1、XX半导体技术（深圳）有限公司Pengcheng Semiconductor Technology(Shenzhen)Co.,Ltd.高端半导体外延设备的国产化XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造市场现状Part-01market situation0101Part-01市场现状XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造1.依赖进口半导体领域制备工艺及装备严重依赖进口。2.自主可控的国产产品面临国外进口受限的形势下，自主可控的国产产品，将被广泛支持和被广泛使用，有极大的市场缺口和价值缺口。3.市场就在千亿元以上仅光电半导体和装备
2、市场就在千亿元以上。市场痛点市场痛点XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造现有市场解决方案对比现有市场解决方案对比01国有市场半导体领域制备工艺及装备主要依赖进口02国产化竞争者北方华创沈阳科仪竞争者优势：成立较早、市场知名度高本项目优势：经验更丰富、多年积累形成了技术优势。XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造核心设备面临“卡脖子”窘境核心设备面临“卡脖子”窘境科技部35项卡脖子技术1、光刻机13、核心工业软件25、微球 2、芯片14、ITO靶材26、水下连接器3、操作系统15、核心算法27、燃料电池关键材料4、航空发动机短
3、舱16、航空钢材28、高端焊接电源5、触觉传感器17、铣刀29、锂电池隔膜6、真空蒸镀机18、高端轴承钢30、医学形象设备元器件7、手机射频器件19、高压柱塞泵31、超精密抛光工艺8、iCLIP技术20、航空设计软件32、环氧树脂9、重型燃气轮机21、光刻胶33、高强度不锈钢10、激光雷达22、高压共轨系统34、数据库管理系统11、适航标准23、透射式电镜35、扫描电镜12、高端电容电阻24、掘进机主轴承XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造XX半导体技术（深圳）有限公司化合物半导体薄膜外延材料及设备 GaAS、GaN镀膜生产设备同时扩展至MOCVD、MBE，
4、PVD等设备及零配件研发 薛玉溪、赵维巍、吴向方控股国产化可行性分析国产化可行性分析依托各方现有基础的国产化发展路线规划XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造项目介绍项目介绍0202Part-02Part-02Project IntroductionXX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造核心团队核心团队XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造科研成果现在基础情况科研成果现在基础情况2018201720162005香港城市大学香港城市大学OLED中试生产设备制备项目中科院电工所中科院电工所磁控溅射
5、与PECVD联合系统制备项目浙江大学浙江大学分子束外延系统MBE制备项目中科院金属所金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造201720162005武汉理工大学武汉理工大学电子束蒸发仪制备项目国家光电实验室全自动磁控溅射设备南昌大学南昌大学MOCVD及合金退火炉制备项目科研成果现在基础情况科研成果现在基础情况XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造研究基础及成果样机研究基础及成果样机分子束外延（MBE）设备磁控溅射与PECVD技术联合系统金刚石薄膜制备设备使用单位 浙江大
6、学光学仪器国家重点实验室使用单位 中科院电工所使用单位 中科院金属研究所XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有基础情况 完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到210-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。分子束外延（MBE）设备及设计图XX半导体技术（深圳）有限公司半
7、导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有基础情况 自主设计研制直线型电子枪(effusion cell)，可实现Si、C等难熔材料的蒸发，可用于制备SiC等半导体外延材料。自主研制直线型电子枪：针对SiC的MBE生长，Si、C的熔点和饱和蒸汽压都比较高，无法使用通常的热蒸发炉，唯一的解决办法是电子束蒸发器。自主研制直线型电子枪XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有基础情况 自主设计研制反射高能电子衍射(RHEED)装置，集成在MBE设备上，对薄膜外延生长进行原位实时监控。XX半导体技术（深圳）有限公司半导
8、体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有基础情况磁控溅射与磁控溅射与PECVDPECVD技术联合系统技术联合系统 设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所王文静研究员团队。XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有基础情况 设计制造了脉冲等离子体溅射设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所姜辛团队。XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造本团体现有基础情况本团体现有
9、基础情况 设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室缪向水教授团队。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室李述汤团队。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江风益教授团队。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所杨德仁团队。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学吕海飞教授团
10、队。XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造已具备成套设备设计条件已具备成套设备设计条件物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机、激光沉积设备PLD化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）成套设备团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1/G2/G3）04030201其他金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备真空镀膜机专用电源系列直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精
11、度热蒸发电源、高能脉冲电源（中频可调脉宽）0605XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造0102020303本项目组研发的 MBE-STM 真空互联系统，集成 RHEEDa本项目组研发的高 真空脉冲等离子溅射 PSD 设备b南科大、清华大学、南京大学、国成仪器合作伙伴哈工大研究基础哈工大研究基础自主设计研发科研型真空外延设备abXX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造国内第二个实现量子反常霍尔效应的团队国内第二个实现量子反常霍尔效应的团队451455XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造产业化计
12、划产业化计划0303Part-03Part-03Industrialization planXX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造产业化计划产业化计划2021202220232025实现4英寸半导体外延装备样机；实现4英寸半导体外延装备及配件的销售，开始研发6英寸和8英寸半导体外延装备样机；实现6英寸和8英寸半导体外延装备及配件的销售，开始研发6英寸和8英寸半导体外延材料制备；实现6英寸和8英寸半导体外延材料批量化生产;XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造产业化计划产业化计划人才300W厂房200W市场推广100W实验设备100W+=+现金流300WTOTAL：1000W半导体外延工艺工程师半导体外延装备工程师123工艺研发工程师XX半导体技术（深圳）有限公司半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造产业化计划产业化计划厂房2000平米示意图员工准备20m2风淋区20m2衬底处理车间300m2半导体薄膜外延生长车间700m2外延片质量检测车间400m2设备安装调试车间400m2入口过 道Thank You2001,Building 2,Chongwen Park,Nanshan Zhiyuan,Nanshan District,Shenzhen
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