCD 图像扫描3控制蓝宝石晶体生长过程2球面铣磨机加工范围：3-120mm 加工角度：0-45前后移动距离：120mm 左右移动距离：101mm 总功率：2kw气压：0.5Mpa3蓝宝石单晶及小窗口加工3立式铣磨机加工范围：150-350mm 加工角度：-2-48工件轴移动行程：240mm 工件轴转速：20-120r/min X 轴移动行程：-80-100mm 工件轴转速：500-50000r/min最小分辨率：0.005mm 刀具：砂轮1蓝宝石单晶及大窗口加工（2） 垂直梯度凝固砷化镓垂直梯度凝固砷化镓项目在原有生产线的基础上，新增 1

123、 台磨片机和 1 台单线切割机，为晶片加工技术研究提供支撑。新增设备用途及选型如下所述，新增设备如下表所示。第 110 页序号新增设备技术参数数量（台）备注1自动磨片机速度：0.75pics/min 要求：去掉加工痕迹1单晶片磨片2单线外圆切割机工作台行程：400500 最大切割厚度：400mm 最大承重：400kg控制：电脑编程控制系统，可加工绘图同时进行砂线宽度：0.65-0.8mm1单晶外圆加工5.3.2 稀土5.3.2.1 原材料来源稀土项目所需的原辅材料主要为高纯稀土氮化物、氧化物、碳酸盐、轻烧白云石、萃取剂、盐酸、草酸、稀土金属钐、金属钴、金属锆、纯铁、氮化硼喷嘴（BN）、稀土精矿

124、、煤油、硫酸、氧化镁、氧化钙、硫酸镁、稀土镨、金属钕、硼铁合金等主辅材料，均可在国内采购，供应渠道畅通，供货质量稳定。根据科研生产工作的实际需要确定用量。5.3.2.2 配套条件落实稀土基地位于北京市通州区东北的潮白河北岸，占地 187 亩，水面 225 亩。已建有还原-蒸馏车间、中间合金生产车间、熔盐电解车间、速凝铸片（SC）车间荧光粉车间及碘化物车间、新品研发车间（粘结磁粉）和稀土金属超纯化中试车间等 7 个车间，主要负责稀土金属、稀土合金、稀土荧光粉及稀土化合物等各类科研生产及产业化开发任务，共占地 6880 平方米。建发实验室、库房、分析检测和办公等辅助设施，确保科研工作的顺利进行。供

125、水：基地建有 2 口 120m 深水井，其中生产用井供水量为 80m3/h， 车间外建有地下循环水池，生产设备均使用循环水，冷却水经冷却塔第 119 页冷却后循环使用，因此现有供水条件能够满足项目要求。基地具有完 善的排水系统，并建有污水处理站。项目无生产废水，生活污水由职 工宿舍和车间排出的生活污水，经化粪池进行处理后排入污水处理站， 由污水处理站处理后排入潮白河下段。供电：项目基地内现有供电变压器有 3 台 1250kVA，1 台 500kVA，且电力配置从原来的 1260 千伏安增至 2700 千伏安，实现北京和三河双路供电，满足实验和生产的需要。5.3.2.3 生产设备来源本项目利用基

126、地现有的设备，同时新增部分设备，完成稀土本次承担的五个子项目，新增主要设备情况简单介绍如下：（1） 白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术项目在原有线的基础上，新增3 台烧结炉和6 台荧光粉原料预处理及后处理设备， 为白光 LED 用新型高性能荧光粉技术研究提供支撑。（2） 低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术项目在原制线的基础上，新增搅拌器、恒温水浴装置、抽滤装置、反应釜、烘箱及马弗炉等设备。（3） 各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备项目在原制线的基础上，新增快

127、淬炉连续晶化炉、气固反应炉、磁粉破碎机、高压氮化炉、老化试验箱、旋管式动态真空连续晶化炉等设备，新增设备如下表所示。序号设备名称数量（台/套）备注1快淬炉1磁粉快淬2连续晶化炉23气固反应炉1常压下钐铁合金粉末的氮化4磁粉破碎机15高压氮化炉1高压下合金粉末的氮化6老化试验箱17旋管式动态真空连续晶化炉18真空合金精炼炉2熔炼法制备钐铁和钕铁硼的母合金（4） 离子型稀土矿高效清洁提取技术开发离子型稀土矿高效清洁提取技术开发项目利用原有设备，不新增设备。（5） 热挤压磁环用片状磁粉的研发热挤压磁环用片状磁粉研发项目在利用原有设备的基础上，新增1 台连续快淬炉。5.3.3 亿金5.3.3.1 原材

128、料来源亿金项目所需的原辅材料主要为 Pt、镍、无氧铜、硫酸铜、铟等主辅材料，均可在国内采购，供应渠道畅通，供货质量稳定。根据科研生产工作的实际需要确定具体用量。5.3.3.2 配套条件落实亿金所在的北京中关村科技园区昌平园，总占地面积 26680 平方米，其西侧是昌盛路，隔路与百奥药业科技公司相望，南为超前路，北为利亚德电子公司。京昌高速公路在园区西部通过，距园区约1km，交通运输方便，有利于项目的实施和与国内用户的联系。园区供电由科技园区东南方向的昌平科技园区 3 号开闭站供应，距离园区约 500 米，可满足项目的用电需求。园区给水接自科技园区给水管网，水压 0.3MPa，接入厂区干管直径

129、DN150，支管直径 DN100。园区内设有 300m3 蓄水池和给水泵房，可保证项目生活、生产用水和消防用水的需要。5.3.3.3 生产设备来源亿金本次将利用昌平园区现有的厂房，以及现有的生产设备如高频熔炼炉、中频熔炼炉、热压炉、冷轧机等设备等进行项目的实施，本项目不新增设备。在铂族金属电子信息功能材料产业化技术研发项目中，通过GDMS 测试、台架试验、老化试验等，对研制的铂粉等进行纯度、老化试验等各种测试化验；通过对氧化锆流延片加工、丝网制作、氧传感器壳体加工、氧传感器保护层加工，以确保浆料的加工及过程稳定可控。在宽域汽车氧传感器用的系列高性能铂电极浆料项目中，为了评价课题研发成果，必须对

130、研制的高纯原材料、靶材等进行纯度、微观组织、物理性能等各种测试化验，需进行 GDMS 测试、ICP-MS 测试、LECO 测试、SEM 分析、织构分析、PTF 透磁测试，以达到项目指标要求。为满足靶材焊接强度等要求，通过模具加工、刀架加工、焊接、锻压、背板加工费、焊接前处理（电镀）等，对靶材及背板进行焊接前处理等加工。在圆片级先进封装用超高纯铜靶材项目中，为了评价课题研发成果，通过GDMS 测试、ICP-MS 测试、LECO 测试、织构分析、金相分析对研制的高纯原材料、靶材等进行纯度、微观组织等各种测试化验，以达到项目指标要求。在加工过程中，通过模具加工、电解槽加工、焊接前处理（电镀）、背板加

131、工费、锻压、焊接，对靶材及背板进行焊接前处理等加工。5.4 营销方案光电采取直销和代理结合的销售模式：国内销售采取直销渠道；国外销售采取代理模式。客户群体主要面向光纤行业和光电器件制造业。稀土的国内销售以直销模式为主，占国内销售额约 90%的稀土金属及合金产品采用直销模式，占国内销售额 10%左右的荧光粉产品主要采用代理销售模式；国外销售以代理销售为主。稀土的主要销售对象是下游磁性材料、催化材料等，以及相关器件企业。客户类型主要为钕铁硼永磁材料生产企业、白光 LED 生产企业等。亿金根据不同产品和不同客户的具体情况，采取直销和代理相结合的销售方式。国内一般采用直销，国际市场一般采用代理模式，

132、通过代理商开拓市场。近年来，亿金已经拥有稳定的客户群体和代理体系，在行业内建立较好的声誉。客户类型主要为集成电路制造厂商、白光 LED 芯片制造厂商等。5.5 其它问题的解决方案5.5.1 生产过程中“三废“排放情况及处理措施新材高度重视环境保护工作，贯彻落实国家和地方关于环境保护的相关政策和法规，严格控制生产排放物对环境的影响，制定了环境保护相关制度。根据不同产品的生产工艺，分别设计了冷却水循环、腐蚀液和废料综合回收利用、废气处理排放等系统，减少工业三废排放，避免环境污染。 光电：项目的污染源主要为废水、噪声和固体废弃物。生产废水主要包括机加的地面冲洗水、清洗工段的废酸水等，废水经现有生产线

133、的含砷废水处理装置处理后，排入园区内污水管网。设备冷却水采用循环冷却水，循环使用，不外排；设备选用低噪声设备，并通过合理布置及基础减振措施，以减轻对厂界噪声的影响。通过对高噪声设备采取减噪措施，预计厂界噪声可满足工业企业厂界环境噪声排放标准（GB12348-2008）2 类标准要求；项目产生的主要固体废弃物包括生产废渣及生活垃圾。废渣主要为三氧化二铝碎料、GaAs 碎料、沉淀池中的三氧化二铝废渣、砷化镓及氧化砷废渣、石英废渣。含镓、砷的各种碎料、废渣集中收集送镓厂回收利用，其余废渣集中收集后进行统一处置。光电所在的廊坊经济技术开发区环境保护局于 2013 年 4 月出具关于光电新材料有限责任公

134、司环保核查意见，确认 光电没有发生污染事故，也不存在因违反环保法规而受到处罚的情形。 稀土：项目污染源主要为废水及粉尘。萃取车间碳酸氢镁皂化废水可直接回用于碳酸氢镁制备车间氢氧化镁调浆；高镁萃余废水通过去除油类、重金属和放射性可直接回用于碳酸氢镁制备车间碳酸氢镁碱转工序；高钠萃余废水，含氯化钠盐分浓度较高，通过去除油类、重金属和放射性，再进入三效蒸发系统回收氯化钠结晶；沉淀车间碳沉母液， 含氯化钠浓度较高，pH 值为中性，直接进入三效蒸发系统回收氯化钠结晶。各向同性稀土粘结磁粉设备运行过程中使用循环水冷却，无废水产生。在清理熔炼炉和快淬炉炉膛会产生部分粉尘，经风机抽出后通过湿法收尘处理后经 2

135、0 米高排气筒排空；按年产 600 吨磁粉计算，在熔炼和快淬工序约产钐铁废渣及粉尘 2 吨，送稀土分离厂回收。职业危害可能是粉尘引起的，工作期间佩戴专业防尘口罩。热挤压磁环用片状磁粉项目采用国际先进的生产工艺及设备，制备的热压磁环用磁粉，符合国家产业政策和环保政策，基本不产生大气污染物及工业废水，合金废渣实现集中回收循环再利用。因此，项目对周边环境影响较小，不会改变周围地区现有的环境质量等级。2013 年 5 月，北京市通州区环境保护局出具关于光稀土新材料股份有限公司环保核查意见，确认光电在生产经营过程中没有发生污染事故，也不存在因违反环保法规而受到处罚的情形。 亿金：根据危险化学品管理规定，

136、亿金在生产过程产生的废酸、废切削液与废机油，采取收集方式定期转移给有废弃物处理资质的北京金隅红树林环保公司进行无害化消纳，生活废水排入市政污水管网经昌平污水处理厂处理。固体废弃物有毒有害类沾油手套抹布转移给金隅红树林无害化消纳，生活废物收集后交市政环卫集中处理。根据北京市昌平区环境保护局出具的证明，亿金在近三年生产经营过程中没有发生污染事故，也不存在因违反环保法规而受到处罚的情形。5.5.2 职业危害因素及保护措施根据国家和地方的相关法规，新材制定了安全生产责任制度、安全生产管理规定、安全生产奖惩制度，以及安全检查、隐患整改、事故调查处理规定和从业人员安全教育、培训、考核管理制度等一系 列规章

137、制度。在生产过程中，新材向员工提供了安全可靠的劳动 保护，每年对所有员工进行一次职业健康安全体检。同时，新材 根据各主要产品的特点，完善了“三废”回收和循环工艺，改善安全生 产环境。 光电：本项目可能产生的主要职业病危害因素有机械伤害、物体打击、触电、起重伤害和火灾危险等。园区内布置保证物料运输和人员通行安全的道路，厂房内设备与设备之间留有安全操作距离；用电设备均采用装设漏电保护开关、安全联锁装置及保护接零等措施；园区内各建筑物内已装设有烟感探测器和自动火灾报警系统。廊坊经济技术开发区安全生产监督管理局于2013 年4 月出具关于光电新材料有限责任公司安全生产事宜的确认函，确认光电近三年在生产

138、经营活动中遵守国家安全生产相关法律、法规及规范性文件的规定和要求，依法采取合理的安全措施，没有发生过安全事故。 稀土：本项目可能产生的职业病危害因素主要有粉尘等。在清理熔炼炉和快淬炉炉膛会产生部分粉尘，经风机抽出后通过湿法收尘处理后经20 米高排气筒排空；按年产 600 吨磁粉计算，在熔炼和快淬工序约产钐铁废渣及粉尘 2 吨，送稀土分离厂回收。职业危害可能是粉尘引起的，工作期间佩戴专业防尘口罩。制备的热压磁环用磁粉，符合国家产业政策和环保政策，基本不产生大气污染物及工业废水，合金废渣实现集中回收循环再利用。因此，项目对周边环境影响较小，不会改变周围地区现有的环境质量等级。车间不存在特殊职业危害

139、，通过安全防护预防及日常劳保防护即可。北京市通州区安全生产监督管理局于 2013 年 4 月出具关于稀土新材料有限责任公司安全生产事宜的确认函，确认稀土近三年在生产经营活动中遵守国家安全生产相关法律、法规及规范性文件的规定和要求，依法采取合理的安全措施，没有发生过安全事故。 亿金：根据职业危害防治管理制度，亿金进行职业危害年度检测与现状评价，根据现状评价报告，针对噪声部位进行了部分隔离， 为员工配发了耳塞耳罩等防护用品，并为所有接触岗位进行职业健康体检。根据北京市昌平区环境保护局出具的证明，稀土近三年在生产经营活动中遵守国家安全生产相关法律、法规及规范性文件的规定和要求，依法采取合理的安全措施

140、，没有发生过安全事故。5.5.3 资质许可光电已经取得的许可和批复情况如下：项目文件文号水平砷化镓晶体片产业化示范工程立项文件计高技20011215 号环境影响报告表的审查意见廊开环管200110 号光电产业基地项目河北省固定资产投资项目备案廊开管招备字201127 号环境影响报告书的批复廊开环管2012110 号资质证书河北省技术贸易证书廊科技贸字第J399 号高新技术企业证书GF201113000097对外贸易经营者备案登记表进出口企业代码1300721611012海关进出口货物收发货人报关注册登记证书1310961080稀土取得相关资质许可情况如下：项目文件文号稀土行业准入工信部符合（稀

141、土行业准入条件）的企业名单（第三批）公告 2012 年第 65 号稀土专项环保核查环保部关于发布符合环保要求的稀土企业名单的公告（第一批）公告 2011 年第 83 号稀土出口配额许可证商务部关于公布 2013 年第二批稀土出口配额的通知商贸函2013340 号商务部关于公布 2013 年稀土出口企业名单并下达第一批出口配额的通知商贸函20121158 号商务部关于下达 2012 年第二批稀土出口配额的通知商贸函2012627 号商务部关于下公布 2012 年稀土出口企业名单并下达第一批稀土出口配额的通知商贸函20111133 号项目文件文号商务部关于下达 2011 年第二批一般贸易稀土出口配

142、额的通知商贸函2011518 号商务部关于下达 2011 年第一批稀土出口配额的通知铁合金出口许可证商务部关于公布符合 2013 年铁合金出口许可条件企业名单的公告公告 2012 年 99 号商务部关于公布符合 2012 年铁合金出口许可条件企业名单的公告公告 2011 年 94 号商务部关于公布符合 2011 年铁合金出口许可条件企业名单的公告公告 2010 年 100 号除上述各项开展相关业务的资质许可外，稀土及其子公司取得的其他相关项目许可及资质情况如下表所示：项目文件文号稀土的资质证书高新技术企业证书GF201111000520中关村高新技术企业证书2012 206 08042 01对

143、外贸易经营者备案登记表备案登记表编号：00348409海关进出口货物收发货人报关注册登记证书注册登记编号：1102919237高纯稀土金属产业化项目项目批复技高技19991493 号环评批复京环保开审字1999314 号环评验收京环验2015123 号稀土材料国家工程研究中心项目批复计科技1995330 号环评批复1999京环监督字第 71 号环评验收2001 年 7 月经北京市环保局稀土材料国家工程研究中心创新能力建设项目立项批复发改办高技20101398 号环评批复京环审2008889 号环评验收京环验2012399 号亿金已经取得的相关资质许可如下表所示：项目文件文号半导体用超高纯金属靶

144、材项目立项批复京发改2009503 号第 120 页环保批复昌环保审字20090401 号分立器件及封装镀膜用超高纯金属及合金材料项目立项批复京经信委2010196 号环保批复昌环保审字20100327 号高代线大尺寸平板显示器用高纯金属靶材项目立项批复京昌平经信委备案2011121 号京发改投资（投资）便字第（71）号环保批复昌环保审字20110331 号上海黄金交易所会员资格证书（综合类会员资格）资质证书编号：0120 号海关进出口货物收发货人报关注册登记证书资质证书注册登记编号：1112919002对外贸易经营者备案登记表资质证书备案登记表编号：00568556高新技术企业证书资质证书G

145、F201111000624中关村高新技术企业证书资质证书20122030001703环境管理体系认证证书资质证书0411E10276R1M第 129 页6、投资估算与资金筹措6.1 投资估算本项目是新材所属的三家全资子公司的科技创新项目，项目主要针对产品研发，经费估算主要涉及材料费、燃料动力费、测试化验加工费、人员费、差旅费，以及固定资产使用费、维修费及少量的研发设备购置费。各项目费用说明如下：材料费：包含主辅材及其他耗材费； 燃料动力费：包括水、电、供暖费；测试化验加工费：包括产品、备件、主辅材等测试加工费；人员费：在职研发人员的工资、津贴、福利等以及外聘研发人员的劳务费；固定资产使用费：包

146、括房屋和设备等固定资产的租赁及折旧费； 维修费：包括基础设施、设备、仪器仪表等维修及保养费；设备购置费：研发期间购置的少量加工设备及辅助设备。6.1.1 光电光电大直径蓝宝石衬底材料和垂直梯度凝固砷化镓项目经费估算如下表所示。序号费用种类项目名称合计（万元）大直径蓝宝石衬底材料垂直梯度凝固砷化镓1材料费601502102燃料动力费50501003测试化验加工费60601204人员费60921525差旅费55106出国服务费557知识产权及文献出版费338专家咨询费9固定资产使用费16060220序号费用种类项目名称合计（万元）大直径蓝宝石衬底材料垂直梯度凝固砷化镓10维修费10102011其他

147、费用10102012设备购置费8060140合计50050010006.1.2 稀土稀土本次承担的五个项目的经费估算如下表所示。序号费用种类项目名称合计（万元）白光 LED 用新型高性能荧光粉及其产业化制备技术低碳低盐无氨氮萃取分离稀土全循环新技术各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备离子型稀土矿高效清洁提取技术开发热挤压磁环用片状磁粉的研发1材料费34018058010035015502燃料动力费5530150401003753测试化验加工费10203015301054人员费23023055012023813685差旅费25256020151456出国服务费1510101010557知识产权

148、及文献出版费35406030101758专家咨询费255129固定资产使用费5060100403528510维修费1540106511其他费用352023012设备购置费2206012004001880合计10006652800380120060456.1.3 亿金亿金本次承担的三个项目的经费估算如下表所示。序号费用种类项目名称合计（万元）铂族金属电子信息功能材料产业化技术集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材圆片级先进封装用超高纯铜靶材1材料费485152345024582燃料动力费5430843测试化验加工费45153452434人员费504003407905差旅费51012276出国服

149、务费7知识产权及文献出版费8088专家咨询费78159固定资产使用费24024010维修费11其他费用115515135合计700240090040006.2 资金筹措方案本项目总投资 11045 万元，全部为企业自筹，其中光电自筹1000 万元，稀土自筹 6045 万元，亿金自筹 4000 万元。资金筹措方案如下表所示：项目总经费11045 万元企业名称自筹金额（万元）筹措渠道光电1000企业自筹稀土6045企业自筹亿金4000企业自筹6.3 资金使用计划本项目总投资 11045 万元，分二年投入。第一年投入 5005 万元，第二年投入 6040 万元。项目资金具体使用计划如下表所示。年度资

150、金使用备注公司投资额（万元）第一年光电4002 个项目各 200 万元稀土25005 个项目分别为：770 万元、395 万元、100 万元、475 万元、760 万元亿金21053 个项目分别为：305 万元、1650 万元、150 万元。第二年光电6002 个项目各 300 万元稀土35455 个项目分别为：230 万元、270 万元、280 万元、2325 万元、440 万元亿金18953 个项目分别为：595 万元、750 万元、550 万元。小计光电1000稀土6045亿金4000合计110457、经济、社会效益初步分析新材系列产品在制造上具有较强的技术优势，在技术上是先进、可靠、实

151、用的。研究认为，本项目符合国家产业化政策，符合企业发展战略，本项目产品定位恰当、产量适宜、投资规模合理，新材以其拥有的技术水平和经济实力，具备承担本项目建设的能力和条件，项目在技术上是可行的。经预测，本项目实施后具有较好经济效益，同时，项目也具有一定的社会效益。预计通过后期蓝宝石单晶生产线的建设，可年产蓝宝石晶体 5 吨，可加工蓝宝石晶片 15 万片，每片晶片按 8 美元计算，年经济效益预测如下：销售额 120 万美元（约合人民币 756 万元）；利润 18.6 万美元（约合人民币 117.18 万元）；利润率 15.5%。预计垂直梯度凝固砷化镓项目后期将再新增 VGF 砷化镓单晶炉30 台进

152、行产业化升级，可年产4 英寸 GaAs 单晶片 8 万片。按每片晶片 240 元计算，年经济效益预测如下：销售额 1920 万元；利润 200 万元；利润率 10.4%。通过对白光 LED 产业化技术进行攻关，建成白光 LED 工程化技术开发平台，加速推动我国稀土荧光粉技术水平和生产能力的提升， 推动我国新型照明及显示产业的发展，为我国节能减排目标的实现做出贡献。低碳低盐无氨氮萃取分离稀土新技术推向工业化生产，不仅可消除氨氮废水产生，大幅度减少盐和 CO2 温室气体排放量，降低环境污染；而且将大大降低生产成本，预测每制备 1 吨稀土氧化物，可降低化工原材料消耗 3000 元以上，在行业推广后，

153、按年产 10 万吨稀土氧化物计，可节约运行成本 3 亿元，经济优势显著。各向同性稀土粘结磁粉的产业化技术及装备项目的实施，可形成年产 600 吨高性能钐铁氮粘结磁粉生产线，届时可实现销售收入10000 万元。通过离子型稀土矿的高效清洁提取技术开发所形成的成果进行应用与推广，可使南方离子型稀土资源的综合利用率提高 10%以上， 按今后广西地区规模化开采每年生产 2 万吨离子型稀土精矿计算，可减少离子型稀土资源储量消耗 2000 吨左右，增加企业销售收入 4 亿元、利润超过 1.2 亿元/年，增加税收 1.3 亿元左右。通过热挤压磁环用片状磁粉的研发，在原料成本上比烧结钕铁硼磁体可望降低 30-4

154、0%左右，这将会使原先使用烧结钕铁磁体的下游行业大量改为使用热挤出钕铁硼磁体，预计将大大节约宝贵的重稀土资源，产生巨大的经济和社会效益。铂族金属电子信息功能材料产业化技术研发的汽车氧传感器用高性能铂电极浆料在市场中占据主导地位。通过本项目实施开发的新产品，可利用其行业地位快速推广应用，并带动下游行业发展，促进成果的工程化与产业化。通过集成电路 65 纳米制程用高纯铂合金靶材工艺的研发，使得65nm 制程工艺日臻成熟，且国内及海外市场规模都非常巨大。通过65nm 制程用高纯 Pt 合金靶材项目的产业化实施，能够为我国功率器件产业的发展提供重要的配套基础材料，以满足高端市场的需求，形成完整产业链。

155、通过圆片级先进封装用超高纯铜靶材项目的研发，将设计与制造大尺寸、微观组织可控、高强度、高稳定性和长寿命的超高纯铜靶材， 建立封装用高纯铜靶材完整的生产线，预计高纯铜靶材的产能达到1500 块/年。本项目产品的市场前景较好，经过努力，新材可以取得较好的市场销售业绩。因此，本项目不仅对企业自身的发展壮大具有重要的意义，也有利于促进国民经济的持续发展。8、风险分析8.1 风险因素本项目主要风险有：市场风险、资源风险、技术风险、资金风险、外部协作条件风险。8.1.1 市场风险本项目涉及新材的一系列产品，类似的产品国内生产厂家众多，产品水平接近，市场竞争激烈。新材在多年激烈的市场竞争中，深耕多年，不断前

156、进，其产品质量不断提升，产品规格不断上升， 产品品种不断增加，也使企业及其产品知名度越来越高，并且其产品还拥有良好的出口市场。分析认为，由于当前国内国际经济形势处于动荡调整时期，产品市场存在一定的不稳定性，需要在企业管理、产品研发、产品改进、降低成本、市场营销等各方面进行不懈努力，在市场风险中信步，以保证企业的持续发展。市场风险存在较大风险。8.1.2 技术风险本项目涉及的产品技术先进、可靠、适用，并且新产品在不断研发中，产品水平处于国内前列，产品质量稳定。技术风险为一般风险。8.1.3 资金风险项目建设所需资金为股东资金，资金有保障，能够满足产品研发的需要。资金风险为一般风险。8.1.4 外部协作条件风险研发厂区交通运输、水电供应有保证。生产中外协件不多，而且协作单位关系稳定，不会发生重大变化。外部协作条件风险为一般风险。8.2 规避风险的主要措施由以上分析可见，本项目的风险主要来自于产品市场。因此，新材务必加强市场调查，了解国内外相关行业的需求，及时掌握市场脉搏，不断提高产品竞争力，同时加强营销策略的研究，真正做到在产品研发成功以后有良好的市场，使得企业在竞争中更上一层楼。第 130 页